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1. 发明专利

JP2017065173A モールド、及び加工用積層体审中-公开
公开(公告)号：JP2017065173A
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2015195312
申请日：2015-09-30
申请人：旭化成株式会社
发明人：古池潤 , 室尾洋行 , 山口布士人
IPC分类号： B29C59/02 , H01L21/027 , B29C33/38
摘要：【課題】複数種類のパタンの規則的分布を製造できるモールドを提供すること。【解決手段】モールド(1)は、第1面と、第1面とは反対側に位置する第2面と、を有するモールドであって、少なくとも、第2面にテクスチャ(1a)を具備し、テクスチャは、ドット状からなる複数の凸部(1b)と、凸部の間にある凹部(1c)とから構成され、凹部は、凸部の底部面積(Sd)よりも大きな凹部面積を有する複数の凸部に囲まれた凹部(Sh)を含み、凹部(Sh)の配列は規則的であり、最近接する凹部Sh同士の間隔(Psh)は、最近接する凸部の頂点間距離Pvを使用して、2Pv以上100μm以下であり、凸部に関し、最近接する凸部の頂点間距離(Pv)と凸部の底部径(φd)と、の比(φd/Pv)が0.55以上である構成とした。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2018126930A 転写方法及び熱ナノインプリント装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018126930A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：JP2017021282
申请日：2017-02-08
申请人：旭化成株式会社
发明人：伊藤隆一 , 室尾洋行 , 遠藤弘了
IPC分类号： H01L21/027 , B29C59/02
摘要：【課題】熱ナノインプリント法を用いて、従来に比べて、異物の介在を低減させることができ、生産効率を向上させることができると共に、タクトタイムの短縮化を図ることが可能な転写方法及び熱ナノインプリント装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の転写方法は、微細パタン形成用シートから前記保護フィルムを剥離する剥離工程と、剥離工程後に、保護フィルムを剥離して露出した前記第1のマスク層の表面を、前記被処理体の表面に向けて貼り合せる貼合工程と、を有し、吸引口を剥離位置に向けて、保護フィルムを剥離しながら、吸引を行うことを特徴とする。【選択図】図8

3. 发明专利

JPWO2017057529A1 光学基材、半導体発光素子用基板、及び半導体発光素子审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017057529A1
公开(公告)日：2018-07-12
申请号：JP2016078748
申请日：2016-09-29
申请人：旭化成株式会社
发明人：室尾洋行 , 山口布士人 , 木山朋紀 , 古池潤 , 前川知文
IPC分类号： C30B29/38 , C30B29/20 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , H01L21/0243 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/16
摘要：特に従来に比べて優れた発光効率を有する半導体発光素子を歩留りよく製造することが可能な半導体膜、及びそれを用いた半導体発光素子を提供すること。本発明は、主面の一部又は全面に凹凸構造(20)が形成された光学基材であって、前記凹凸構造が規則的な歯抜け部を有している。前記凹凸構造は、凸部(21)と凸部間底部(平坦部)(22)と、当該凸部間底部で形成される主面よりも低い位置に平坦面を有する凹部(23)(歯抜け部)とで構成される。また、前記凸部は平均ピッチP0で配置され、前記歯抜け部は正多角形の頂点、又は、前記頂点間を結ぶ前記正多角形の辺上に配置され、前記正多角形の辺の長さは平均ピッチP0よりも長いことが好ましい。

4. 发明专利

JP2019153620A 半導体発光素子审中-公开
公开(公告)号：JP2019153620A
公开(公告)日：2019-09-12
申请号：JP2018035810
申请日：2018-02-28
申请人：旭化成株式会社
发明人：前川知文 , 木山朋紀 , 室尾洋行
IPC分类号： H01L33/42 , H01L33/38 , H01L33/22
摘要：【課題】優れた内部量子効率IQEと光取り出し効率LEEを発現し、PSSを用いた半導体発光素子の発光効率EQEを超える、素子上面の金属電極部面積比率の小さい半導体発光素子の提供。【解決手段】半導体発光素子用基板1201と、前記基板の主面の一部又は全面に形成された凹凸構造1202と、前記凹凸構造上に少なくとも第1半導体層、発光半導体層1253、第2半導体層、透明導電膜1255、及び金属電極1256が積層された半導体発光素子1200であって、素子の金属電極形成面を上方から見たときに、素子上面の電極面積比率が10%以下、且つ前記凹凸構造は、少なくとも、複数の凸部が互いに等しい最近接距離で互いに離間せず隣接して構成された凸部群を含み、前記凸部群はその周囲を平坦面で囲まれた構造であり、前記凸部群の最外郭を構成する前記凸部のアスペクトが0.56〜0.70である。【選択図】図16

