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1. 发明专利

JP2016169429A 多孔質金属およびその製造方法並びに蓄電装置有权
标题翻译：多孔金属及其制造方法和功率储存装置
公开(公告)号：JP2016169429A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2015051416
申请日：2015-03-13
申请人：国立大学法人東北大学 , 太盛工業株式会社
发明人：藤田武志 , 陳明偉 , 伊藤良一 , 陳廬陽 , 田中茂雄 , 鹿子泰宏
IPC分类号： H01G11/70 , H01G11/84 , H01G11/68 , C22C1/08 , H01M4/38 , B22F3/11
摘要：【課題】表面積の大きい多孔質金属の大量生産を可能とし、サイズの異なる細孔を有する多孔質金属及びその製造方法の提供。【解決手段】金属リガメント18と第1細孔20とを含み、金属リガメント18には、第1細孔20より小さい第2細孔24が形成されており、金属リガメント18の表面積は65m 2 /g以上である多孔質金属10。複数の繊維12を有する網状構造体11に金属を付着させる工程と、前記金属から第1細孔20を有する網状合金15を形成する工程と、前記合金のうち一部の金属を選択的に除去することにより、第1細孔20と第1細孔20より小さい第2細孔24とを含む多孔質金属10を形成する工程と、を含む多孔質金属10の製造方法。金属リガメント18はNiを含み、金属リガメント18の表面はNi原子に結合した水酸基を有し、金属リガメント18の表面には更に酸化マンガンを有する多孔質金属10。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够大量生产具有大表面积的多孔金属并具有不同尺寸的孔的多孔金属，并提供一种多孔金属的制造方法。解决方案：多孔金属10包括金属韧带 18和第一孔20.金属韧带18形成有比第一孔20小的第二孔24.金属韧带18的表面积为65m 2 / g以上。制造多孔金属10的方法包括以下步骤：使金属粘附到具有多根纤维12的网状结构体11上; 从金属形成具有第一孔20的网状合金15; 以及通过选择性地除去合金中的金属的一部分，形成含有比第一孔20小的第一孔20和第二孔24的多孔金属10。在多孔金属10中，金属韧带18含有Ni，金属韧带18的表面包含与Ni原子键合的羟基，金属韧带18的表面还含有氧化锰。图1

2. 发明专利

JP6074609B2 しわのよったナノ多孔質金属箔有权
标题翻译：纳米多孔金属箔皱
公开(公告)号：JP6074609B2
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：JP2011261052
申请日：2011-11-29
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：陳明偉 , 藤田武志 , 張玲
IPC分类号： C22C5/02 , G01N21/64 , B82Y35/00 , B82Y15/00 , G01N21/65

3. 发明专利

JP2015063742A 多孔質金属およびその製造方法並びにリチウム空気電池审中-公开
标题翻译：多孔金属，其制造方法和锂空气电池
公开(公告)号：JP2015063742A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：JP2013199049
申请日：2013-09-25
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：陳明偉 , 郭現偉 , 韓久慧 , 伊藤良一 , 平田秋彦 , 陳廬陽 , 藤田武志
IPC分类号： H01M12/08 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C25F3/02 , C22C1/08
CPC分类号： Y02E60/128
摘要：【課題】高い空孔率を有する多孔質金属を提供すること。【解決手段】金属と空孔12b、12cを有し、空孔率が75%以上である多孔質金属。また、複数の金属を含む第1合金10から複数の金属のうち一部の金属を選択的に除去することにより、第1空孔12aを含む第2合金10aを形成する工程と、第2合金10aを熱処理することにより、第1空孔12aを集積させた第2空孔12bを含む第3合金10bを形成する工程と、第3合金10bから一部の金属を選択的に除去することにより、第2空孔12bと、第2空孔12bより小さい第3空孔12cと、を含む多孔質金属10cを形成する工程と、を含む多孔質金属の製造方法。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高孔隙率的多孔金属。解决方案：多孔金属具有金属和空隙12b，12c和75％或更高的孔隙率。一种制造多孔金属的方法包括以下步骤：从包含多种金属的第一合金10选择性地去除多种金属中的某种金属，以形成具有第一空隙12a的第二合金10a; 热处理第二合金10a以形成具有第二空隙12b的第三合金10b，第二合金10b通过使第一空隙12a一体化而获得; 并且从第三合金10b选择性地除去另一种某些金属，以形成具有小于第二空隙12b的第二空隙12b和第三空隙12c的多孔金属10c。

