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    • 7. 发明专利
    • 軟X線を用いた二次電池オペランド測定用電極
    • 用于二次电池的电极用软X射线测量
    • JP2016040763A
    • 2016-03-24
    • JP2014164810
    • 2014-08-13
    • 国立研究開発法人産業技術総合研究所
    • 朝倉 大輔細野 英司松田 弘文
    • H01M10/04H01M4/139H01M4/13G01N23/06H01M4/66
    • 【課題】リチウムイオン二次電池電極の電気化学オペランド軟X線吸収/発光分光の実現を可能とする、Si 3 N 4 薄膜を用いた薄膜電極を提供する。 【解決手段】Siウェハ/Si 3 N 4 薄膜上にAl 2 O 3 /Ti/Auという三層構造を有する薄膜集電体層を形成し、当該集電体層上に直接、遷移金属酸化物等の電極活物質を、熱処理を伴う成膜によって形成することで薄膜電極を作成する。その後、薄膜電極のSi側表面の窓体形成部位を除く部分を保護しながら、当該窓体形成部位のSiウェハをSi 3 N 4 層が露出するまでエッチングすることによって、軟X線透過性の窓部を形成する電気化学オペランド軟X線吸収/発光分光用電極の作成方法。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种包括能够在锂离子二次电池电极的电化学操作数上实现软X射线吸收/发射光谱的SiN膜的膜电极。解决方案:一种用于制造软X射线电极的方法, 在电化学操作数上的射线吸收/发射光谱学包括以下步骤:通过在Si晶片/ SiN膜上形成具有AlO / Ti / Au三层结构的薄膜集电体层,并直接形成 通过涉及热处理的膜生长在集电体层上形成过渡金属氧化物等电极活性物质; 然后通过蚀刻窗体形成部分的Si晶片形成软X射线透射窗部分,直到SiN层暴露,同时保护除了窗体形成部分之外的膜电极的Si侧表面。选择的图 : 图1