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1. 发明专利

JP6718332B2 ガスセンサ素子およびガスセンサ素子の製造方法有权
公开(公告)号：JP6718332B2
公开(公告)日：2020-07-08
申请号：JP2016153021
申请日：2016-08-03
申请人：日本特殊陶業株式会社
发明人：小島章敬 , 古田斉
IPC分类号： G01N27/419

2. 发明专利

JP2017207466A ガスセンサ素子审中-公开
公开(公告)号：JP2017207466A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：JP2017026083
申请日：2017-02-15
申请人：日本特殊陶業株式会社
发明人：古田斉 , 小島章敬 , 中川将生 , 鎌田健太郎
IPC分类号： G01N27/416
摘要：【課題】小型化を図り、素子内部の酸素濃度勾配の変化を低減し、ガス濃度を精度よく検知できるガスセンサ素子を提供する。【解決手段】被測定ガスが導入される第1空間150と、被測定ガスを第2空間に導入する1つの導入路125と、第1ポンプセルと、検知電極122を備える酸素濃度検知セルと、第2ポンプセルと、を有するガスセンサ素子であって、第1空間を形成する側壁140s1、140s2の少なくとも一方から他の側壁に向かって延び、導入路よりも上流側に配置される仕切り壁143をさらに備え、検知電極は、第1空間に露出すると共に、軸線AX方向に見て、側壁と導入路との間、又は他の側壁と導入路との間の一方にのみ配置され、幅方向Tに見て、検知電極と導入路とが重なり、軸線方向に見て、仕切り壁と検知電極の少なくとも一方が導入路と重なると共に、導入路よりも上流側で仕切り壁と検知電極とが重なる。【選択図】図4

3. 发明专利

JP2016065858A ガスセンサ素子、ガスセンサ及びガスセンサ素子の製造方法审中-公开
标题翻译：气体传感器元件，气体传感器和制造气体传感器元件的方法
公开(公告)号：JP2016065858A
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：JP2015123853
申请日：2015-06-19
申请人：日本特殊陶業株式会社
发明人：水谷正樹 , 古田暢雄 , 岡崎聡史 , 小島章敬
IPC分类号： G01N27/419
摘要：【課題】電解質部と周囲部との間の隙間による不具合を抑制した信頼性の高いガスセンサ素子、及び、このようなガスセンサ素子を備えたガスセンサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】ガスセンサ素子10は、絶縁性セラミックからなる板状で、貫通孔112hをなす貫通孔内周面115を含む周囲部112と、固体電解質セラミックからなる板状で、貫通孔112h内に配置され、貫通孔内周面115に当接する電解質外周面125を含む電解質部121とを有する複合セラミック層111を備える。電解質部121は、電解質外周面125が厚み方向DTの一方側DT1に進むほど外側に位置する斜面をなす形態を有し、貫通孔内周面115と電解質外周面125とが全周にわたり密着してなる。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种气体传感器元件，其能够抑制由于电解质部分和周边部分之间的空间而导致的故障，并且可靠性高; 包括这种气体传感器元件的气体传感器; 以及制造气体传感器元件的方法。解决方案：气体传感器元件10包括复合陶瓷层111，其包括：由绝缘陶瓷构成的片状周边部分112，并且包括形成通孔112h的通孔内周面115; 以及由贯通孔112h配置的固体电解质陶瓷构成的片状电解质部121，并且具有与通孔内周面115接触的电解质外周面125.电解质部121具有形成位于外侧的斜面电解质外周面125在厚度方向DT的一侧DT1上，贯通孔内周面115在整个圆周上与电解质外周面125紧密接触。图4

4. 发明专利

JP6785185B2 ガスセンサ素子の製造方法有权
公开(公告)号：JP6785185B2
公开(公告)日：2020-11-18
申请号：JP2017093031
申请日：2017-05-09
申请人：日本特殊陶業株式会社
发明人：五十嵐愛 , 樋田幸司 , 古田斉 , 小島章敬 , 原晃大
IPC分类号： G01N27/419 , G01N27/41

5. 发明专利

JP2020176918A センサ素子の製造方法、センサ素子及びガスセンサ审中-公开
公开(公告)号：JP2020176918A
公开(公告)日：2020-10-29
申请号：JP2019079390
申请日：2019-04-18
申请人：日本特殊陶業株式会社
发明人：山田哲生 , 古田斉 , 小島章敬 , 原晃大
IPC分类号： G01N27/409 , G01N27/41 , G01N27/419 , G01N27/416
摘要：【課題】素子本体に後から形成される検知電極の位置ズレを抑制し、センサの特性の変動を抑制したセンサ素子の製造方法、センサ素子及びガスセンサを提供する。【解決手段】固体電解質体42dと、Ptを主成分とする基準電極42aと、Auを主成分とする検知電極42bx、42byとを有するセンサ素子100Aの製造方法において、未焼成基準電極U42a及び未焼成固体電解質体U42dが設けられる未焼成素子本体U30Aに、未焼成アライメントマークUM11を形成するアライメントマーク形成工程と、アライメントマーク形成工程を経た未焼成素子本体を、所定温度にて焼成する素子本体焼成工程と、アライメントマークM1、M2に基づいて、未焼成検知電極U42bx、U42byを固体電解質体の表面に形成する未焼成検知電極形成工程と、所定温度よりも低温にて、未焼成検知電極を焼成する検知電極焼成工程と、を有する。【選択図】図9

