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1. 发明专利

JP5949701B2 充電システム及び処理装置有权
标题翻译：充电系统和处理装置
公开(公告)号：JP5949701B2
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：JP2013170248
申请日：2013-08-20
申请人：富士通株式会社
发明人：風間哲 , 中島善康 , 山田勇 , 田村勇樹
IPC分类号： H01M10/44 , H02J7/02

2. 发明专利

JP2021114239A 情報処理装置、メモリ制御装置およびメモリ制御プログラム审中-公开
公开(公告)号：JP2021114239A
公开(公告)日：2021-08-05
申请号：JP2020007553
申请日：2020-01-21
申请人：富士通株式会社
发明人：風間哲
IPC分类号： G06F12/00 , G06F11/10
摘要：【課題】不揮発性メモリにおけるデータ化けの発生状況を効率よく判定できる。【解決手段】不揮発性メモリ2は、複数の単位記憶領域を有する。処理部3は、複数の単位記憶領域のうち一の単位記憶領域2aにデータを書き込む際に、一の単位記憶領域2aにおける複数の位置にそれぞれ固定値のチェックビットを書き込むとともに、一の単位記憶領域2aにおける複数の位置以外の記憶領域に書き込み対象のデータを書き込む。また、処理部3は、一の単位記憶領域2aからチェックビットを読み出し、読み出したチェックビットのそれぞれのビット値に基づいて、一の単位記憶領域2aにおけるデータ化けの発生状況を判定する。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2020119007A 情報処理装置、記憶制御装置および記憶制御プログラム审中-公开
公开(公告)号：JP2020119007A
公开(公告)日：2020-08-06
申请号：JP2019006936
申请日：2019-01-18
申请人：富士通株式会社
发明人：風間哲
IPC分类号： G06F3/06 , G11C29/44 , G06F11/10
摘要：【課題】不揮発性記憶装置においてデータを保持できる時間を長期化する。【解決手段】情報処理装置1は、不揮発性の記憶装置1aと、スクラビング処理2を実行する制御部1bとを有する。スクラビング処理2は、記憶装置1aからデータ3を読み出す処理(ステップS1)と、データ3を読み出した結果に応じてデータ3の書き直しの要否を判定する処理(ステップS2)と、書き直しが必要と判定した場合、読み出したデータ3を記憶装置1aの同一位置に複数回連続的に書き直す処理(ステップS3)とを含む。データ3が複数回連続的に書き直されることで、データ3が1回だけ書き直される場合と比較して、記憶装置1aにおいてデータ3が保持される時間を長期化できる。【選択図】図1

4. 发明专利

JP6544246B2 不揮発性ストレージおよび不揮発性ストレージの処理方法有权
公开(公告)号：JP6544246B2
公开(公告)日：2019-07-17
申请号：JP2016006021
申请日：2016-01-15
申请人：富士通株式会社
发明人：風間哲
IPC分类号： G06F3/06 , G06F3/08 , G06F13/10

5. 发明专利

JP6160294B2 ストレージシステム、ストレージ装置及びストレージシステムの制御方法有权
公开(公告)号：JP6160294B2
公开(公告)日：2017-07-12
申请号：JP2013132124
申请日：2013-06-24
申请人：富士通株式会社
发明人：風間哲
IPC分类号： G06F3/06
CPC分类号： G06F3/0611 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F3/0656

6. 发明专利

JP2016212580A 半導体記憶装置、半導体記憶装置の制御方法および制御プログラム审中-公开
标题翻译：半导体存储装置，所述半导体存储装置的控制方法和程序
公开(公告)号：JP2016212580A
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：JP2015094682
申请日：2015-05-07
申请人：富士通株式会社
发明人：風間哲
IPC分类号： G06F3/08 , G06F1/28 , G06F12/00 , G06F12/06 , G06F3/06
CPC分类号： Y02D10/13
摘要：【課題】消費電力の制御精度を向上させ、許容される消費電力に基づいて半導体記憶装置の性能を十分に発揮させることができる半導体記憶装置、半導体記憶装置の制御方法および制御プログラムの提供を図る。【解決手段】複数のコマンドにより同時にアクセス可能な複数のメモリブロックMB,200,201,202,…を含むメモリアレイ2、および、前記複数のメモリブロックを制御するメモリコントローラ1を有する半導体記憶装置であって、前記メモリコントローラは、前記複数のコマンドに対する消費電力が予め格納された電力テーブル10と、前記電力テーブルの出力を受け取って、実行中および次に実行するコマンドによる消費電力を計算する電力計算部11と、前記電力計算部の出力を受け取って、前記複数のコマンドによる前記複数のメモリブロックのアクセスによる消費電力の合計が、予め定められた許容電力を超えないように制御するコマンド制御部15と、を有する。【選択図】図6
摘要翻译：基于功率消耗的半导体存储装置的改进功率消耗的控制精度，半导体存储器件可以充分发挥可接受的性能是一个目的是提供一种控制方法和半导体存储器件的控制程序。多个同时访问的多个存储块MB的由命令，200，201，202，存储器阵列2包括...，并且具有存储器控制器1，用于控制所述多个存储块的一个半导体存储器件，所述存储器控制器包括用于所述多个命令的功率消耗被预先存储在一个功率表10中，接收功率表的输出，用于由指令计算电力消耗功率计算单元11期间和之后执行来执行，接收功率计算部分的输出，具有由多个存储块中的由所述多个命令，用于控制以便不超过所述容许电力预定命令控制单元15接入的总功率消耗，。点域6

