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1. 发明专利

JP6041281B2 電界効果トランジスタ有权
公开(公告)号：JP6041281B2
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：JP2015543739
申请日：2014-08-12
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：右田真司 , 太田裕之 , 福田浩一
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/283 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/513 , H01L21/02197 , H01L21/02266 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/4908 , H01L29/517 , H01L29/78 , H01L29/78654 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/78696 , H01L29/0649 , H01L29/0669 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/20 , H01L29/785 , H01L29/7851

2. 发明专利

JP2017152708A 相変化チャネルトランジスタ及びその駆動方法。有权
公开(公告)号：JP2017152708A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：JP2017055572
申请日：2017-03-22
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：富永淳二 , ポールフォンス , 太田裕之 , 森田行則 , 右田真司 , 伊藤正勝
IPC分类号： H01L21/337 , H01L29/812 , H01L29/808 , H01L21/338 , H01L45/00 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/49 , H01L29/423 , H01L29/15 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/66
CPC分类号： H01L49/003 , H01L29/42384 , H01L29/78603 , H01L29/78648 , H01L29/78681 , H01L29/78684
摘要：【課題】高いチャネル移動度と高いオン/オフ比とを両立しうる相変化チャネルトランジスタ及びその駆動方法を提供する。【解決手段】電界の印加によりトポロジカル相転移が生じる相変化材料を含むチャネル層20と、チャネル層20に接続されたソース電極24及びドレイン電極26と、チャネル層20の第1の面上に形成された絶縁膜12と、絶縁膜12上に形成された第1のゲート電極(シリコン基板10)と、ソース電極24とドレイン電極26との間のチャネル層20の第2の面上に形成された第2のゲート電極22とを有する。【選択図】図1

4. 发明专利

JP6284213B2 相変化チャネルトランジスタ及びその駆動方法。有权
公开(公告)号：JP6284213B2
公开(公告)日：2018-02-28
申请号：JP2017055572
申请日：2017-03-22
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：富永淳二 , ポールフォンス , 太田裕之 , 森田行則 , 右田真司 , 伊藤正勝
IPC分类号： H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/66
CPC分类号： H01L49/003 , H01L29/42384 , H01L29/78603 , H01L29/78648 , H01L29/78681 , H01L29/78684

5. 发明专利

JPWO2019065208A1 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019065208A1
公开(公告)日：2020-11-12
申请号：JP2018033568
申请日：2018-09-11
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：太田裕之 , 右田真司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L21/336
摘要：電界効果トランジスタのゲート電圧がしきい値電圧未満であるときのドレイン電流の立ち上がりを急峻化することで、半導体装置の消費電力を低減する。その手段として、チャネル領域である半導体層の厚さが20nm以下の完全空乏型MOSFETにおいて、ゲート電極に接続されたゲートプラグを、ゲート電極上に順に積層された第1プラグ、強誘電体膜および第2プラグにより構成する。ここで、第1プラグおよび強誘電体膜の接触面と、強誘電体膜および第2プラグの接触面とが平面視で重なる面積は、ゲート電極と活性領域である半導体層とが重なる面積よりも小さい。

6. 发明专利

JPWO2017026350A1 セキュリティ機能を有する回路を含む半導体デバイス审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017026350A1
公开(公告)日：2018-05-10
申请号：JP2017534388
申请日：2016-08-03
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：堀洋平 , 柳永▲勲▼ , 大内真一 , 安田哲二 , 昌原明植 , 入沢寿史 , 遠藤和彦 , 太田裕之 , 前田辰郎 , 小池帆平 , 小笠原泰弘 , 片下敏宏 , 福田浩一
IPC分类号： H01L21/822 , G03F7/20 , H01L27/04 , H04L9/10
CPC分类号： H01L21/82 , H01L21/822 , H01L27/04
摘要：本発明の半導体デバイス100は、フロントエンドと、複数の層を含むバックエンドA、Bとを備え、バックエンドBの複数の層中の(i)配線ピッチが100nm以上である少なくとも一層にセキュリティ機能を有する回路22、23、24を設けたこと、(ii)M5以上(M5、M6、M7、・・・)の配線層の少なくとも一層にセキュリティ機能を有する回路を設けたこと、(iii)液浸ArF露光を用いる必要が無い少なくとも一層にセキュリティ機能を有する回路を設けたこと、あるいは(iv)200nm以上の露光波長を用いて露光される少なくとも一層にセキュリティ機能を有する回路を設けたこと、を特徴とする。

7. 发明专利

JP2016115686A トンネル電界効果トランジスタ审中-公开
标题翻译：隧道场效应晶体管
公开(公告)号：JP2016115686A
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：JP2013076015
申请日：2013-04-01
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：森田行則 , 右田真司 , 太田裕之
IPC分类号： H01L29/66 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/42356 , H01L29/0657 , H01L29/7391
摘要：【課題】定められたゲート電圧のもとで、より強い電界をトンネル接合に印加可能で、低電圧動作で大きなドレイン電流を得ることが可能なトンネル電界効果トランジスタを提供すること。【解決手段】本発明のトンネル電界効果トランジスタは、ソース領域、前記ソース領域に隣接して配され、その境界面をトンネル接合面とするチャネル領域、及び前記チャネル領域に隣接して配されるドレイン領域で形成される半導体領域と、前記半導体領域上にゲート絶縁膜を介して配されるゲート電極とを有し、前記チャネル領域における前記トンネル接合面に対向する対向面に位置する第1のゲート電極配置位置と、前記対向面の端部から前記ソース領域に向けて屈曲させた前記チャネル領域における屈曲面に位置するとともに、前記第1のゲート電極配置位置を基準とした前記対向面の屈曲方向に位置する第2のゲート電極配置位置とのそれぞれの位置上に、前記ゲート電極が配される。【選択図】図1(a)
摘要翻译：要解决的问题：提供一种隧道场效应晶体管，其能够通过在确定的栅极电压下向隧道结施加更强的电场，通过低电压操作获得较大的漏极电流。解决方案：本发明的隧道场效应晶体管包括：从源极区形成的半导体区域，与源极区域相邻设置并且其边界面被定义为隧道结表面的沟道区域和与沟道区域相邻设置的漏极区域; 以及通过栅极绝缘膜设置在半导体区域上的栅电极。栅电极设置在位于与隧道结表面相对的沟道区域的表面上的第一栅极电极布置位置和位于沟道区域中的弯曲表面上的第二栅电极布置位置中，从相对表面的端部弯曲到源极区域，并且以与第一栅极电极布置位置相对的相对表面的弯曲方向为基准。图1（a）

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