4. 发明专利

JP2018020923A 多孔質体およびその製造方法並びに電気分解装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018020923A
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：JP2016152029
申请日：2016-08-02
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：陳明偉 , 譚勇文
IPC分类号： C25B11/06 , C25B1/04 , C25B9/00 , C25B11/03 , C01B25/45 , C01B25/08
CPC分类号： Y02E60/366
摘要：【課題】触媒性能の高い燐化金属の多孔質体を提供すること。【解決手段】本発明は、M(MはCo、FeおよびNiの少なくとも1つ)相と燐化M相と、を有する前駆体合金を形成する工程と、前記前駆体合金から前記M相を選択的に除去する工程と、を含む多孔質体の製造方法である。また、本発明は、燐化M(MはCo、FeおよびNiの少なくとも1つ)を主に含むリガメントと平均径が300nm以下の細孔とを含む多孔質体である。【選択図】図1

5. 发明专利

JP6202435B2 多孔質合金化合物及びその製造方法並びに電気二重層キャパシタ有权
公开(公告)号：JP6202435B2
公开(公告)日：2017-09-27
申请号：JP2013196225
申请日：2013-09-20
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：陳明偉 , 康建立 , 平田秋彦 , 藤田武志 , 陳廬陽
IPC分类号： H01G11/46 , H01G11/68 , C01G53/00
CPC分类号： Y02E60/13

6. 发明专利

JP6179049B2 酸化物構造体有权
公开(公告)号：JP6179049B2
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：JP2013017939
申请日：2013-01-31
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：陳明偉 , 康建立 , 藤田武志 , 平田秋彦
IPC分类号： H01G11/86 , H01G11/46 , H01G11/30 , H01G11/66 , H01M4/13 , H01M4/80 , H01M4/66 , H01G11/22
CPC分类号： Y02E60/13

7. 发明专利

JP6307788B2 導電性金属が添加された酸化物有权
公开(公告)号：JP6307788B2
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：JP2012281817
申请日：2012-12-25
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：陳明偉 , 康建立 , 平田秋彦 , 藤田武志
IPC分类号： H01M4/48 , H01M10/052 , H01G11/22 , C01G45/02
CPC分类号： Y02E60/13

8. 发明专利

JP2017197424A 多孔質体およびその製造方法並びに電極审中-公开
公开(公告)号：JP2017197424A
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：JP2016091928
申请日：2016-04-28
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：伊藤良一 , 陳明偉 , 阿尻雅文 , 北條大介 , 藤田武志 , 相田努
IPC分类号： C01B32/18 , C01B32/182 , C25B11/03 , H01M4/02 , H01M4/66 , H01M4/62 , C25B1/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01G11/36 , H01G11/86 , C25B11/12 , C01B32/15
摘要：【課題】電気的特性および/または触媒特性の良好な多孔質体および電極を提供すること。【解決手段】本発明は、平均サイズが100nm以下であり、かつ最小サイズが60nm未満である細孔22と、前記細孔22を覆うグラフェン層24と、を具備する多孔質体である。また、本発明は、金属酸化物からなるナノ粒子16を熱処理することにより平均サイズが100nm以下のリガメント14を有する多孔質金属10を形成する工程と、前記多孔質金属10の表面にグラフェン層24を形成する工程と、を含む多孔質体の製造方法である。【選択図】図1

9. 发明专利

JP6019533B2 ナノポ−ラス金属コア・セラミックス堆積層型コンポジット及びその製造法並びにスーパーキャパシタ装置及びリチウムイオン電池有权
标题翻译： Nanopo - 拉斯维加斯金属芯陶瓷沉积层复合材料及它们的制备方法以及超级电容器装置和锂离子电池
公开(公告)号：JP6019533B2
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：JP2012549850
申请日：2011-12-21
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：陳明偉 , 郎興友 , 藤田武志
IPC分类号： H01G11/66 , H01M4/13 , H01M4/66 , H01M4/80 , H01M4/48 , H01G11/22
CPC分类号： H01G11/30 , B82Y30/00 , H01G11/46 , H01G11/86 , H01M4/13 , H01M4/131 , H01M4/134 , H01M4/136 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/48 , H01M4/80 , H01M10/0525 , Y02E60/122 , Y02E60/13 , Y02P70/54 , Y02T10/7011 , Y02T10/7022 , Y10T428/249957

10. 发明专利

JP2018037617A 熱デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2018037617A
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：JP2016172073
申请日：2016-09-02
申请人：国立大学法人東京工業大学 , 国立大学法人東北大学
发明人：河野行雄 , 藤田武志 , 陳明偉 , 伊藤良一
IPC分类号： H01L37/00 , H01L51/00 , H01L51/30 , G01J1/02 , H01L35/32 , H01L35/22
摘要：【課題】 THz帯の電磁波に対する感度、または熱を熱起電力に変換する効率の向上の少なくとも1つを達成することができる熱デバイスを提供することを目的とする。【解決手段】 3次元多孔質グラフェンと、3次元多孔質グラフェン上に対向して配置される一組の電極とを備える。【選択図】図1

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