7. 发明专利

JP2021144694A 情報処理装置,メモリ制御プログラム,情報処理プログラムおよび情報処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021144694A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：JP2020206427
申请日：2020-12-14
申请人：富士通株式会社
发明人：風間哲 , 桑村慎哉
IPC分类号： G06F12/0871 , G06F12/0868
摘要：【課題】スピンロックの発生を軽減することによりプロセッサの負荷を軽減する技術を提供する。【解決手段】コンピュータシステム1aは、ページ単位のデータが格納される1次メモリ30と、1次メモリから移動対象となったページのデータを格納する2次メモリ20と、複数の演算コア11それぞれに対して設けられ、複数のページのうちの複数の演算コア11毎に割当られたページ群における各ページの移動の順位を示す複数の第1リンク33を格納する第1管理情報記憶領域31と、オペレーティングシステムに対して設けられ、複数の第1リンクにおけるページ群の中から移動の順位に応じて選択された複数のページを、2次メモリへ移動される候補のページ群として管理する第2リンク32を格納する第2管理情報記憶領域31と、第2リンクのページ群の中から選択したページのデータを1次メモリから2次メモリに移動させる移動処理部と、を備える。【選択図】図1

8. 发明专利

JP6880769B2 情報処理装置,制御プログラムおよび情報処理方法有权
公开(公告)号：JP6880769B2
公开(公告)日：2021-06-02
申请号：JP2017009931
申请日：2017-01-24
申请人：富士通株式会社
发明人：風間哲
IPC分类号： G06F12/00 , G06F12/0893 , G06F12/0868 , G11C29/00

9. 发明专利

JP2018120317A 情報処理装置,制御プログラムおよび情報処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018120317A
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：JP2017009931
申请日：2017-01-24
申请人：富士通株式会社
发明人：風間哲
IPC分类号： G06F12/00 , G06F12/08 , G06F12/0804 , G06F12/02
CPC分类号： G06F12/00 , G06F12/02 , G06F12/08 , G06F12/0804 , G06F12/0868 , G11C29/00
摘要：【課題】ソフトウェア制御型SSDにおいてライトバック処理を実行する場合に、アドレスの不整合の発生を抑制できるようにする。【解決手段】半導体素子メモリを有し、処理装置によって実行される制御プログラムによって半導体素子メモリの記憶領域に対するアクセス制御が行なわれる記憶装置12と、半導体素子メモリに書き込むライトデータを一旦格納するキャッシュメモリ15と、ライトバック処理を行なうライトバック処理部110と、半導体素子メモリにおける第1物理アドレスへのライトデータの書き込みが失敗すると、このライトデータを半導体素子メモリにおける第2物理アドレスに書き込む代替ライト処理部111と、第1物理アドレスと第2物理アドレスとを対応付けたアドレス管理情報を参照して、第2物理アドレスに書き込まれたライトデータにデータアクセスを行なうアクセス処理部110とを備える。【選択図】図3

10. 发明专利

JP2017126256A 不揮発性ストレージおよび不揮発性ストレージの処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017126256A
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：JP2016006021
申请日：2016-01-15
申请人：富士通株式会社
发明人：風間哲
IPC分类号： G06F3/06 , G06F3/08 , G06F13/10
CPC分类号： G06F3/0622 , G06F13/28 , G06F3/0659 , G06F3/0679
摘要：【課題】コマンドの転送にかかる時間を短縮する。【解決手段】不揮発性ストレージは、ホスト装置から受信するコマンドが、データ記憶部へのアクセスを制御するアクセスコマンドか、複数のアクセスコマンドの転送準備がホスト装置で整ったことを通知する転送準備完了コマンドかを判定するタイプ判定部と、タイプ判定部がホスト装置から転送準備完了コマンドを受信した場合、転送準備完了コマンドに基づいてダイレクトメモリアクセス要求をホスト装置に発行し、ダイレクトメモリアクセス要求に基づくダイレクトメモリアクセス転送によりホスト装置から複数のアクセスコマンドを取得するコマンド取得部と、タイプ判定部が受信したアクセスコマンドまたはコマンド取得部が取得したアクセスコマンドを保持するコマンド保持部と、コマンド保持部に保持されたアクセスコマンドに基づいてデータ記憶部にアクセスするアクセス制御部とを有する。【選択図】図1

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