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1. 发明专利

JP2017117639A 硫化物固体電解質、硫化物ガラス、電極合材及びリチウムイオン電池审中-公开
公开(公告)号：JP2017117639A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2015251635
申请日：2015-12-24
申请人：出光興産株式会社 , Idemitsu Kosan Co Ltd
发明人： TERAI KOTA , UMEKI TAKASHI
IPC分类号： H01M10/0562 , C03C3/32 , C03C10/02 , H01B1/06 , H01B1/10 , H01B13/00 , H01M4/13 , H01M4/62 , H01M10/052
摘要：【課題】安定性に優れイオン伝導性も高い硫化物固体電解質を提供する。【解決手段】リチウム元素、硫黄元素及び燐元素を含み、粉末X線回折(CuKα:λ=1.5418Å)において、少なくとも2θ=16.7±0.5deg及び33.7±0.5degに回折ピークを有し、Si、Ge及びSnから選択される元素Mを含む場合は、元素Mと燐元素Pの元素比(M/P)が0.25以下である硫化物固体電解質。【選択図】なし

2. 发明专利

JP2013232633A Organic semiconductor solution and organic semiconductor ink for printing using the same 审中-公开
标题翻译：有机半导体溶液和有机半导体墨水印刷
公开(公告)号：JP2013232633A
公开(公告)日：2013-11-14
申请号：JP2013075710
申请日：2013-04-01
申请人： Idemitsu Kosan Co Ltd , 出光興産株式会社
发明人： KONDO HIROSHI , TERAI KOTA , KURIHARA NAOKI
IPC分类号： H01L51/40 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/05
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solution which is excellent in wettability to a substrate, forms a uniform organic semiconductor film, and provides high element performance.SOLUTION: The solution contains: an organic semiconductor material; a solvent (A) having a surface tension of 20-30 mN/m in a stationary state and having a vapor pressure in a range of 2-13 kPa at 20°C; and a solvent (B) having a surface tension of 28-40 mN/m in a stationary state and having a vapor pressure of less than 2kPa at 20°C.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供对基材的润湿性优异的溶液，形成均匀的有机半导体膜，并提供高元素性能。溶液：溶液包含：有机半导体材料; 在静止状态下具有20-30mN / m的表面张力并且在20℃下蒸气压在2-13kPa范围内的溶剂（A）; 和在静止状态下具有28-40mN / m的表面张力并且在20℃下蒸气压小于2kPa的溶剂（B）。

