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    • 6. 发明专利
    • 液晶性ブロック共重合体薄膜の製造方法、及びパターン形成方法
    • 生产液晶嵌段共聚物薄膜的方法及其形成方法
    • JP2015113356A
    • 2015-06-22
    • JP2013254279
    • 2013-12-09
    • 国立大学法人東京工業大学株式会社SIJテクノロジ
    • 彌田 智一小村 元憲佐藤 浩行増田 一之村田 和広
    • C08F4/32C08F20/34C08F20/26C08J5/18
    • 【課題】液晶性ブロック共重合体のミクロ相分離構造が一軸水平配向したナノパターンを有する良好な品質の液晶性ブロック共重合体薄膜を安定して製造することのできる液晶性ブロック共重合体薄膜の製造方法を提供すること。 【解決手段】本発明の液晶性ブロック共重合体薄膜の製造方法は、液晶性ブロック鎖(A)及び該液晶性ブロック鎖(A)と非相溶なブロック鎖(B)を有する液晶性ブロック共重合体(I)を含む溶液を、インクジェット法で吐出して基板上にラインを描画する工程と、 前記ラインを描画した基板表面を前記ブロック鎖(A)及び前記ブロック鎖(B)の両方と非相溶な疎水性材料で封止する工程と、前記基板を加熱処理する工程と、前記疎水性材料を除去する工程とを含み、前記ラインの、ライン方向に垂直の断面が、0.03〜0.29(μm −1 )の範囲の曲率を有する形状である。 【選択図】 図3
    • 要解决的问题:为了提供液晶嵌段共聚物的薄膜的制造方法,其能够稳定地制备质量好的液晶嵌段共聚物的薄膜,所述液晶嵌段共聚物具有微相 具有单轴水平取向的纳米图案的分离结构。解决方案:液晶嵌段共聚物薄膜的制造方法包括以下步骤:通过喷墨法将基板上的线排出, 具有与液晶嵌段链(A)不相容的液晶嵌段链(A)和嵌段链(B)的结晶嵌段共聚物(I); 用与阻滞链(A)和嵌段链(B)两者不相容的疏水性材料封装其上拉线的基材表面; 热处理基板; 并除去疏水材料。 线的垂直方向的横截面具有曲率为0.03〜0.29(μm)的形状。