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    • 2. 发明专利
    • メモリ、メモリ装置および揮発性記録媒体
    • 存储器,存储器件和易失性记录介质
    • JP2016171109A
    • 2016-09-23
    • JP2015048241
    • 2015-03-11
    • 国立大学法人 東京大学
    • 大越 慎一所 裕子吉清 まりえ生井 飛鳥
    • H01L27/10H01L41/09H01L45/00H01L27/105
    • 【課題】Ti 3 O 5 の組成を有した酸化チタンからなり、データの書き込みを行い得るメモリ、メモリ装置および揮発性記録媒体を提供する。 【解決手段】Ti 3 0 5 の組成でなり、かつ460[K]以下で0.2〜0.4[A・mm -2 ]の書き込み電流が供給されると、非磁性半導体のβ相から、β相とは抵抗値が異なる常磁性金属状態のλ相に相転移する酸化チタンによりメモリ素子6を形成するようにした。メモリ装置は、メモリセルにデータを書き込む際、メモリセルにのみ書き込み電流を流すことにより、メモリセル2aのメモリ素子6をβ相の酸化チタンからλ相の酸化チタンに相転移させ、メモリ素子6の抵抗値を変えることでデータを書き込む。 【選択図】図11
    • 要解决的问题:提供通过使用具有TiO 2的氧化钛形成的存储器,存储器件和易失性记录介质,并且可以写入数据。解决方案:存储元件6由钛 具有组成为Ti0的氧化物,当提供0.2-0.4的写入电流时,其导致从非磁性半导体的β相的相位转变为与电阻值的β相不同的顺磁性金属状态的λ相 [A mm]范围高达460 [K]。 在存储装置中,当将数据写入存储单元时,使写入电流仅通过存储单元,由此使存储单元2a的存储元件6从β相钛氧化物到 λ相钛氧化物。 因此,通过将存储元件6改变为电阻值将数据写入存储单元。选择图:图11
    • 9. 发明专利
    • 電磁波吸収体及び膜形成用ペースト
    • 电磁波吸收器和成膜胶片
    • JP2016111341A
    • 2016-06-20
    • JP2015207316
    • 2015-10-21
    • 国立大学法人 東京大学東京応化工業株式会社
    • 大越 慎一生井 飛鳥吉清 まりえ小野 貴司
    • H01F1/00H05K9/00
    • 【課題】基材と、当該基材上に形成された電波吸収膜とを備える電波吸収体であって、幅広い周波数帯域の電波に適用可能であって、電波吸収膜が膜厚1mm未満の薄膜である場合であっても、良好な電波吸収特性を示す電波吸収体を提供すること。また、当該電波吸収体が備える電波吸収膜の形成に好適に用いられる膜形成用ペーストを提供とすること。 【解決手段】基材と、当該基材状に形成された電波吸収膜とを備える電波吸収体において、電波吸収膜に特定のイプシロン型酸化鉄を含有させ、電波吸収膜の比誘電率を6.5〜65とする。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种包括基材的无线电波吸收体和形成在基材上的无线电波吸收膜,其能够在宽频带上应用于无线电波,并且即使使用无线电也表现出优异的无线电波吸收特性 并且还提供适合用于形成无线电波吸收体中所包含的无线电波吸收膜的成膜膏。解决方案:在包括基材和无线电波吸收的无线电波吸收体中, 在基材上形成的膜,在无线电波吸收膜中使用特定的ε型氧化铁,并且将无线电波吸收膜的相对介电常数设定为6.5-65。选择图:图1
    • 10. 发明专利
    • 集積型金属錯体
    • 集成金属复合材料
    • JP2015072427A
    • 2015-04-16
    • JP2013209102
    • 2013-10-04
    • 国立大学法人 東京大学
    • 大越 慎一所 裕子井元 健太吉清 まりえ高野 慎二郎生井 飛鳥織作 恵子
    • G02F1/37G02F1/355
    • 【課題】従来にない新規な物性を発現し得る集積型金属錯体を提供する。 【解決手段】集積型金属錯体では、Fe 2 [Nb(CN) 8 ]・(4-bromopyridine) 8 ・nH 2 0(nは、0〜10)からなるキラルな結晶構造を有する構成としたことにより、遷移金属イオンたるFeイオンのスピン状態が高スピン状態の高温相HTと、当該スピン状態が高温相HTよりも低スピン状態となった常磁性の低温相LTとに、温度に応じて相転移し得、低温相LTにて基本波光L1を受けて第2高調波光L2を発するという新規な物性を発現し得る。 【選択図】図8
    • 要解决的问题:提供能够显示非常规和新的物理性质的综合金属络合物。解决方案:金属络合物具有由Fe [Nb(CN)](4-溴吡啶)nHO(n是 0〜10)。 因此,集成的金属络合物可以表现出以下新的物理性质。 作为过渡金属离子的Fe离子的自旋状态可以根据温度相对于高自旋态的高温相HT和低于自旋态的自旋态的顺磁性的低温相LT发生相变。 的高温相HT。 在低温阶段LT,集成金属复合体接收基波光L1并发射二次谐波光L2。