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1. 发明专利

JP6149246B2 不揮発性連想メモリ及びその動作方法有权
公开(公告)号：JP6149246B2
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：JP2014534257
申请日：2013-08-01
申请人：日本電気株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：崎村昇 , 根橋竜介 , 杉林直彦 , 松永翔雲 , 羽生貴弘 , 大野英男
IPC分类号： G11C15/02 , G11C11/15 , G11C15/04
CPC分类号： G11C15/04 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C15/02 , G11C15/046 , G11C5/148

2. 发明专利

JP5807287B2 試験可能な不揮発論理ゲート有权
标题翻译：可测试的非易失性逻辑门
公开(公告)号：JP5807287B2
公开(公告)日：2015-11-10
申请号：JP2011113762
申请日：2011-05-20
申请人：日本電気株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：根橋竜介 , 崎村昇 , 杉林直彦 , 松永翔雲 , 羽生貴弘 , 遠藤哲郎 , 大野英男
IPC分类号： G01R31/28

3. 发明专利

JP6179818B2 不揮発性連想メモリ有权
公开(公告)号：JP6179818B2
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：JP2014534258
申请日：2013-08-01
申请人：日本電気株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：崎村昇 , 根橋竜介 , 杉林直彦 , 松永翔雲 , 羽生貴弘 , 大野英男
IPC分类号： G11C15/04 , G11C11/16 , G11C15/02
CPC分类号： G11C15/046 , G11C15/02

4. 发明专利

JP6261041B2 不揮発性連想メモリセル及び不揮発性連想メモリ有权
公开(公告)号：JP6261041B2
公开(公告)日：2018-01-17
申请号：JP2014062767
申请日：2014-03-25
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：羽生貴弘 , 松永翔雲 , 望月明 , 遠藤哲郎 , 大野英男
IPC分类号： G11C15/04
CPC分类号： G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/1677

5. 发明专利

JP6327902B2 不揮発性連想メモリ有权
公开(公告)号：JP6327902B2
公开(公告)日：2018-05-23
申请号：JP2014062766
申请日：2014-03-25
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：羽生貴弘 , 松永翔雲 , 望月明 , 遠藤哲郎 , 大野英男
IPC分类号： G11C15/04

6. 发明专利

JP6004465B2 不揮発機能メモリ装置有权
标题翻译：非功能存储器设备
公开(公告)号：JP6004465B2
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：JP2012068832
申请日：2012-03-26
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：羽生貴弘 , 松永翔雲 , 夏井雅典 , 遠藤哲郎 , 大野英男
IPC分类号： G11C15/04
CPC分类号： G11C15/02 , G11C15/046

7. 发明专利

JP5998381B2 半導体記憶装置有权
公开(公告)号：JP5998381B2
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：JP2012105558
申请日：2012-05-06
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：羽生貴弘 , 松永翔雲 , 鬼沢直哉 , ガウデット,ヴィンセント
IPC分类号： G11C15/04
CPC分类号： G11C15/04 , G11C15/00

8. 发明专利

JP6238306B2 不揮発性連想メモリを利用した全文検索システム及びこれに用いる文字列比較方法有权
公开(公告)号：JP6238306B2
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：JP2014534240
申请日：2013-07-19
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：崎村昇 , 根橋竜介 , 杉林直彦 , 松永翔雲 , 羽生貴弘 , 大野英男
IPC分类号： G11C15/04 , G06F17/30
CPC分类号： G11C15/02 , G11C15/046

9. 发明专利

JP2015185196A 不揮発性連想メモリセル有权
标题翻译：非挥发性相关记忆细胞
公开(公告)号：JP2015185196A
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：JP2014062766
申请日：2014-03-25
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：羽生貴弘 , 松永翔雲 , 望月明 , 遠藤哲郎 , 大野英男
IPC分类号： G11C15/02 , G11C15/04
摘要：【課題】デバイス特性のばらつきに対して頑健な不揮発性連想メモリセルを提供する。【解決手段】不揮発性連想メモリセルCCは、一端が第1の接続点に接続され、制御端が第1のサーチ線/SLに接続された第1のトランジスタM1と、一端が第1の接続点に接続され、制御端が第2のサーチ線SLに接続された第2のトランジスタM2と、第1のトランジスタM1の他端と第2の接続点との間に配置された第1のMTJ素子MTJ1と、第2のトランジスタM2の他端と第2の接続点との間に配置された第2のMTJ素子MTJ2と、第1のトランジスタM1の他端と第2の接続点との間において第1のMTJ素子MTJ1と直列に配置された第3のMTJ素子MTJ3と、第2のトランジスタM2の他端と第2の接続点との間において第2のMTJ素子MTJ2と直列に配置された第4のMTJ素子MTJ4と、を備える。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供对设备特性变化稳健的非易失性关联存储器单元。解决方案：非易失性关联存储器单元CC包括：第一晶体管M1，其一端连接到第一接合点和控制端连接到第一搜索线/ SL; 具有连接到第一连接点的第一晶体管M2和连接到第二搜索线SL的控制端; 布置在第一晶体管M1的另一端和第二连接点之间的第一MTJ元件MTJ1; 布置在第二晶体管M2的另一端和第二连接点之间的第二MTJ元件MTJ2; 与第一MTJ元件MTJ1串联布置的第三MTJ元件MTJ3，位于第一晶体管M1的另一端和第二接合点之间; 以及与第二MTJ元件MTJ2串联布置的第四MTJ元件MTJ4，位于第二晶体管M2的另一端和第二接合点之间。

10. 发明专利

JP5907524B2 不揮発機能メモリ装置有权
公开(公告)号：JP5907524B2
公开(公告)日：2016-04-26
申请号：JP2012007375
申请日：2012-01-17
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：羽生貴弘 , 松永翔雲 , 勝俣翠 , 夏井雅典 , 遠藤哲郎 , 大野英男
IPC分类号： G11C15/04 , G11C15/02
CPC分类号： G11C15/02 , G11C15/046

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