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1. 发明专利

JP6464215B2 半導体ナノ粒子およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6464215B2
公开(公告)日：2019-02-06
申请号：JP2017037487
申请日：2017-02-28
申请人：国立大学法人大阪大学 , 国立大学法人名古屋大学 , 日亜化学工業株式会社
发明人：桑畑進 , 上松太郎 , 輪島知卓 , 鳥本司 , 亀山達矢 , 小谷松大祐 , 仁木健太
IPC分类号： C09K11/64 , C09K11/08 , H01L33/50 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/62

2. 发明专利

JP2018044142A 半導体ナノ粒子およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018044142A
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：JP2017037487
申请日：2017-02-28
申请人：国立大学法人大阪大学 , 国立大学法人名古屋大学 , 日亜化学工業株式会社
发明人：桑畑進 , 上松太郎 , 輪島知卓 , 鳥本司 , 亀山達矢 , 小谷松大祐 , 仁木健太
IPC分类号： H01L33/50 , C09K11/62 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/08
摘要：【課題】低毒性の組成とし得る三元系ないし四元系の量子ドットからバンド端発光が得られる構成を備えた、半導体ナノ粒子及びその製造方法を提供する。【解決手段】コアと、コアの表面を覆いコアよりもバンドギャップエネルギーが大きくかつコアとヘテロ接合するシェルと、を備え、光が照射されると発光する半導体ナノ粒子であって、コアが、M 1 、M 2 、およびZを含む半導体であって、M 1 が、Ag、CuおよびAuからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素であり、M 2 が、Al、Ga、InおよびTlからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素であり、Zが、S、SeおよびTeからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素である半導体からなり、シェルが、第13族元素および第16族元素を含む半導体である半導体ナノ粒子である。【選択図】なし

3. 发明专利

JP2018141141A 半導体ナノ粒子およびその製造方法ならびに発光デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2018141141A
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：JP2018025251
申请日：2018-02-15
申请人：国立大学法人名古屋大学 , 国立大学法人大阪大学 , 日亜化学工業株式会社
发明人：鳥本司 , 亀山達矢 , 岸まり乃 , 宮前千恵 , 桑畑進 , 上松太郎 , 小谷松大祐 , 仁木健太
IPC分类号： H01L33/50 , C09K11/62
摘要：【課題】バンド端発光を示し、短波長の発光ピーク波長を有する半導体ナノ粒子を提供する。【解決手段】Ag、In、GaおよびSを含み、InとGaの原子数の合計に対するGaの原子数の比が0.95以下であり、500nm以上590nm未満の範囲に発光ピーク波長を有し、発光ピークの半値幅が70nm以下である光を発し、平均粒径が10nm以下である半導体ナノ粒子である。【選択図】なし

4. 发明专利

JP2020198345A 発光装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020198345A
公开(公告)日：2020-12-10
申请号：JP2019102708
申请日：2019-05-31
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：山内繁晴 , 仁木健太
IPC分类号： H01L33/50
摘要：【課題】調色可能な発光装置の歩留まりを向上可能な発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】凹部を備えるパッケージ10と、前記凹部内に配置される第1光源であって、第1発光素子111と第1波長変換部材112とを含む第1光源と、前記凹部内に配置される第2光源12と、前記第1光源及び前記第2光源と接するように覆う第2波長変換部材13と、を備え、前記第1光源と前記第2光源を個別に発光可能な発光装置を準備する工程と、前記第1光源及び前記第2光源を同時に発光させ、前記第1光源からの光と、第2光源からの光と、前記第2波長変換部材からの光とを混合させた混合光を発光させる発光工程と、前記混合光の色度を判定し、該判定結果に基づいて前記発光装置を選別する混合光選別工程を含む、発光装置の製造方法。【選択図】図1A

5. 发明专利

JP2016195154A 発光装置の製造方法审中-公开
标题翻译：制造光发射装置的方法
公开(公告)号：JP2016195154A
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：JP2015073741
申请日：2015-03-31
申请人：日亜化学工業株式会社
发明人：仁木健太
IPC分类号： H01L33/48
摘要：【課題】複数の発光素子を基板に配置し、別の基板へ一括に接合させる際、基板どうしの線膨張係数が異なる場合でも、発光素子を基板の所望の位置へ接合可能な発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】製造方法は、複数の発光素子2を接合するための複数の接合領域1を有する第1の基板10と、接合領域1に対応する位置に発光素子2が配置され、第1の基板10と線膨張係数の異なる第2の基板20とを準備する第1の工程、凸状曲面の第1の挟持面と、第1の挟持面と曲率が異なる凹状曲面の第2の挟持面とを有する金型を準備する第2の工程、曲率が大きい方の挟持面上に線膨張係数が大きい方の基板を配置し、曲率が小さい方の挟持面上に線膨張係数が小さい方の基板を配置する第3の工程、第1の挟持面と第2の挟持面で挟持して、第1の基板10と発光素子2とを当接させる第4の工程、加熱により第1の基板10と発光素子2とを接合する第5の工程を有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造发光器件的方法，即使在多个发光元件布置在衬底上的情况下，即使衬底具有不同的线膨胀系数，使得发光元件能够接合到衬底的期望位置并且共同地接合到另一基板。解决方案：一种制造方法包括制备具有多个用于接合多个发光元件2的多个接合区域1的第一基板10的第一步骤和具有不同线膨胀系数的第二基板20 从第一基板10将发光元件2配置在与接合区域1对应的位置，准备具有凸曲面的第一保持面和凹曲面的第二保持面的模具的第二工序，具有不同于第一保持表面的曲率，第三步骤设置衬底h 在具有较大曲率的保持表面上产生较大的线性膨胀系数，并且将具有较小线性膨胀系数的基板设置在具有较小曲率的保持表面上;第四步骤，用于夹持并使第一基板10和发光元件 2通过第一保持表面和第二保持表面彼此接触，以及通过加热来接合第一基板10和发光元件2的第五步骤。图1

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