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1. 发明专利

JP5860309B2 化合物太陽電池の製法有权
标题翻译：化合物的太阳能电池的制备
公开(公告)号：JP5860309B2
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：JP2012046312
申请日：2012-03-02
申请人：日東電工株式会社
发明人：西井洸人 , 寺地誠喜 , 森田成紀 , 河村和典 , 渡邉太一
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0749
CPC分类号： Y02E10/541 , Y02P70/521

2. 发明专利

JP2015081929A 光導波路ならびに該光導波路を用いたSPRセンサセルおよび比色センサセル审中-公开
标题翻译：光波导和SPR传感器细胞和使用其的彩色传感器细胞
公开(公告)号：JP2015081929A
公开(公告)日：2015-04-27
申请号：JP2013218113
申请日：2013-10-21
申请人：日東電工株式会社
发明人：森田成紀 , 紺谷友広 , 尾▲崎▼ 真由 , 原和孝 , 宮崎学
IPC分类号： G02B6/122
摘要：【課題】応力ひずみに起因する伝搬損失が抑制され、かつ、熱サイクルにおける剥離の問題が改善された光導波路を提供する。【解決手段】光導波路100は、クラッド層11と、少なくとも一面が露出するように該クラッド層11に埋設されたコア層12と、を備える。クラッド層11の貯蔵弾性率は、0.15GPa以上であり、クラッド層11の線膨張率とコア層12の線膨張率との差は、0.3×10 −4 /℃以下である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供抑制由应力应变引起的传播损耗的光波导，并且改善热循环中的剥离问题。解决方案：光波导100设置有包层11和嵌入的芯层12 在包层11中至少使芯层12的表面露出。包覆层11的储能弹性模量为0.15GPa以上，包覆层11的线膨胀系数与芯层12的线膨胀系数之差为0.3×10 /℃以下。

3. 发明专利

JP6234768B2 光導波路ならびに該光導波路を用いたSPRセンサセルおよび比色センサセル有权
公开(公告)号：JP6234768B2
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：JP2013218114
申请日：2013-10-21
申请人：日東電工株式会社
发明人：森田成紀 , 紺谷友広 , 尾▲崎▼ 真由 , 小田根千春 , 原和孝 , 宮崎学
IPC分类号： G01J3/46 , G01N21/41
CPC分类号： G01N21/553 , G01N21/251 , G01N21/7703 , G01N2021/258 , G01N21/552 , G01N2201/08

4. 发明专利

JP5764016B2 CIGS膜の製法およびそれを用いるCIGS太陽電池の製法有权
标题翻译：使用相同的CIGS膜的制备和CIGS太阳能电池的制备
公开(公告)号：JP5764016B2
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：JP2011194933
申请日：2011-09-07
申请人：日東電工株式会社
发明人：西井洸人 , 森田成紀 , 寺地誠喜 , 細川和人 , 峯元高志
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L31/0322 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521

5. 发明专利

JP5740244B2 有機EL素子の製造方法及び製造装置有权
标题翻译：制造方法和有机EL元件的制造装置
公开(公告)号：JP5740244B2
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：JP2011177030
申请日：2011-08-12
申请人：日東電工株式会社
发明人：根岸伸和 , 森田成紀 , 長瀬純一 , 中井孝洋 , 垣内良平 , 細川和人
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/26 , C23C14/00 , C23C14/04 , H05B33/10
CPC分类号： H01L51/0011 , C23C14/042 , C23C14/562 , C23C14/564 , H01L51/56 , H05B33/10

6. 发明专利

JP2015081928A 光導波路ならびに該光導波路を用いたSPRセンサセルおよび比色センサセル审中-公开
标题翻译：光波导和SPR传感器细胞和使用其的彩色传感器细胞
公开(公告)号：JP2015081928A
公开(公告)日：2015-04-27
申请号：JP2013218112
申请日：2013-10-21
申请人：日東電工株式会社
发明人：森田成紀 , 紺谷友広 , 尾▲崎▼ 真由 , 原和孝 , 宮崎学
IPC分类号： G01N21/41 , G01N21/552 , G02B6/122
摘要：【課題】光損失を抑制しつつ、コアの視認性が向上された光導波路を提供する。【解決手段】光導波路100は、クラッド層11と、少なくとも一面が露出するようにクラッド層11に埋設されたコア層12と、を備える。光導波路100の波長660nmにおける光損失は、2.6dB/cm未満であり、クラッド層11の波長660nmにおける光反射率は、7%以上である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在抑制光损失的同时提高芯的可见度的光波导。解决方案：光波导100设置有包覆层11和嵌入包层11中的芯层12，芯层12的表面至少露出。波长660nm处的光波导100的光损失小于2.6dB / cm，包层11在波长660nm的光反射率为7％以上。

