会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 5. 发明专利
    • 高抵抗材料及びその製法
    • 高电阻材料及其制造方法
    • JP2016000694A
    • 2016-01-07
    • JP2015182504
    • 2015-09-16
    • 日本碍子株式会社
    • 岩井 真東原 周平
    • C30B29/38
    • 【課題】新規な不純物ドープ窒化ガリウムからなる高抵抗材料を提供する。 【解決手段】本発明の高抵抗材料は、マンガンをドープした窒化ガリウム結晶(MnドープGaN)からなり、ホール測定による比抵抗が100Ω・cm以上のものである。この高抵抗材料によれば、比抵抗が高いため、高周波デバイスの材料として適している。この高抵抗材料において、マンガンのドープ量が1×10 17 atoms/cm 3 以上であるこ とが好ましい。また、この高抵抗材料は、いわゆるフラックス法により製造することが好ましい。フラックス法とは、液相法の一つであり、窒化ガリウムの場合、フラックスとして金属ナトリウムを用いることで窒化ガリウムの結晶成長に必要な温度や圧力を気相法に比べて緩和することができる。 【選択図】なし
    • 要解决的问题:提供包括新的杂质掺杂氮化镓的高电阻材料。解决方案:根据本发明的高电阻材料由锰掺杂的氮化镓晶体(Mn掺杂的GaN)组成,其电阻率由 霍尔测量值为100&OHgr / cm或更高。 这种高电阻材料由于其高电阻率而适用于高频器件。 在高电阻材料中,锰掺杂量优选为1×10原子/厘米2以上。 该高电阻材料优选用助焊剂法制造。 通量法是液相法之一,对于氮化镓,与气相法相比,通过使用金属钠可以缓解生长氮化镓所需的温度和压力。