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1. 发明专利

JP2016020487A 多孔質シリカに内包された炭素粒子蛍光体、炭素粒子蛍光体、多孔質シリカに内包された炭素粒子蛍光体の製造方法および炭素粒子蛍光体の製造方法审中-公开
标题翻译：包含在多孔二氧化硅，碳粒子磷中的碳粒子磷，包含在多孔二氧化硅中的碳粒子磷的制造方法和碳粒子磷的制造方法
公开(公告)号：JP2016020487A
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：JP2015121205
申请日：2015-06-16
申请人：地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター , 学校法人慶應義塾
发明人：林孝星 , 渡辺洋人 , 今井宏明 , 緒明佑哉
IPC分类号： C09K11/08 , C09K11/65
摘要：【課題】特性の良好な炭素粒子蛍光体を提供する。【解決手段】平均孔直径が0.5以上1.5nm以下である孔を有する多孔質シリカ中の炭素または炭素を元素組成として有する化合物を含有する液を炭化させる。これにより形成された多孔質シリカの孔内の炭素粒子または多孔質シリカの孔内から取り出された炭素粒子は、良好な蛍光特性を有する。例えば、絶対量子収率が、6%以上である。また、最大発光波長が、400nm〜500nmの範囲にあり、半値幅が100nm以下である。特に、熱重量分析に基づく最適な炭化温度(例えば、400℃〜500℃)での処理、または、アルカリ金属イオン処理などにより、蛍光体としての特性をより向上させることができる。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有良好性能的碳粒子荧光体。解决方案：将含有碳或具有碳作为元素组成的化合物的液体在具有平均孔径为0.5至1.5nm的孔的多孔二氧化硅中碳化。由此形成的多孔二氧化硅孔中的碳颗粒或从多孔二氧化硅的孔中取出的碳颗粒具有良好的荧光特性。例如，绝对量子产率为6％以上。最大发射波长在400nm〜500nm的范围内，半值宽度也为100nm以下。通过基于热重分析（例如400℃至500℃）或碱金属离子处理的最佳碳化温度的处理可以提高特别的作为荧光体的性能。图4

2. 发明专利

JP2017007938A 多孔質シリカ内包粒子の製造方法有权
标题翻译：用于生产多孔硅石包封的颗粒的方法
公开(公告)号：JP2017007938A
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2016141417
申请日：2016-07-19
申请人：地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター , 学校法人慶應義塾
发明人：渡辺洋人 , 今井宏明 , 緒明佑哉
IPC分类号： C01G1/02 , C01G31/00 , C01G41/02 , C01G37/02 , C01G45/02 , C01G51/04 , C01G53/04 , C01G49/02 , C01B32/05 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B33/18
摘要：【課題】良好な多孔質シリカ内包粒子の製造方法を提供する。【解決手段】(a)多孔質シリカを準備する工程と、(b)多孔質シリカと金属または前記金属を元素組成として有する化合物を含有する液とを接触させ、多孔質シリカの孔内に前記液を含浸させる工程と、(c)前記(b)工程の後、熱処理を施すことにより、前記多孔質シリカの孔内において前記金属または前記金属化合物を含有する微細粒子を形成する工程と、を有する。また、無溶媒系でアルコキシシランの加水分解することにより多孔質シリカを合成すれば、微細な孔径を有する多孔質シリカの合成が可能であり、この多孔質シリカを鋳型とすることで、バルクの状態では見られない特異な性質を示す粒子(例えば、W、Cu、Cr、Mn、Fe、CoまたはNiやこれらの金属酸化物)も容易に形成することができる。【選択図】図1
摘要翻译：本发明提供了用于产生良好的多孔质二氧化硅包封的颗粒的方法。制备（a）多孔二氧化硅，（b）中的多孔二氧化硅和金属或所述金属与含有具有作为元素组成的化合物的液体接触，其中在所述多孔二氧化硅的孔所述步骤（b）后浸渍液，（c）中，通过热处理，并形成含有所述金属或在多孔质二氧化硅的孔中的金属化合物的细颗粒，该一。此外，如果通过在无溶剂体系的烷氧基硅烷的水解合成的多孔二氧化硅，是能够具有细孔尺寸合成的多孔二氧化硅，由模板的多孔质二氧化硅，大头表现出状态（例如，钨，铜，铬，锰，铁，钴或镍，或这些金属氧化物）未发现独特的性质颗粒也可以容易地形成。点域1

3. 发明专利

JP6427387B2 量子ドット複合光触媒审中-公开
公开(公告)号：JP6427387B2
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：JP2014223328
申请日：2014-10-31
申请人：地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター , 学校法人慶應義塾
发明人：渡辺洋人 , 染川正一 , 今井宏明 , 緒明佑哉
IPC分类号： B01J35/10 , B01J23/30 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B01J35/02

5. 发明专利

JP2016087522A 量子ドット複合光触媒审中-公开
标题翻译：量子复合光刻胶
公开(公告)号：JP2016087522A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2014223328
申请日：2014-10-31
申请人：地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター , 学校法人慶應義塾
发明人：渡辺洋人 , 染川正一 , 今井宏明 , 緒明佑哉
IPC分类号： B01J35/10 , B01J23/30 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B01J35/02
摘要：【課題】量子ドットを用いた反応効率の高い光触媒を提供する。【解決手段】光照射によって生成する励起電子とホールとを空間的に電荷分離させ、励起子の再結合確率を低下させる量子ドット複合光触媒。粒子径が0.7nm〜3.0nmである遷移金属酸化物からなる量子ドットと、前記量子ドットとは異種の遷移金属酸化物からなる第二の量子ドット、有機化合物、0価の金属ドットのいずれかが複合化している量子ドット複合光触媒。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：使用量子点提供高反应效率的光催化剂。解决方案：提供一种用于空间电荷分离由光照射产生的激发电子和空穴的量子点复合光催化剂，并降低激子的复合概率，其中具有0.7nm至3.0nm的粒径的量子点和由过渡金属氧化物构成的量子点和由量子点由不同种类的过渡金属氧化物制成的第二量子点中的任一种，有机化合物或零价金属点复杂。选择图：图3

