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1. 发明专利

JP2018156111A レジストパターンの形成方法、永久マスクレジスト及び感光性樹脂組成物审中-公开
公开(公告)号：JP2018156111A
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：JP2018113041
申请日：2018-06-13
申请人：日立化成株式会社
发明人：田中恵生 , 名越俊昌
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/20 , H05K3/28 , G03F7/32
摘要：【課題】解像性、微細開口性(丸穴解像性)、金めっき耐性、はんだ耐性及びHAST耐性に優れた感光性樹脂組成物と、それを用いたレジストパターンの形成方法及びそれにより得られた永久マスクレジストを提供する。【解決手段】基板上に、(a)エチレン性不飽和基とカルボキシル基を有する樹脂と、(b)エチレン性不飽和基を有する光重合性モノマーと、(c)光重合開始剤と、(d)塩素含有量が200ppm以下であり、加水分解性塩素の含有量が500ppm以下であるエポキシ樹脂と、(e)メラミン及びジシアンジアミドと、を含有する感光性樹脂組成物からなる感光層を設け、当該感光層の所定部分を活性光線の照射により硬化させた後に前記所定部分以外の前記感光層を除去し、2価の金属イオンを含有する水溶液で処理する、レジストパターンの形成方法。【選択図】なし

2. 发明专利

JP2017054148A レジストパターンの形成方法、永久マスクレジスト及び感光性樹脂組成物审中-公开
公开(公告)号：JP2017054148A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2016238335
申请日：2016-12-08
申请人：日立化成株式会社
发明人：田中恵生 , 名越俊昌
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/004 , G03F7/032 , H05K3/28 , H05K3/06 , G03F7/32
摘要：【課題】解像性、微細開口性(丸穴解像性)、金めっき耐性、はんだ耐性及びHAST耐性に優れた感光性樹脂組成物と、それを用いたレジストパターンの形成方法及びそれにより得られた永久マスクレジストを提供する。【解決手段】基板上に、(a)エチレン性不飽和基とカルボキシル基を有する樹脂と、(b)エチレン性不飽和基を有する光重合性モノマーと、(c)光重合開始剤と、(d)塩素含有量が200ppm以下であり、加水分解性塩素の含有量が500ppm以下であるエポキシ樹脂と、(e)メラミン及びジシアンジアミドと、を含有する感光性樹脂組成物からなる感光層を設け、当該感光層の所定部分を活性光線の照射により硬化させた後に前記所定部分以外の前記感光層を除去し、2価の金属イオンを含有する水溶液で処理する、レジストパターンの形成方法。【選択図】なし

3. 发明专利

JP6658801B2 レジストパターンの形成方法、永久マスクレジスト及び感光性樹脂組成物有权
公开(公告)号：JP6658801B2
公开(公告)日：2020-03-04
申请号：JP2018113041
申请日：2018-06-13
申请人：日立化成株式会社
发明人：田中恵生 , 名越俊昌
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/20 , H05K3/28 , G03F7/32

4. 发明专利

JP6511830B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6511830B2
公开(公告)日：2019-05-15
申请号：JP2015015341
申请日：2015-01-29
申请人：日立化成株式会社
发明人：蔵渕和彦 , 竹越正明 , 濱口宏治 , 福住志津 , 福原紀一 , 名越俊昌 , 田中恵生
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L25/065

5. 发明专利

JP6481251B2 感光性樹脂組成物、及び感光性エレメント有权
公开(公告)号：JP6481251B2
公开(公告)日：2019-03-13
申请号：JP2013249776
申请日：2013-12-03
申请人：日立化成株式会社
发明人：田中恵生 , 名越俊昌
IPC分类号： G03F7/027 , G03F7/029 , G03F7/038 , G03F7/075 , H05K3/28 , G03F7/004

6. 发明专利

JP6323481B2 プリント配線板及びその製造方法並びに熱硬化性樹脂組成物有权
公开(公告)号：JP6323481B2
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：JP2016040254
申请日：2016-03-02
申请人：日立化成株式会社
发明人：蔵渕和彦 , 福住志津 , 名越俊昌 , 田中恵生
IPC分类号： H05K3/28

