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    • 7. 发明专利
    • 波長変換素子の特性安定化法
    • JP2019113623A
    • 2019-07-11
    • JP2017245288
    • 2017-12-21
    • 日本電信電話株式会社
    • 圓佛 晃次忠永 修梅木 毅伺風間 拓志柏崎 貴大笠原 亮一
    • G02F1/377
    • 【課題】従来技術のPPLN−WGを利用した波長変換素子では、入力光および素子内で発生したSHG光による和周波光の波長520nm帯光が間接的に発生し、SHG過程を用いた波長変換装置では、素子内で520nmの発振が起こる。PPLN−WGでは強い入力パワーにより屈折率変化を生じ波長変換特性が劣化する光損傷も生じる。これらを回避する温度制御手段の大型化により、波長変換装置は大型化し消費電力が増えていた。コア側に温度調節機構を追加するため、波長変換素子の製造コストも増えていた。 【解決手段】本発明の波長変換素子は、導波路の端面を含む基板端面上に、入力光および波長変換光から生じる第2の波長変換光に対し、反射を防止する特性を持ったAR膜を備える。高入力パワーの通信波長の信号光などをPPLN−WGに入射してSHG光を発生させる際に生じる周波数3ωの和周波光に着目し、導波路の両端面上に、3ωの周波数帯の光に対して反射を防止し、和周波光に起因する発熱を抑制するAR膜を形成する。 【選択図】図8