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2. 发明专利

JP2015072959A 絶縁基板と冷却器の接合構造体、その製造方法、パワー半導体モジュール、及びその製造方法有权
标题翻译：绝缘基板和冷却器的结构结构及其制造方法，功率半导体模块及其制造方法
公开(公告)号：JP2015072959A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：JP2013206918
申请日：2013-10-02
申请人：日産自動車株式会社 , 京セラ株式会社
发明人：谷本智 , 早川浩二
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/40
CPC分类号： H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265
摘要：【課題】温度差が大きい冷熱サイクルストレスに対して、高い耐性を有する絶縁基板と冷却器の接合構造体、接合構造体の製造方法、パワー半導体モジュール、及びパワー半導体モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】平板形状のセラミック基板11と、該セラミック基板11の上面に接合された上部回路金属板13と、セラミック基板11の下面に接合された下部回路金属板12からなる絶縁基板200を備える。更に、金属製の冷却器100を備える。そして、下部回路金属板12の下面と冷却器100の上面を接合する接合層と、を有し、下部回路金属板12は、低熱膨張高弾性金属層を少なくとも1層備え、接合層は、融点または固相線温度が600℃以上である超高温接合層10であることを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供绝缘基板和冷却器的接合结构，该接合结构相对于温差大的热 - 冷循环应力具有高电阻，接合结构的制造方法，功率半导体模块和功率半导体模块的制造方法。结构结构包括由平板状陶瓷基板11构成的绝缘基板200，接合到陶瓷基板11的上表面的上层金属板13; 以及接合到陶瓷基板11的下表面的下部电路金属板12.此外，接合结构包括金属冷却器100和将下部电路金属板12的下表面和低电路金属板12包括至少一个低热膨胀高弹性金属层，并且接合层是具有600℃或更高的熔点或固相线温度的超高温接合层10。

4. 发明专利

JP2020053580A パワーモジュール用基板およびパワーモジュール审中-公开
公开(公告)号：JP2020053580A
公开(公告)日：2020-04-02
申请号：JP2018182271
申请日：2018-09-27
申请人：京セラ株式会社
发明人：早川浩二
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H05K1/02 , H01L23/13
摘要：【課題】信頼性に優れたパワーモジュール用基板等を提供すること。【解決手段】セラミック基板1と、該セラミック基板1の表面に前記セラミック基板1の前記表面と対向する対向面2aがろう材3を介して接合された金属板2と、を備えており、前記ろう材3における、前記金属板2と接合している第1接合部3aの外周は前記対向面2aの外周より内側に位置し、前記セラミック基板1と接合している第2接合部3bの外周は前記第1接合部3aの外周より外側に位置しているパワーモジュール用基板10および該パワーモジュール用基板10と前記金属板2上に搭載された電子部品11とを備えるパワーモジュール100。【選択図】図1

5. 发明专利

JP5902557B2 多層配線基板および電子装置有权
标题翻译：多层布线基板和电子装置
公开(公告)号：JP5902557B2
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：JP2012119827
申请日：2012-05-25
申请人：京セラ株式会社
发明人：早川浩二
IPC分类号： H05K3/46 , H01L23/13 , H01L23/36 , H01L23/12
CPC分类号： H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091

6. 发明专利

JP2015070049A 回路基板および電子装置审中-公开
标题翻译：电路板和电子设备
公开(公告)号：JP2015070049A
公开(公告)日：2015-04-13
申请号：JP2013201729
申请日：2013-09-27
申请人：京セラ株式会社
发明人：早川浩二
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/12 , H01L23/36 , H05K1/02
摘要：【課題】金属板の端部において銅板と絶縁基体との熱膨張差に起因する熱応力による絶縁基体のクラックや銅板の剥離を防止した信頼性の高い回路基板および電子装置を提供することにある。【解決手段】回路基板1は、絶縁基体3と、絶縁基体3上に接合された金属板2と、を有する回路基板1であって、金属板2は、絶縁基体3との接合表面に設けられた第1銅板2aと、外表面に設けられた第2銅板2bと、第1銅板2aと第2銅板2bとの間に設けられた低熱膨張板2cと、を有し、金属板2の端部Aにおける銅板の体積に対する低熱膨張板2cの体積の比率は、金属板2の中央Bよりも大きい。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种高可靠性的电路板和电子装置，其中绝缘基体的裂纹或由于热应力而导致的铜板的剥离，由最终的铜板和绝缘基底之间的热膨胀差引起的金属板。在具有绝缘基底3的电路板1和接合到绝缘基底3上的金属板2的金属板2上，具有设置在接合面上的第一铜板2a 绝缘底座3，设置在外表面上的第二铜板2b和设置在第一铜板2a和第二铜板2b之间的低热膨胀板2c。金属板2的端部A处的低热膨胀板2c的体积与铜板的体积的比例大于金属板2的中心B的体积。

7. 发明专利

JP2016184602A 回路基板审中-公开
标题翻译：电路板
公开(公告)号：JP2016184602A
公开(公告)日：2016-10-20
申请号：JP2015062779
申请日：2015-03-25
申请人：京セラ株式会社
发明人：早川浩二
IPC分类号： H05K1/09 , B23K1/00 , B23K101/42 , H01L23/13
摘要：【課題】金属回路板と金属端子との接合の強度等が高い回路基板を提供すること。【解決手段】上面を有するセラミック基板1と、上面および下面を有しており、下面がセラミック基板1の上面に接合された金属回路板2と、金属回路板2の上面にろう材3を介して接合された金属端子4とを有しており、ろう材3が銅およびリンを主成分とするろう材である回路基板である。銅およびリンを主成分とするろう材の弾性率が比較的小さいため、金属回路板2と金属端子4との接合部分における熱応力が低減され、この接合部分における機械的な破壊が抑制される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供金属电路板和金属端子之间的接合强度等高的电路板。解决方案：电路板包括具有上表面的陶瓷基板1，金属电路板2 具有上表面和下表面，其中下表面结合到陶瓷基板1的上表面，以及金属端子4，金属端子4通过钎焊材料3接合到金属电路板2的上表面。钎焊材料 3含有铜和磷作为主要成分。由于以铜和磷为主要成分的钎料的弹性模量相对较小，所以金属电路板2和金属端子4的接头中的热应力减小，从而抑制了该接头处的机械故障。：图1

8. 发明专利

JP5812882B2 配線基板および電子装置有权
公开(公告)号：JP5812882B2
公开(公告)日：2015-11-17
申请号：JP2012011155
申请日：2012-01-23
申请人：京セラ株式会社
发明人：早川浩二
IPC分类号： H05K1/09 , H01L23/12
CPC分类号： H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091

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