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    • 5. 发明专利
    • 金属酸化物粒子およびその製造方法ならびに用途
    • 金属氧化物颗粒及其生产方法和应用
    • JP2015063451A
    • 2015-04-09
    • JP2014171727
    • 2014-08-26
    • 日揮触媒化成株式会社
    • 柏田 真吾井上 一昭俵迫 祐二三好 真美吉田 聡小松 通郎
    • C01B33/149C01B39/20B24B37/00H01L21/304C01B13/14
    • 【課題】ガラスハードディスク、石英ガラス、水晶、アルミニウムディスク、半導体デバイスのSiO 2 酸化膜、珪素半導体ウエハー、化合物半導体ウエハー等の基板に対する研磨特性に優れた金属酸化物粒子及びその製造方法の提供。 【解決手段】下記の工程(a)および(b)を含んでいる金属酸化物粒子の製造方法。(a)正又は負の表面電位(V A )を有し、平均粒子径(D A )が40〜600nmである基体用金属酸化物粒子(A)と、これと反対の正又は負の表面電位(V B )を有し、平均粒子径(D B )が4〜60nmの範囲にある被覆用金属酸化物粒子(B)との混合分散液を調製する工程、(b)混合分散液を陰イオン交換樹脂で処理する工程。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:为了提供抛光特性优良的金属氧化物颗粒,例如玻璃硬盘,石英玻璃,岩石晶体,铝盘,半导体器件的SiO 2膜,硅半导体晶片,化合物半导体晶片 并提供其制造方法。解决方案:金属氧化物颗粒的制造方法包括以下步骤(a)和(b)。 (a)制备包含具有正或负表面电位(V)和平均粒径(D)为40-600nm的基体的金属氧化物颗粒(A)和金属氧化物颗粒的混合分散体的步骤 (B),其具有与表面电位(V)相反的正或负表面电位(V),平均粒径(D)在4-60nm的范围内,以及处理混合分散体 与阴离子交换树脂。