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1. 发明专利

JP2016037447A 多結晶シリコンインゴッドの製造方法有权
标题翻译：生产多晶硅硅酸盐的方法
公开(公告)号：JP2016037447A
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：JP2015155754
申请日：2015-08-06
申请人：友達晶材股▲ふん▼有限公司 , AUO Crystal Corporation
发明人：ホークオチェン , ツァイヤールー , ツォンチエンチア , ヤンチアイン
IPC分类号： C01B33/02
CPC分类号： H01L31/182 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/006 , C30B29/06 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要：【課題】酸素混入が減少される多結晶シリコンインゴッドの製造方法を提供する。【解決手段】るつぼの内部空間にシリコン原料を投入し、且つるつぼを所定の温度域に置いて加熱してシリコン融液にするシリコン原料溶融工程と、るつぼの周壁における底壁に近い側の一部と底壁とに接する部分であるシリコン融液の下側界面部分の温度が、シリコン融液の他の部分の温度よりも低くなるように温度域を制御して、シリコン融液の下側界面部分のみを固化させて、未固化のシリコン融液の底部近くを取り囲む固化シリコン隔離層を形成する固化シリコン隔離層形成工程と、未固化のシリコン融液が底部側から上側に向けて徐々に固化するように温度域を制御して、固化シリコン隔離層を含む多結晶シリコンインゴッドを形成する多結晶シリコンインゴッド形成工程と、を含むことを特徴とする多結晶シリコンインゴッドの製造方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够减少氧污染的多晶硅锭生产方法。解决方案：多晶硅锭生产方法包括：硅原料熔融步骤，将硅原料添加到坩埚的内部空间中，坩埚在预定的温度区域中并加热以产生硅熔融液体; 固化硅剥离层形成步骤，其控制温度区域，使得作为与坩埚的底壁接触的部分的硅熔融液体的下边界面部分的温度和坩埚的周壁的一部分在靠近底壁的一侧，低于硅熔融液体的其它部分的温度，以仅固化硅熔融液体的下边界面部分，以形成围绕着底部附近的固化硅释放层未固化硅熔融液; 以及多晶硅锭形成步骤，其控制所述温度区域，使得所述未固化的硅熔融液体从底侧向上逐渐固化，以形成包括所述固化的硅剥离层的多晶硅锭。选择的图：图1

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