5. 发明专利

JP2018142632A 半導体発光素子用基材及び半導体発光素子审中-公开
公开(公告)号：JP2018142632A
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：JP2017036277
申请日：2017-02-28
申请人：旭化成株式会社
发明人：室尾洋行 , 山口布士人
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205 , C30B29/38 , C30B23/08 , C30B25/18 , C23C16/34 , H01L33/22
摘要：【課題】優れた発光効率を有する半導体発光素子を歩留まりよく製造できること。【解決手段】半導体発光素子用基材(100)は、基板と、基板の主面の一部又は全面に形成された凹凸構造と、を具備し、凹凸構造上に少なくとも第1半導体層、発光半導体層及び第2半導体層がこの順に積層された半導体発光素子を形成するための半導体発光素子用基材であって、凹凸構造は、少なくとも、複数の凸部(101、104)が互いに等しい最近接距離(P1)で互いに離間せず隣接して構成された凸部群(102)を含み、凸部群はその周囲を平坦面(103)で囲まれている。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2018126929A 転写方法及び熱ナノインプリント装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018126929A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：JP2017021281
申请日：2017-02-08
申请人：旭化成株式会社
发明人：伊藤隆一 , 遠藤弘了 , 室尾洋行
IPC分类号： H01L21/027 , B29C59/04
摘要：【課題】特に、カバーフィルムの剥離前に、剥離起点を設けて、第1のマスク層がカバーフィルム側に残存することを抑制する転写方法及び熱ナノインプリント装置の提供。【解決手段】第1のマスク層の表面を、被処理体104の表面に向けて貼り合せる貼合部201と、カバーフィルムを、第2のマスク層及び第1のマスク層より取り除く剥離部206と、貼合部と、剥離部との間に設けられ、第1のマスク層から前記カバーフィルムまで打ち抜かないように、少なくとも被処理体の外側の前記第1のマスク層に、切り込みを入れるカット部501と、を具備する熱ナノインプリント装置300。【選択図】図11

7. 发明专利

JP2017069463A 半導体発光素子及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017069463A
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2015195313
申请日：2015-09-30
申请人：旭化成株式会社
发明人：古池潤 , 室尾洋行 , 山口布士人
IPC分类号： H01L33/32 , H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/22
摘要：【課題】発光効率が高く、且つ、リーク電流を抑制し、発光波長分布を改善できる半導体発光素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】第1の半導体発光素子(100)において、下地層(60)は、第2主面(60b)に、連続した凸部により互いに離間された複数の凹部から構成される、ホール構造のテクスチャ(110)を有し、凸部(111)の頂部において、隣接する複数の凹部(112)の開口に外接する外接円で表わされる複数の凸部領域のうち、外接円の面積で表わされる頂部面積が、複数の凹部の開口の平均面積(Go)よりも大きい極大頂部面積(Gt)を有する極大凸部領域(Gt)が複数含まれ、発光層(30)を貫通する転位の転位密度(TDD)とテクスチャ(110)の密度(TexD)との比率(TexD/TDD)が0.3以上である。【選択図】図3

8. 发明专利

JP2017045963A 光学基材、及びそれを用いた半導体発光素子审中-公开
标题翻译：光学基板，以及使用该半导体发光装置
公开(公告)号：JP2017045963A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015169712
申请日：2015-08-28
申请人：旭化成株式会社
发明人：室尾洋行 , 山口布士人
IPC分类号： H01L21/205 , H01L33/22
摘要：【課題】従来に比べて優れた発光効率を有する半導体発光素子を歩留りよく製造することが可能な光学基材を提供すること。【解決手段】微細凹凸構造のドット列は、第1方向において、複数のドットがピッチPxで配列され、第2方向において、ドット列がピッチPyで配列されている。第1方向のドット列は、平均ピッチの1.06倍より大きいピッチを有する区間を有し、区間に隣接した区間は、平均ピッチの1.06倍より小さくされる。第2方向には、ドット列間の平均ピッチの1.06倍より大きいピッチを有する区間を有し、区間に隣接した区間は、平均ピッチの1.06倍より小さくされる。平均ピッチの1.06倍より大きい区間の中点を結んで構成される直線群と、平均ピッチの1.06倍より大きいピッチを有する区間の二等分線と、で囲まれる領域に含まれるドットの個数が、5以上15以下である。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题以良好的成品率制造比传统的是提供一种光学基片尽可能具有优异的发光效率的半导体发光器件。该微细凹凸的点阵列，在第一方向上，多个点被布置在间距Px，在第二方向上，点行被安排在一个间距Py。点行的第一方向具有比1.06倍邻近所述期间的平均基音周期小于1.06倍的平均间距更大的间距的部分。所述第二方向具有比点行之间的平均间距的1.06倍更大的间距的部分，邻近所述段的部分，小于1.06倍的平均间距。 A组通过连接平均基音周期大于1.06倍，具有比所述平均间距的1.06倍更大的节距部的二等分线的中点，在点的数目形成直线包括在所包围的区域，其为5以上且15以下。点域

9. 发明专利

JP2016162871A 半導体発光素子及び照明デバイス审中-公开
标题翻译：半导体发光元件和照明装置
公开(公告)号：JP2016162871A
公开(公告)日：2016-09-05
申请号：JP2015039780
申请日：2015-03-02
申请人：旭化成株式会社
发明人：室尾洋行
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/22
摘要：【課題】より効率が高く且つ光出力の大きな半導体発光素子及び照明デバイスを提供する。【解決手段】半導体発光素子100は、一方の主面の一部又は全面に微細凹凸構造20が形成された光学基材10の上に少なくとも第1半導体層30、発光半導体層40及び第2半導体層50を積層し、且つ、一方の主面とは反対側の他方の主面に反射層90を設けた構造であって、微細凹凸構造20の平均ピッチが200nm以上1500nm以下であり、且つ、光学基材10の長手方向の幅W1及び短手方向の幅W2と厚みTから定まる比率M=W1・W2/{2T(W1+W2)}が1以上であり、反射層90の反射率が80%以上である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有更高效率和更大光输出的半导体发光元件和照明装置。解决方案：半导体发光元件100具有以下结构：至少第一半导体层30，发光半导体层40和第二半导体层50被层叠在光学基材10上，在基底材料10上部分或全部在一个主表面上形成微细凹凸结构20，并且在另一个主表面上设置反射层90 一个主表面的相对侧。微细凹凸结构20的平均间距为200〜1500nm，由长度方向的宽度W1和横向的宽度W2决定的比例M = W1×W2 /（2T（W1 + W2））和深度光学基材10的T为1以上，反射层90的反射率为80％以上。图1

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