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1. 发明专利

JP6631553B2 発光装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6631553B2
公开(公告)日：2020-01-15
申请号：JP2017022066
申请日：2017-02-09
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：山下利章
IPC分类号： H01S5/022 , G02B5/20

2. 发明专利

JP2018056160A 発光装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018056160A
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：JP2016186717
申请日：2016-09-26
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：山下利章
IPC分类号： H01S5/022
CPC分类号： F21K9/64 , F21V5/04 , F21V9/30 , F21V13/04 , F21V29/505 , F21V29/507 , F21V29/70 , F21Y2115/10 , F21Y2115/30 , G02B5/04 , G02B7/182 , H01S5/005 , H01S5/02208 , H01S5/02292
摘要：【課題】光取り出し効率をさらに向上させることができる発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体レーザ素子1と、ベース3とキャップ4とを有する支持部材2であって、ベースとキャップとにより規定される空間内に半導体レーザ素子が配置され、キャップに上方に光を取り出す光取り出し窓5が設けられた支持部材と、空間内であって、半導体レーザ素子からの光を光取り出し窓に向かって反射する位置に配置された光反射部材6と、半導体レーザ素子と光反射部材との間に配置され、光反射部材を支持する支持面7aと、支持面とは異なる面であって半導体レーザ素子が出射するレーザ光が入射する光入射面7bと、を含む波長変換部材7とを有し、波長変換部材は、その一部が光取り出し窓に嵌合されている発光装置。【選択図】図1A

3. 发明专利

JP2017120753A 波長変換部材及びこれを用いた光源装置有权
公开(公告)号：JP2017120753A
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：JP2016009747
申请日：2016-01-21
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：山下利章
IPC分类号： F21V9/16 , F21V29/502 , F21S2/00 , H01S5/02 , H01S5/40 , G02B5/20 , F21Y115/10 , F21V7/22
摘要：【課題】強度及び放熱性を向上させながら、輝度も向上させることができる波長変換部材及びそれを用いた光源装置を提供することを目的とする。【解決手段】レーザ光を反射する光反射部材13及び光反射部材13の上に設けられた蛍光体含有層12を備え、蛍光体含有層12は、レーザ光が照射される1以上の凸部12aを有し、凸部12aは、凸部12aに照射されるレーザ光のスポットより大きいことを特徴とする波長変換部材ならびにこの波長変換部材と、1以上のレーザ素子とを備え、前記波長変換部材は、前記レーザ素子から照射されるレーザ光が前記凸部に照射される位置に配置されていることを特徴とする光源装置。【選択図】図1A

4. 发明专利

JP2020198397A 発光装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020198397A
公开(公告)日：2020-12-10
申请号：JP2019104870
申请日：2019-06-04
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：山下利章
IPC分类号： H01S5/022 , H01S5/02
摘要：【課題】レーザ素子と蛍光体の混合光を発光する発光装置において、温度変化に伴う色度変化量のばらつきを低減させる。【解決手段】発光装置の製造方法であって以下を含む。同色の範囲内の発振波長の半導体レーザ素子を複数準備し、各素子の発振波長を測定する。同じ蛍光体を含有する蛍光体含有部材を複数準備し、飽和出力値又は飽和電流値を特定する。半導体レーザ素子を、短波長グループと長波長グループとを含む複数の波長グループのいずれかに分類する。蛍光体含有部材を、飽和出力値又は飽和電流値が低い側の低飽和グループと高い側の高飽和グループを含む複数の飽和グループのいずれかに分類する。半導体レーザ素子と蛍光体含有部材とを組み合わせる際、(a)短波長グループの半導体レーザ素子と、低飽和グループの蛍光体含有部材とを組み合わせるか、(b)長波長グループの半導体レーザ素子と、高飽和グループの蛍光体含有部材とを組み合わせる。【選択図】図1

5. 发明专利

JP6565755B2 発光装置有权
公开(公告)号：JP6565755B2
公开(公告)日：2019-08-28
申请号：JP2016061390
申请日：2016-03-25
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：山下利章
IPC分类号： H01S5/022

6. 发明专利

JP6511766B2 発光装置有权
公开(公告)号：JP6511766B2
公开(公告)日：2019-05-15
申请号：JP2014210474
申请日：2014-10-15
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：山下利章
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/58 , H01S5/022

7. 发明专利

JP6493308B2 発光装置有权
公开(公告)号：JP6493308B2
公开(公告)日：2019-04-03
申请号：JP2016109252
申请日：2016-05-31
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：山下利章
IPC分类号： H01S5/022

8. 发明专利

JP6380096B2 発光装置审中-公开
公开(公告)号：JP6380096B2
公开(公告)日：2018-08-29
申请号：JP2014266722
申请日：2014-12-26
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：山下利章
IPC分类号： H01S5/022

9. 发明专利

JP2017216362A 発光装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017216362A
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：JP2016109252
申请日：2016-05-31
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：山下利章
IPC分类号： H01L23/34 , H01S5/024
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/44 , H01S5/02296 , H01L33/405 , H01L33/50 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L33/644 , H01S5/005 , H01S5/02212 , H01S5/02469
摘要：【課題】蛍光部材の放熱性と発光装置の光取り出し効率とをともに向上させて、発光装置の高出力化を効果的に実現する。【解決手段】半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子の上方に配置され、前記半導体レーザ素子の出射光を通過させる貫通孔を備えた支持体と、前記貫通孔内に配置され、前記半導体レーザ素子の出射光により励起され前記出射光とは異なる波長の光を発する蛍光体を含む蛍光部材と、基部と、前記基部から前記貫通孔内に突出する凸状部と、を有する透光性の放熱部材と、を備え、前記貫通孔は、下方から上方に向かって開口幅が大きくなっており、前記放熱部材は、前記凸状部の上面にて前記蛍光部材の下面と接合されており、前記基部の上面にて前記支持体の下面と接合されている発光装置。【選択図】図1B

10. 发明专利

JP2021166213A 発光装置、又は、光学部材审中-公开
公开(公告)号：JP2021166213A
公开(公告)日：2021-10-14
申请号：JP2020068007
申请日：2020-04-06
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：山下利章
IPC分类号： G02B5/20 , H01S5/022
摘要：【課題】検出精度に優れた光学部材または発光装置を提供する。【解決手段】入射される光と異なる波長の光を出射する波長変換部材81と、波長変換部材に入射する主要な光を囲う配線813と、を有する光学部材、または、さらに発光素子を有する発光装置である。また、この配線は、酸化ルテニウムを用いて形成されている。あるいは、この配線は、酸化物であるか、光に対する透過率が60%以下であるかの、少なくともいずれかを満たし、かつ、常温から温度85℃湿度85%の高温高湿環境下へと移した状態で100時間保管した場合の配線抵抗の変化率が2.5%以下であるか、常温から100℃の環境下へと移した状態で50時間または100時間保管した場合のシート抵抗の変化率が3%未満であるかの、少なくともいずれかを満たす。【選択図】図11

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