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1. 发明专利

JP2017070134A 電力予測方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017070134A
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2015195594
申请日：2015-10-01
申请人：新日鐵住金株式会社
发明人：岸田豊 , 岡澤健介 , 塩谷政典 , 大竹清美
IPC分类号： G06F19/00 , H02J3/00
摘要：【課題】電力需要の予測精度を向上させることが可能な電力予測方法を提供する。【解決手段】工場の総電力需要を予測する電力予測方法であって、電力消費に関する実績データを用いた時系列予測モデルに基づいて、電力需要を予測する第1の確率密度関数を算出する第1の確率密度関数算出ステップと、工場の稼働計画に基づいて、電力需要を予測する第2の確率密度関数を算出する第2の確率密度関数算出ステップと、第1の確率密度関数と第2の確率密度関数との積に基づき表された第3の確率密度関数を算出する第3の確率密度関数算出ステップと、第3の確率密度関数の代表値を電力予測値として決定する、電力予測ステップと、を含む、電力予測方法が提供される。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2017145160A SiC単結晶の製造装置及びSiC単結晶の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017145160A
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：JP2016026824
申请日：2016-02-16
申请人：新日鐵住金株式会社 , トヨタ自動車株式会社
发明人：岸田豊 , 関和明 , 楠一彦 , 大黒寛典 , 加渡幹尚 , 土井雅喜
IPC分类号： C30B19/06 , C30B29/36
摘要：【課題】シードシャフトの下端にSiC種結晶を取り付けるために、台座を用いる場合であっても、結晶成長界面を凹形状にすることができる、SiC単結晶の製造装置及びSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の実施の形態によるSiC単結晶の製造装置(10)は、溶液成長法に用いられる。SiC単結晶の製造装置は、シードシャフト(26)と、台座(28)とを備える。シードシャフトは、上下方向に延びる。台座は、シードシャフトの下端(263)に取り付けられ、SiC種結晶(32)を支持するために用いられる。台座は、中央部(285)と、周縁部(286)とを有する。中央部は、台座の高さ方向から見て、台座の中心(C1)を含む。周縁部は、台座の高さ方向から見て、中央部を囲む。周縁部は、中央部よりも、台座の下面から上面に熱を伝達しやすい。【選択図】図2

3. 发明专利

JP2016150882A SiC単結晶の製造方法有权
标题翻译： SiC单晶的制造方法
公开(公告)号：JP2016150882A
公开(公告)日：2016-08-22
申请号：JP2015029986
申请日：2015-02-18
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 新日鐵住金株式会社
发明人：大黒寛典 , 楠一彦 , 亀井一人 , 関和明 , 岸田豊
IPC分类号： C30B19/08 , C30B29/36
摘要：【課題】溶液法において、結晶成長面に向かうSi−C溶液の、従来よりも高い上昇流速を得ることができるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】坩堝10内に入れられ、内部から液面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi−C溶液24に、種結晶基板を接触させてSiC単結晶を結晶成長させる、SiC単結晶の製造方法であって、坩堝10の底部内壁からの鉛直方向上方の高さxの位置における、坩堝10の内径位置を基準として内側方向且つ水平方向の底側面部の厚みyが、高さxに対して、xの5次式で表される2つの計算式で算出される値を満たす形状を有し、坩堝10内に入れるSi−C溶液24の深さを30mm以上とし、坩堝10の周囲に配置された高周波コイルで、Si−C溶液24を加熱及び電磁撹拌することを含む、SiC単結晶の製造方法。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：为了提供SiC单晶的制造方法，该方法能够比溶液法中的常规方法获得朝向晶体生长面的SiC溶液的向上流速更高的方法。解决方案：制造方法的SiC单晶通过使晶种基板与坩埚10中的Si-C溶液24接触而生长SiC单晶的晶体，Si-C溶液具有温度从内部向液体降低的温度梯度表面。坩埚10具有满足y值的形状，其由x的五次方程表示的两个方程式计算出，其中x是来自坩埚10的底部内壁的垂直方向的高度，y是底部侧的部分的厚度在高度x的位置处的内部方向和水平方向，高度x的位置是坩埚10的内径位置的参考。放置在坩埚10中的Si-C溶液24的深度为30 mm以上，并且Si-C溶液24被布置在坩埚10周围的高频线圈加热并电磁搅拌。图3