7. 发明专利

JP5854746B2 トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス発光装置およびその製法有权
标题翻译：顶部发射型有机电致发光装置及其制造方法
公开(公告)号：JP5854746B2
公开(公告)日：2016-02-09
申请号：JP2011221022
申请日：2011-10-05
申请人：日東電工株式会社
发明人：森田成紀 , 垣内良平 , 中井孝洋 , 吉川仁 , 渡邊聖彦 , 長瀬純一
IPC分类号： H05B33/02 , H05B33/10 , H01L51/50 , H05B33/26 , H05B33/06
CPC分类号： H05B33/145 , H01L25/048 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2251/5338 , H01L2251/566 , H01L2924/0002 , H01L51/0097 , H01L51/5253

8. 发明专利

JP5779804B2 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法有权
公开(公告)号：JP5779804B2
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：JP2011224518
申请日：2011-10-12
申请人：日東電工株式会社
发明人：垣内良平 , 肥田加奈子 , 森田成紀
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： H01L51/0008 , C23C14/12 , C23C14/24 , H01L51/001 , H01L51/5008 , H01L51/5012 , H01L51/0081

9. 发明专利

JP2015127697A 光導波路ならびに該光導波路を用いたSPRセンサセルおよび比色センサセル审中-公开
标题翻译：光波导和SPR传感器单元和使用光波导的彩色传感器单元
公开(公告)号：JP2015127697A
公开(公告)日：2015-07-09
申请号：JP2014176704
申请日：2014-09-01
申请人：日東電工株式会社
发明人：森田成紀 , 紺谷友広 , 尾▲崎▼ 真由 , 原和孝 , 宮崎学
IPC分类号： G01N21/27 , G01N21/03 , G01N21/41
CPC分类号： G01N21/554 , G01N21/0303 , G01N21/251 , G01N21/255 , G01N21/27 , G01N21/553 , G02B6/1226 , G02B6/138 , G01N2201/08
摘要：【課題】クラッド層におけるクラックの発生が抑制された光導波路ならびに該光導波路を用いたSPRセンサセルおよび比色センサセルを提供すること。【解決手段】クラッド層と、少なくとも一面が露出するように該クラッド層に埋設されたコア層と、を備え、該クラッド層の表面硬度が、HB〜2Hである、光導波路。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种抑制包覆层中的裂纹发生的光波导，并且还提供使用该光波导的SPR传感器单元和比色传感器单元。解决方案：光波导设置有覆层以及以覆盖层的表面硬度为HB-2H的芯层的至少一个表面露出的方式嵌入包覆层中的芯层。

10. 发明专利

JP2017027817A 有機エレクトロルミネッセンスデバイス审中-公开
标题翻译：机电致发光器件
公开(公告)号：JP2017027817A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2015145921
申请日：2015-07-23
申请人：日東電工株式会社
发明人：吉川仁 , 大崎啓功 , 森田成紀
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/26 , H05B33/02 , H05B33/04
摘要：【課題】発光特性の低下を抑制できる有機ELデバイスを提供する。【解決手段】裏面層Aと、裏面層A上に設けられた有機EL素子4であって、第1電極層41と、第1電極層41上に積層された有機層43と、第1電極層41に接触しないようにしつつ有機層43上に積層された第2電極層42と、を有し、第1電極層41、有機層43及び第2電極層42が重畳する領域を発光領域とする有機EL素子4と、有機EL素子4上に設けられた表面層Bと、を有し、裏面層Aの透湿度が、表面層Bの透湿度よりも大きく、発光領域の周縁が、平面透視において第1電極層41の縁と第2電極層42の縁とから構成され、発光領域の周縁を成す第1電極層41の縁の長さが、発光領域の周縁を成す第2電極層42の縁の長さよりも小さい、有機ELデバイス1。【選択図】図3
摘要翻译：的发光特性的有机EL元件的劣化可以被抑制。 A和背面层A，设置在背面层的有机EL元件4，并在第一电极层41，其层叠在第一电极层41上的有机层43，第一电极第二电极层42层叠在有机层43上，同时防止与层41，并且其中所述第一电极层41，有机层43和第二电极层42重叠在发光区域的区域接触的有机EL元件4，设置在该有机EL元件4上的表面层B，具有背面层的透湿性比表面层B的透湿性越大，光的周边边缘发射区域，所述平面在立体的第一电极层41的边缘，并且由所述第二电极层42的边缘的，构成发光区域的外周，第二电极层形成在发光区域的周围的第一电极层41的边缘的长度 42边缘小于长度，有机EL元件1。点域

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