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1. 发明专利

JP5933736B2 機能性デバイス及び機能性デバイスの製造方法有权
标题翻译：一种制造功能元件和所述功能元件的方法
公开(公告)号：JP5933736B2
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：JP2014538632
申请日：2013-09-27
申请人：国立研究開発法人科学技術振興機構
发明人：北森武彦 , 馬渡和真
IPC分类号： B81B1/00 , B81C3/00 , G01N35/08 , G01N37/00 , B01J19/00
CPC分类号： B01L3/502707 , B29C65/002 , B81C1/00119 , B01L2200/0689 , B01L2200/12 , B01L2300/0645 , B01L2300/0816 , B01L2300/0896 , B01L2300/12 , B01L2300/161 , B01L2400/0415 , B29L2031/7562 , B81B2201/058

2. 发明专利

JP6806374B2 ナノ流体デバイス及び化学分析装置有权
公开(公告)号：JP6806374B2
公开(公告)日：2021-01-06
申请号：JP2017545818
申请日：2016-10-21
申请人：国立研究開発法人科学技術振興機構
发明人：嘉副裕 , ピホシュユーリ , 北森武彦
IPC分类号： G01N37/00 , B01J19/00 , B81B3/00 , G01N35/08

3. 发明专利

JP6598013B2 プロトン伝導体および燃料電池有权
公开(公告)号：JP6598013B2
公开(公告)日：2019-10-30
申请号：JP2015207235
申请日：2015-10-21
申请人：国立研究開発法人科学技術振興機構 , 国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：嘉副裕 , ピホシュユーリ , 馬渡和真 , 北森武彦 , 北村健二 , 長田貴弘 , 田畑修 , 土屋智由
IPC分类号： H01B1/06 , H01B1/08 , H01M4/86 , H01M8/1016 , H01M8/02

4. 发明专利

JPWO2017069256A1 ナノ流体デバイス及び化学分析装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017069256A1
公开(公告)日：2018-09-06
申请号：JP2016081315
申请日：2016-10-21
申请人：国立研究開発法人科学技術振興機構
发明人：嘉副裕 , ピホシュユーリ , 北森武彦
IPC分类号： G01N37/00 , B01J19/00 , B81B3/00 , G01N35/08
CPC分类号： B01L3/502738 , B01L3/502715 , B01L2200/06 , B01L2300/0896 , B01L2400/0655 , B81B1/00 , B82B1/001 , B82B3/0019 , G01N35/08 , G01N37/00
摘要：このナノ流体デバイスは、一面にナノスケールの溝を有する第1基板と、該第1基板と互いの一面同士を接合して一体に設けられ、前記第1基板の溝とともにナノ流路を形成する第2基板とを備えたナノ流体デバイスであって、前記第1基板または前記第2基板のいずれか一方は、平面視して前記ナノ流路と重なる位置の一部に少なくとも薄肉部を備え、前記薄肉部が押圧によって変形して前記ナノ流路を開閉する。

5. 发明专利

JP2016085967A プロトン伝導体および燃料電池审中-公开
标题翻译：原子导体和燃料电池
公开(公告)号：JP2016085967A
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：JP2015207235
申请日：2015-10-21
申请人：国立研究開発法人科学技術振興機構 , 国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：嘉副裕 , ピホシュユーリ , 馬渡和真 , 北森武彦 , 北村健二 , 長田貴弘 , 田畑修 , 土屋智由
IPC分类号： H01B1/06 , H01M8/02
CPC分类号： H01B1/06 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01M8/02 , H01M8/10 , H01M4/86
摘要：【課題】プロトン伝導度を顕著に上昇させたプロトン伝導体の提供。【解決手段】第1のプロトン供与層20aは、表面にプロトン供与性官能基を有する層で、例えば、シリコン酸化物層で、前記プロトン供与性官能基がシラノール、リン酸、スルホン、チタノールである。第2のプロトン供与層20bも同様に、表面にプロトン供与性官能基を有する層で、例えば、シリコン酸化物層である。第1の基体10aの主面部及び第2の基体10bの主面部には表面負電荷が形成され、この負電荷が、ナノ流路に供給された水溶液中のプロトン伝導度を上昇させ、水溶液中では、水分子間のホッピングによるプロトン移動が拡散に寄与するが、基体(10a、10b)の主面に形成された負電荷が水溶液中のプロトンを引き寄せ、プロトン供与層(20a、20b)の近傍に形成される「高速移送領域」のプロトンの伝導が効率的になされ、プロトン伝導度が上昇するプロトン伝導体。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供显着提高质子传导性的质子导体。解决方案：在质子导体中，第一供体质子层20a是其表面上具有质子供体官能团的层，例如氧化硅而质子供体官能团是硅烷醇，磷酸，砜或钛醇，第二质子供体层20b也是其表面上具有质子供体官能团的层，例如氧化硅层。在第一基板10a的主表面部分和第二基板10b的主表面部分上形成负表面电荷，并且负电荷增加了提供给纳米通道的水溶液中的质子传导率。虽然在水溶液中，由于水分子之间的跳跃引起的质子迁移有助于扩散，但是在基板（10a，10b）的主表面上形成的负电荷吸引了水溶液中的质子，并且有效地实现了质子的传导在形成在质子供体层（20a，20b）周围的“高速转印区域”中，从而可以提高质子传导性。图1

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