6. 发明专利

JP2018021821A ガスセンサ素子およびガスセンサ素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018021821A
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：JP2016153021
申请日：2016-08-03
申请人：日本特殊陶業株式会社
发明人：小島章敬 , 古田斉
IPC分类号： G01N27/419
CPC分类号： G01N27/4075 , G01N27/4074 , G01N27/4077 , G01N27/417 , G01N27/419 , G01N33/0027
摘要：【課題】ガスセンサ素子の特性の安定性を向上させる【解決手段】ガスセンサ素子は、ガス測定室と酸素ポンプセルと酸素濃度検出セルとリード部79a,79bとを備える。リード部79aは、絶縁部材76の下面において、スルーホール176の内周壁を、絶縁部材76の下面から上面に巻き込むように形成される。リード部79bは、スルーホール176の内周壁に沿ってリード部79aを覆うとともに、絶縁部材76の上面から下面に巻き込むように形成される。リード部79aは、絶縁部材76の下面側において空間230に対して露出している部分が存在し、リード部79bは、空間230を挟んで絶縁部材76と対向するように配置された絶縁基板101と離間し、リード部79aとガスセンサ素子7の外部は空間230を介して連通している。【選択図】図3

7. 发明专利

JP2021051058A センサ素子、ガスセンサ及びセンサ素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021051058A
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：JP2020036511
申请日：2020-03-04
申请人：日本特殊陶業株式会社
发明人：古田斉 , 小島章敬
IPC分类号： G01N27/409 , G01N27/41 , G01N27/419 , G01N27/416
摘要：【課題】セラミック層を積層して形成された内部空間を有する積層型のセンサ素子において、内部空間に接するセラミック層間のクラックを抑制したセンサ素子、ガスセンサ及びセンサ素子の製造方法を提供する。【解決手段】積層方向に間隔を開けて配置される第1セラミック層118B及び第2セラミック層115と、第1セラミック層及び第2セラミック層の間に介装され、内部に空隙10Gを有する第3セラミック層118と、第1セラミック層、第2セラミック層及び第3セラミック層に囲まれる空隙を内部空間として備え、軸線AX方向に延びる積層型のセンサ素子10であって、内部空間の周縁10fにおいて、内部空間に接する第1セラミック層と第3セラミック層との間に、第1セラミック層及び第3セラミック層の主成分のセラミック材料とは異なるセラミック材料を主成分とする第4セラミック層181が介装されている。【選択図】図5

8. 发明专利

JP6836928B2 ガスセンサ素子有权
公开(公告)号：JP6836928B2
公开(公告)日：2021-03-03
申请号：JP2017026083
申请日：2017-02-15
申请人：日本特殊陶業株式会社
发明人：古田斉 , 小島章敬 , 中川将生 , 鎌田健太郎
IPC分类号： G01N27/416

9. 发明专利

JP2019039689A NOxセンサ素子及びNOxセンサ素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019039689A
公开(公告)日：2019-03-14
申请号：JP2017159538
申请日：2017-08-22
申请人：日本特殊陶業株式会社
发明人：古田斉 , 小島章敬 , 原晃大
IPC分类号： G01N27/416
摘要：【課題】ガス検出精度の低下を抑制し、歩留まりを向上させたNOxセンサ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】ポンプ電極113を有する第1ポンプセル110と、ポンプ電極を臨ませる測定室150と、幅方向に繋がるように測定室に配置されて外部に露出し、被測定ガスGを測定室に導入する拡散多孔質層151と、測定室の側壁をなすセラミック絶縁層140と、測定室に臨む酸素検知電極122を有し、酸素検知電極の先端122fは、ポンプ電極の軸線AX方向の長さLに対し、ポンプ電極の先端から軸線方向に0.963×L後端の位置Pと同一か、位置Pよりも後端側に配置される検知セル120と、第2ポンプセル130と、を備えたNOxセンサ素子10であって、拡散多孔質層の後端151eは、ポンプ電極の後端113eよりも先端側に配置され、かつ酸素検知電極の先端よりも先端側に配置され、軸線方向に沿った両側面に拡散多孔質層が露出する。【選択図】図3

10. 发明专利

JP2021131231A センサ素子、ガスセンサ及びセンサ素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021131231A
公开(公告)日：2021-09-09
申请号：JP2020025053
申请日：2020-02-18
申请人：日本特殊陶業株式会社
发明人：古田斉 , 小島章敬
IPC分类号： G01N27/41 , G01N27/419 , G01N27/409
摘要：【課題】スルーホールが詰まっても基準電極から外部へ酸素を安定して排出することができ、測定精度の低下を抑制し、歩留まりを向上させたセンサ素子、ガスセンサ及びセンサ素子の製造方法を提供する。【解決手段】第1セラミック層105と、第1セラミック層に配置された測定電極110aと基準電極108aと、を備えるセンサ素子であって、さらに、第1セラミック層に形成されるスルーホール105aと、スルーホール導体121cと、基準電極に連結すると共にスルーホール導体に連結する基準リード108bと、第1セラミック層と対向して配置される第2セラミック層103と、を備え、第1セラミック層と第2セラミック層との間には、スルーホールに臨むと共に、基準リードに連通する通気部130が設けられ、さらに、センサ素子の外面のうち第2領域100sに開口して、通気部と外部とを連通させるガス流通経路170が設けられている。【選択図】図5

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