3. 发明专利

JP2012188351A Oxide sintered body and sputtering target 有权
标题翻译：氧化物烧结体和溅射目标
公开(公告)号：JP2012188351A
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：JP2012144097
申请日：2012-06-27
申请人： Idemitsu Kosan Co Ltd , 出光興産株式会社
发明人： UTSUNO FUTOSHI , INOUE KAZUYOSHI , KAWASHIMA HIROKAZU , KASAMI MASASHI , YANO KIMINORI , TERAI KOTA
IPC分类号： C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/203
CPC分类号： H01L29/242 , C04B35/01 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3286 , C04B2235/3409 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/449 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/761 , C04B2235/77 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02565 , H01L29/7869
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a non-silicon series semiconductor thin film usable for a thin film transistor, and to provide a sputtering target for forming the non-silicon series semiconductor thin film.SOLUTION: An oxide sintered body is characterized in that gallium is solid-solved in indium oxide, the atomic ratio of Ga/(Ga+In) is 0.05-0.08, the content ratio of indium and gallium to the total metal atoms is ≥80 atom%, and the oxide sintered body has an InObixbyite structure.
摘要翻译：要解决的问题：提供可用于薄膜晶体管的非硅系列半导体薄膜，并提供用于形成非硅系半导体薄膜的溅射靶。解决方案：氧化物烧结体的特征在于，将其固溶于氧化铟中，Ga /（Ga + In）的原子比为0.05-0.08，铟和镓与总金属原子的含量比 ≥80原子％，并且氧化物烧结体具有双晶结构的In 2 O 3 。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2012067051A Compound for organic thin film transistor and organic thin film transistor using the same 审中-公开
标题翻译：有机薄膜晶体管及其有机薄膜晶体管的化合物
公开(公告)号：JP2012067051A
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：JP2010215346
申请日：2010-09-27
申请人： Idemitsu Kosan Co Ltd , 出光興産株式会社
发明人： IKEDA YOICHI , SAITO MASATOSHI , KONDO HIROSHI , TERAI KOTA
IPC分类号： C07C15/20 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a compound for an organic thin film transistor, having oxidation stability and solubility applicable to a coating process.SOLUTION: The compound for an organic thin film transistor is represented by formula (1) (wherein R-Rare each a hydrogen atom, a halogen atom, 1C-30C alkyl, 2C-30C alkenyl, 2C-30C alkynyl, 1C-30C haloalkyl, 1C-30C alkoxy, 1C-30C haloalkoxy, 1C-30C thioalkyl, 1C-30C haloalkylthio, 1C-30C alkylamino, 2C-60C dialkylamino (alkyls may be mutually bound to form a nitrogen-containing ring structure), ring-forming 6C-30C arylamino, 1C-30C alkylsulfonyl, 1C-30C haloalkylsulfonyl, a ring-forming 6C-60C aromatic hydrocarbon group, a ring-forming 5C-60C aromatic heterocyclic group, 3C-20C alkylsilyl, 5C-60C alkylsilylethynyl or cyano and these groups each may contain a substituent, with proviso that a case in which all of R-Rare hydrogen atoms is omitted).
摘要翻译：要解决的问题：提供一种有机薄膜晶体管的化合物，其具有适用于涂覆工艺的氧化稳定性和溶解度。解决方案：用于有机薄膜晶体管的化合物由式（1）表示（其中R 1 -R 12 各自为氢原子，卤素原子，1C-30C烷基，2C-30C烯基，2C-30C炔基，1C-30C卤代烷基，1C-30C烷氧基，1C-30C卤代烷氧基，1C-30C硫代烷基，1C-30C卤代烷硫基，1C-30C烷基氨基，2C-60C二烷基氨基（烷基可以相互结合形成含氮环结构），形成环的6C-30C芳基氨基，1C-30C烷基磺酰基，1C-30C卤代烷基磺酰基， 60C芳族烃基，成环5C-60C芳族杂环基，3C-20C烷基甲硅烷基，5C-60C烷基甲硅烷基乙炔基或氰基，这些基团各自可以含有取代基，条件是所有的R 1 -R 12 是省略氢原子。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2017117635A 硫化物固体電解質、硫化物ガラス、電極合材及びリチウムイオン電池审中-公开
公开(公告)号：JP2017117635A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2015251591
申请日：2015-12-24
申请人：出光興産株式会社 , Idemitsu Kosan Co Ltd
发明人： TERAI KOTA , UMEKI TAKASHI
IPC分类号： H01B1/06 , C01B25/14 , C03C3/32 , C03C10/02 , H01B1/10 , H01M4/13 , H01M4/62 , H01M10/052 , H01M10/0562
摘要：【課題】結晶化のための加熱処理温度を低くできる硫化物ガラス、及び、製造が容易で、イオン伝導度が1×10−5S/cm以上の硫化物固体電解質を提供する。【解決手段】リチウム元素、硫黄元素及び燐元素を含み、粉末X線回折(CuKα:λ=1.5418Å)において、少なくとも、2θ=19.9±0.3deg及び26.8±0.3degに回折ピークを有し、Si、Ge及びSnから選択される元素Mを含む場合は、元素Mと燐元素Pの元素比(M/P)が0.25以下である硫化物固体電解質。【選択図】なし

6. 发明专利

JP2014139143A Dithienophenanthrene compound, organic thin film transistor composition containing the compound, and organic thin film transistor 审中-公开
标题翻译：二硝基萘化合物，含有化合物的有机薄膜晶体管组合物和有机薄膜晶体管
公开(公告)号：JP2014139143A
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：JP2013008130
申请日：2013-01-21
申请人： Idemitsu Kosan Co Ltd , 出光興産株式会社
发明人： IKEDA HIDEJI , TERAI KOTA , HACHIYA SATOSHI
IPC分类号： C07D495/04 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dithienophenanthrene compound allowing production of an organic thin film transistor which can operate with high mobility, and an organic thin film transistor composition containing the dithienophenanthrene compound.SOLUTION: The dithienophenanthrene compound is represented by the specified general formula (A).
摘要翻译：要解决的问题：提供一种二噻吩并菲化合物，其可以制备能够以高迁移率操作的有机薄膜晶体管，以及含有二噻吩菲化合物的有机薄膜晶体管组合物。溶液：二噻吩并菲化合物由指定的通式一个）。

7. 发明专利

JP2014019671A Aromatic heterocyclic compound and organic thin film transistor comprising the same 审中-公开
标题翻译：芳香杂环化合物和包含其的有机薄膜晶体管
公开(公告)号：JP2014019671A
公开(公告)日：2014-02-03
申请号：JP2012161021
申请日：2012-07-19
申请人： Idemitsu Kosan Co Ltd , 出光興産株式会社
发明人： IKEDA HIDEJI , TERAI KOTA , HACHIYA SATOSHI
IPC分类号： C07D471/04 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a compound from which an organic thin film transistor having high mobility and operating at a low voltage can be manufactured in an application method, and the organic thin film transistor comprising the compound.SOLUTION: The present invention comprises an aromatic heterocyclic compound represented by the following formula (A) and an organic thin film transistor in which an organic semiconductor layer comprises the compound, provided that, in the formula (A), Rto Rmay be the same or different and are each hydrogen, halogen, alkyl having 1 to 30 carbons, cycloalkyl having 3 to 30 carbons and others and that Rand Rmay be connected to each other to form an aromatic ring.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种化合物，其中可以通过施加方法制造具有高迁移率和低电压操作的有机薄膜晶体管的化合物和包含该化合物的有机薄膜晶体管。解决方案：本发明包括式（A）表示的芳香族杂环化合物和其中有机半导体层包含该化合物的有机薄膜晶体管，条件是在式（A）中，RtoRmay可以相同或不同，各自为氢，卤素，具有1至30个碳的烷基，具有3至30个碳的环烷基等，并且Rand Rmay彼此连接以形成芳香环。