7. 发明专利

JP6210060B2 感光性樹脂組成物、感光性フィルム、永久マスクレジスト及び永久マスクレジストの製造方法有权
公开(公告)号：JP6210060B2
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：JP2014512553
申请日：2013-04-22
申请人：日立化成株式会社
发明人：名越俊昌 , 田中恵生 , 蔵渕和彦
IPC分类号： G03F7/027 , G03F7/037 , G03F7/031 , H05K3/28 , G03F7/004
CPC分类号： C08L63/00 , G03F7/0047 , G03F7/027 , G03F7/031 , G03F7/038 , G03F7/0388 , H05K3/287 , H05K2201/0209

8. 发明专利

JP2016139753A 半導体装置の製造方法有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2016139753A
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：JP2015015341
申请日：2015-01-29
申请人：日立化成株式会社
发明人：蔵渕和彦 , 竹越正明 , 濱口宏治 , 福住志津 , 福原紀一 , 名越俊昌 , 田中恵生
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L25/065
CPC分类号： H01L2224/73204 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要：【課題】微細化や高密度化の要求が高い三次元対応の半導体装置を効率よく、低コストに製造するための製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、(I)ピーラブル金属箔の極薄金属箔上に、接着材料を介して、半導体素子を固定する工程と、(II)感光性封止フィルムを用いて半導体素子を封止する工程と、(III)極薄金属箔の裏面を露出させる工程と、(IV)極薄金属箔を加工して配線パターンを形成する工程と、(V)配線パターン上に再配線絶縁層を形成する工程とを備える。【選択図】図13
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造高要求的小型化和高密度的半导体器件的方法，并以足够的效率和低成本支持三维。解决方案：一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：（I）通过粘合剂将半导体元件固定在可剥离金属箔的极薄金属箔上; （II）使用感光密封膜密封半导体元件; （III）暴露极薄金属箔的后表面; （IV）通过加工极薄的金属箔形成布线图案; 和（V）在布线图案上形成重新布线绝缘层。选择图：图13

9. 发明专利

JP2020076961A 感光性エレメント、積層体、永久マスクレジスト及びその製造方法並びに半導体パッケージの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020076961A
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：JP2019173465
申请日：2019-09-24
申请人：日立化成株式会社
发明人：名越俊昌 , 田中恵生 , 福住志津
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/029 , G03F7/027 , G03F7/38 , G03F7/20 , B32B27/38 , G03F7/09
摘要：【課題】異種材料との密着性に優れる永久マスクレジストを形成することができる感光性エレメントを提供すること。【解決手段】支持フィルムと、該支持フィルム上に設けられ、感光性樹脂組成物から形成される感光層と、を備える感光性エレメントであって、支持フィルムは、感光層と接する面の表面粗さがRaで200〜4000nmである、感光性エレメント。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2016178108A 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2016178108A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：JP2015054808
申请日：2015-03-18
申请人：日立化成株式会社
发明人：蔵渕和彦 , 竹越正明 , 濱口宏治 , 福住志津 , 福原紀一 , 藤田広明 , 名越俊昌 , 田中恵生 , 峯岸知典 , 満倉一行 , 税所亮太
IPC分类号： H05K3/46 , H01L23/12
CPC分类号： H01L2224/11
摘要：【課題】微細化及び高密度化の要求が高い三次元対応の半導体装置を効率よく、低コストに製造する方法を提供する。【解決手段】(I)ピーラブル金属箔の極薄金属箔上に、接着材料を介して、半導体素子を固定する工程と、(II)封止材料で前記半導体素子を封止する工程と、(III)前記極薄金属箔の裏面を露出させる工程と、(IV)前記極薄金属箔を除去してシード層を形成する工程と、(V)前記シード層上に感光性材料を用いて硬化膜パターンを形成する工程と、(VI)電解めっきによって前記硬化膜パターンに覆われていないシード層部分に配線パターンを形成し、前記硬化膜パターンを除去する工程と、(VII)前記配線パターン上に再配線絶縁層を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法。【選択図】図12
摘要翻译：要解决的问题：提供一种以实现精细化和高密度大大需要的三维半导体器件的高效率和低成本的制造方法。解决方案：半导体器件制造方法包括以下步骤：（I）固定半导体元件通过粘合剂材料在可剥离金属箔的超薄金属箔上; （II）用封装材料封装半导体元件; （III）暴露所述超薄金属箔的背面; （IV）除去超薄金属箔以形成种子层; （V）通过使用感光材料在种子层上形成固化膜图案; （VI）通过电解电镀形成布线图案，在未涂覆有固化膜图案的部分的籽晶层上除去固化膜图案; 和（VII）在布线图案上形成重新布线的绝缘层。选择图：图12

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