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1. 发明专利

JPWO2019044510A1 パターン形成方法、イオン注入方法、積層体、キット、レジスト下層膜形成用組成物、レジスト組成物、及び、電子デバイスの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019044510A1
公开(公告)日：2020-04-02
申请号：JP2018030373
申请日：2018-08-15
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：畠山直也 , 米久田康智 , 東耕平 , 西田陽一 , 藤田光宏
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/32 , G03F7/40 , G03F7/039 , G03F7/038 , G03F7/20 , G03F7/11 , G03F7/26
摘要：本発明により、(1)被処理基板上に、レジスト下層膜を形成する工程と、(2)レジスト下層膜上に、(A)Si原子及びTi原子からなる群より選択される原子を有する樹脂を含有するレジスト組成物により、レジスト膜を形成する工程と、(3)レジスト膜を露光する工程と、(4)露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、(5)レジストパターンをマスクとして、レジスト下層膜を加工してパターンを形成する工程、とを含むパターン形成方法であって、レジスト下層膜の膜厚が2.5μm以上であり、レジスト膜の膜厚が1μm以下である、パターン形成方法、及び、これを用いたイオン注入方法、並びに、上記パターン形成方法に用いられる、積層体、キット、レジスト下層膜形成用組成物、レジスト組成物、及び、電子デバイスの製造方法が提供される。

2. 发明专利

JP2015067466A 昇華/逆昇華による特定結晶形の析出方法审中-公开
标题翻译：通过分层/反向下移特定晶体形式的降水方法
公开(公告)号：JP2015067466A
公开(公告)日：2015-04-13
申请号：JP2013201153
申请日：2013-09-27
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：瀬尾究 , 石田信也 , 西田陽一
IPC分类号： C07D219/02 , C30B29/54 , C30B23/00
摘要：【課題】結晶多形を有する化合物から特定の結晶形を効率的に、且つ、より高い純度で得るための方法を提供する。【解決手段】 2以上の結晶多形を有する化合物を昇華して捕集部に導入し、この捕集部において特定の結晶形を逆昇華により析出させる方法であって、捕集部を下記式(1)を満たす温度Tとする方法。 T2≦T≦T1 (1) T1:前記特定の結晶形の逆昇華による析出開始温度 T2:析出開始温度がT1よりも低い結晶形の逆昇華による析出開始温度但し、析出開始温度がT1とT2の間にある結晶形は存在しない。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种从具有晶体多晶型的化合物中有效且高纯度地获得特定晶体形式的方法。解决方案：提供一种将具有两个或多个晶体多态性的化合物升华和引入到收集部分，通过在收集部分中的反升华来沉淀特定的晶体形式，其中收集部分设定在满足下列公式（1）的温度T：T2≤T≤T1，T1：降水开始温度由所述特定结晶形式的反升华，T2：具有析出开始温度低于T1的晶体形式的反升华的沉淀开始温度。然而，没有在T1和T2之间具有降水起始温度的晶体形式。

3. 发明专利

JPWO2019064970A1 パターン形成方法、イオン注入方法、固体撮像素子の製造方法、多層レジスト膜、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019064970A1
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：JP2018030171
申请日：2018-08-13
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：西田陽一 , 東耕平 , 畠山直也
IPC分类号： G03F7/095 , G03F7/20 , H01L21/027 , G03F7/26
摘要：解像性に優れ、且つ、イオン注入時の遮蔽性能に優れたパターンを形成できるパターン形成方法を提供する。また、上記パターン形成方法を用いたイオン注入方法、及び固体撮像素子の製造方法を提供する。また、上記パターン形成方法に用いられる多層レジスト膜、及び感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供する。パターン形成方法は、基板上に、膜厚5μm以上の第1のレジスト膜と、上記第1のレジスト膜上に配置され、上記第1のレジスト膜よりも膜密度の高い第2のレジスト膜と、を含む多層レジスト膜を形成する工程と、上記多層レジスト膜を露光する露光工程と、露光された上記多層レジスト膜を現像する現像工程と、を含む。

4. 发明专利

JPWO2018212079A1 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018212079A1
公开(公告)日：2020-03-12
申请号：JP2018018239
申请日：2018-05-11
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：畠山直也 , 米久田康智 , 吉村務 , 東耕平 , 西田陽一
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/039
摘要：エッチングの際に、耐クラック性及び耐エッチング性に優れたマスクとして適用できるパターンを形成できる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法を提供する。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、樹脂を含有する、固形分濃度が10質量%以上の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であり、上記樹脂は、ホモポリマーとしたときのガラス転移温度が50℃以下であるモノマーを由来とする繰り返し単位Aと、酸分解性基を有する繰り返し単位Bとを含み、上記繰り返し単位Bの含有量が、樹脂中の全繰り返し単位に対して20モル%以下であり、且つ、上記樹脂が有する繰り返し単位のいずれか少なくとも1種が、芳香族環を有する繰り返し単位である。

5. 发明专利

JP6931707B2 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜の製造方法、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法有权
公开(公告)号：JP6931707B2
公开(公告)日：2021-09-08
申请号：JP2019542036
申请日：2018-09-07
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：吉村務 , 米久田康智 , 畠山直也 , 東耕平 , 西田陽一
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/004 , G03F7/039

6. 发明专利

JPWO2019054311A1 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019054311A1
公开(公告)日：2020-07-27
申请号：JP2018033328
申请日：2018-09-07
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：吉村務 , 米久田康智 , 畠山直也 , 東耕平 , 西田陽一
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/039
摘要：本発明により、樹脂(A)を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、上記樹脂(A)は、酸性基を有する繰り返し単位と、酸分解性基を有する繰り返し単位とを含み、上記酸性基を有する繰り返し単位の含有量が、上記樹脂(A)中の全繰り返し単位に対して15モル%以上であり、上記酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量が、上記樹脂(A)中の全繰り返し単位に対して20モル%超であり、上記樹脂(A)のガラス転移温度が145℃以下であり、膜厚2μm以上の膜を形成するために用いられる、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法が提供される。

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