6. 发明专利

JP2016043296A 触媒审中-公开
标题翻译：催化剂
公开(公告)号：JP2016043296A
公开(公告)日：2016-04-04
申请号：JP2014168330
申请日：2014-08-21
申请人：地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター , 学校法人慶應義塾
发明人：染川正一 , 渡辺洋人 , 今井宏明 , 緒明佑哉
IPC分类号： B01J35/10 , B01J37/02 , B01J37/08 , B01J37/14 , B01D53/86 , B01J23/26
摘要：【課題】触媒燃焼式でVOC、アンモニア、硫化水素、一酸化炭素等のガス状化合物の処理を行う際、触媒が熱触媒として活性を発揮する温度に達する前に触媒槽にガス状化合物が入って来ても処理することができる触媒を提供する。【解決手段】平均細孔径が0.7〜3nmである細孔を有するマトリックスと、クロム酸化物量子ドットとを有し、前記クロム酸化物量子ドットが前記マトリックスの細孔内に保持されている触媒。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种催化剂，当催化燃烧系统进行气态化合物如VOC，氨，硫化氢和一氧化碳的处理时，即使在气体化合物进入催化床之前，催化剂达到表现出作为热催化剂活性的温度。溶液：提供了具有包含平均孔径为0.7〜3nm的孔的基体和氧化铬量子点的催化剂，其中，氧化铬量子点保留在矩阵的孔内。选择图：图1

7. 发明专利

JP6533650B2 触媒有权
公开(公告)号：JP6533650B2
公开(公告)日：2019-06-19
申请号：JP2014168330
申请日：2014-08-21
申请人：地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター , 学校法人慶應義塾
发明人：染川正一 , 渡辺洋人 , 今井宏明 , 緒明佑哉
IPC分类号： B01J35/10 , B01J37/02 , B01J37/08 , B01J37/14 , B01D53/86 , B01J23/26

8. 发明专利

JP6410574B2 多孔質シリカの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP6410574B2
公开(公告)日：2018-10-24
申请号：JP2014233373
申请日：2014-11-18
申请人：東曹産業株式会社 , 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター , 学校法人慶應義塾
发明人：池田達也 , 及川正之 , 宮原行治 , 渡辺洋人 , 今井宏明 , 緒明佑哉
IPC分类号： C01B37/00 , C01B33/12

9. 发明专利

JP2016098119A 多孔質シリカの製造方法审中-公开
标题翻译：生产多孔二氧化硅的方法
公开(公告)号：JP2016098119A
公开(公告)日：2016-05-30
申请号：JP2014233373
申请日：2014-11-18
申请人：東曹産業株式会社 , 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター , 学校法人慶應義塾
发明人：池田達也 , 及川正之 , 宮原行治 , 渡辺洋人 , 今井宏明 , 緒明佑哉
IPC分类号： C01B37/00
摘要：【課題】特性の良好な多孔質シリカを作製する。【解決手段】希釈水ガラス(低濃度のケイ酸ナトリウムの水溶液)より調製したケイ酸水溶液に、界面活性剤を溶解させた後、ゲル化前に、ケイ酸水溶液の水分量を50wt%以下まで低下させることで、界面活性剤の鎖長に対応した細孔を有する多孔質シリカを作製することができる。特に、炭素数の小さい(例えば、8未満)界面活性剤を用いた場合でも、界面活性剤のミセル化を効率的に進行させ、界面活性剤の鎖長に対応した細孔を有する多孔質シリカを作製することができる。界面活性剤(3)の炭素数が小さく炭素鎖が短い場合には、溶液SOLの水分量を低下させることで、ミセル粒子(3M)が形成される。【選択図】図24
摘要翻译：要解决的问题：制备具有优异性能的多孔二氧化硅。解决方案：通过降低由稀释水玻璃制备的硅酸水溶液的含水量，可以制备具有对应于表面活性剂链长的孔的多孔二氧化硅（低浓度的硅酸钠水溶液），在将表面活性剂溶解在硅酸水溶液中之前凝胶化之前为50重量％以下。特别是，即使使用碳原子数少（例如小于8）的表面活性剂，也可以有效地进行表面活性剂的胶束化，制造具有与表面活性剂的链长对应的孔的多孔二氧化硅。当表面活性剂（3）的碳原子数小并且其碳链短时，溶液SOL的水分降低以形成胶束颗粒（3M）。选择图：图24

10. 发明专利

JP5827735B2 多孔質シリカの製造方法有权
公开(公告)号：JP5827735B2
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：JP2014198975
申请日：2014-09-29
申请人：地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター
发明人：今井宏明 , 緒明佑哉 , 渡辺洋人
IPC分类号： C01B37/00 , C01B33/18
CPC分类号： C01B37/02 , C01B33/163 , C04B38/0054 , C04B38/009 , C01P2006/14 , C01P2006/16 , C04B2111/00793

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