4. 发明专利

JP2016216287A SiC単結晶の製造方法有权
标题翻译：一种制造SiC单晶的方法
公开(公告)号：JP2016216287A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：JP2015101400
申请日：2015-05-18
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 新日鐵住金株式会社
发明人：大黒寛典 , 亀井一人 , 楠一彦 , 関和明 , 岸田豊
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： C30B29/36 , C30B9/06
摘要：【課題】雑晶の発生を抑制することができる溶液法によるSiC単結晶の製造方法の提供。【解決手段】内部から液面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi−C溶液24に、種結晶基板14を接触させてSiC単結晶を結晶成長させる、SiC単結晶の製造方法であって、坩堝10は、Si−C溶液24の液面と同じ高さにおける坩堝10の水平方向の厚みLu及び坩堝10の底部内壁と同じ高さにおける坩堝の水平方向の厚みLdを有し、Ld/Luが2.00〜4.21であり、厚みLu及び厚みLdの間で、坩堝の水平方向の厚みが単調増加し、坩堝の肉厚は1mm以上であり、坩堝の底部3の鉛直方向の厚みLbは1〜15mmであり、平坦部の面積が100mm 2 以上であり、Si−C溶液24の坩堝10の底部内壁からの深さを30mm以上とし、坩堝10の周囲に配置された高周波コイル22で、Si−C溶液24を加熱及び電磁撹拌するSiC単結晶の製造方法。【選択図】図9
摘要翻译：为了提供通过溶液方法，其可以抑制杂晶的产生SiC单晶的制造方法。从具有温度梯度降低温度朝向液体表面SiC溶液24内部的，由晶种基板14，对SiC单晶的制造方法接触SiC单晶的结晶生长中，坩埚10具有相同的高度的厚度路和坩埚10底部的内壁的高度相同的坩埚的厚度LD，LD /的水平方向的液面在坩埚10的水平方向上的Si-C溶液24 路是从2.00到4.21，厚度Lu和Ld的厚度之间，单调增加坩埚的水平厚度，坩埚的壁厚为1mm以上，垂直厚度LB的坩埚1的底3 一〜15mm的，与平坦部的面积为100平方毫米以上，从上方30mm时，高频线圈22设置成围绕坩埚10，SI-24和溶液的坩埚10的内壁的Si-C底部深度被加热和电磁搅拌溶液C 24的用于制造SiC单晶的方法。 9系统技术领域

5. 发明专利

JP2016079070A 溶液成長法によるSiC単結晶の製造装置及びSiC単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：使用溶液生长技术和硅碳化硅单晶制造方法的硅碳化物单晶制造装置
公开(公告)号：JP2016079070A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：JP2014213235
申请日：2014-10-17
申请人：新日鐵住金株式会社 , トヨタ自動車株式会社
发明人：亀井一人 , 楠一彦 , 岸田豊 , 大黒寛典 , 土井雅喜
IPC分类号： C30B19/06 , C30B29/36
摘要：【課題】ウイスカーの発生を抑制できる溶液成長法によるSiC単結晶の製造装置及び製造方法の提供。【解決手段】断熱容器と、加熱装置と、シードシャフト6とを備え、断熱容器は、Si−C溶液7を含む坩堝を収納可能な筐体状であって、断熱容器の上蓋部41に貫通孔41Aを有し、シードシャフト6は貫通孔41Aを通り、下端にSiC種結晶8を取り付け可能となっており、シードシャフト6のうち、貫通孔41Aの内周面と対向する領域に断熱材10を配置した溶液成長法によるSiC単結晶の製造装置。貫通孔41Aとシードシャフト6との間の隙間を、断熱材10により保温できるため、この隙間において、ウイスカーの発生を抑制することができ、また、断熱材10はSi−C溶液の蒸発成分により劣化しやすく、劣化した断熱材のSi−C溶液7への落下を防止するため、断熱材10はシードシャフト6の下部には配置されないSiC単結晶の製造装置。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使用溶液生长技术的SiC单晶制造装置和能够抑制晶须生成的SiC单晶制造方法。解决方案：使用溶液生长技术的SiC单晶制造装置包括：绝缘容器; 加热单元和种子轴6.绝缘容器形成为能够在其中存储具有SiC溶液7的坩埚的盒，并且具有设置有通孔41A的顶盖部41。种子轴6穿过通孔41A，并且允许SiC单晶8附接到其下边缘。布置在种子轴6的与通孔41A的内周相反的区域中的绝缘材料10可以隔离通孔41A和种子轴6之间的间隙，从而抑制其中的晶须的产生。绝缘材料10容易被SiC溶液的蒸发成分劣化。为了防止劣化的绝缘材料落入SiC溶液7中，绝缘材料10不被施加到种子轴6的下部。选择的图示：图2

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