8. 发明专利

JP2014098211A Oxide sintered body, and sputtering target 有权
标题翻译：氧化物烧结体和喷射目标
公开(公告)号：JP2014098211A
公开(公告)日：2014-05-29
申请号：JP2013265227
申请日：2013-12-24
申请人： Idemitsu Kosan Co Ltd , 出光興産株式会社
发明人： UTSUNO FUTOSHI , INOUE KAZUYOSHI , KAWASHIMA HIROKAZU , KASAMI MASASHI , YANO KIMINORI , TERAI KOTA
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/00 , H01L21/363
CPC分类号： H01L29/242 , C04B35/01 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3286 , C04B2235/3409 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/449 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/761 , C04B2235/77 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02565 , H01L29/7869
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nonsilicon semiconductor thin film to be used in a thin film transistor and a sputtering target to form the same, and to provide a thin film transistor having a new nonsilicon semiconductor thin film.SOLUTION: An oxide sintered body for a sputtering target is characterized by having gallium solid-dissolved in indium oxide, an atomic ratio Ga/(Ga+In) of 0.001-0.12, a percentage content of Indium and Gallium relative to total metal atoms of 80 atom% or higher, a bixbyite structure of InO, a density of 6.5-7.1 g/cm, and a bulk resistance of 10 mΩcm or lower, and being added with one or two or more oxides selected from yttrium oxide, scandium oxide, aluminum oxide, and boron oxide, wherein the aluminum oxide of 0.01 atom% or more in terms of a metal atom is added when the aluminum oxide is added.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于薄膜晶体管的非硅半导体薄膜和用于形成薄膜晶体管的溅射靶，并提供具有新的非硅半导体薄膜的薄膜晶体管。解决方案：氧化物烧结体溅射靶的特征在于将固溶于铟氧化物中的镓，Ga /（Ga + In）的原子比为0.001-0.12，相对于总金属原子的铟和镓的百分含量为80原子％以上， InO的双螺旋结构，密度为6.5-7.1g / cm 2，体积电阻为10mΩ/ cm 2以上，并添加一种或两种以上选自氧化钇，氧化钪，氧化铝和氧化钇的氧化物，氧化硼，其中当加入氧化铝时，加入0.01原子％以上的以金属原子换算的氧化铝。

9. 发明专利

JP2011181722A Sputtering target 审中-公开
标题翻译：飞溅目标
公开(公告)号：JP2011181722A
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：JP2010045046
申请日：2010-03-02
申请人： Idemitsu Kosan Co Ltd , 出光興産株式会社
发明人： EBATA KAZUAKI , YANO KIMINORI , TERAI KOTA
IPC分类号： H01L21/363 , C23C14/34
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sputtering target capable of suppressing a nodule generated when performing sputtering film formation using a target added with a minute amount of Cu, and stably obtaining an oxide semiconductor film with high repeatability. SOLUTION: The sputtering target is formed of a metal oxide sintered body which contains an In element and a Cu element and may further contains a Zn element. In the sputtering target, an atom ratio Cu/all metal elements of a Cu element to all metal elements in the metal oxide sintered body is 0.001-0.09. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

10. 发明专利

JP2009179515A In4Sn3O12 POLYCRYSTALLINE POWDER, SINTERED COMPACT THEREOF, AND METHOD FOR PRODUCING THOSE 审中-公开
标题翻译： In4Sn3O12多晶硅粉末及其制造方法
公开(公告)号：JP2009179515A
公开(公告)日：2009-08-13
申请号：JP2008019652
申请日：2008-01-30
申请人： Idemitsu Kosan Co Ltd , 出光興産株式会社
发明人： INOUE KAZUYOSHI , UTSUNO FUTOSHI , TERAI KOTA , SHIBATA MASATOSHI
IPC分类号： C01G19/00 , C04B35/457 , C23C14/34
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide In 4 Sn 3 O 12 polycrystalline powder having excellent conductivity and an In 4 Sn 3 O 12 sintered compact suppressing production of a nodule. SOLUTION: The In 4 Sn 3 O 12 polycrystalline powder composed mainly of In 4 Sn 3 O 12 crystals is produced by coprecipitating an indium oxide precursor and a tin oxide precursor to form a coprecipitate having a molar ratio between indium element and tin element (Sn/(In+Sn)) of 0.34-0.5, and heat-treating the coprecipitate at 1,400-1,550°C under atmospheric pressure, wherein the In 4 Sn 3 O 12 crystals include oxygen-deficient In 4 Sn 3 O 12 crystals. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供具有优异导电性和In 4 的Sn 4 12 多晶粉末， / SB> Sn 3 12 烧结体抑制结节的生产。
解决方案：主要由In 4 Sn 4 Sn 3 12 通过共沉淀氧化铟前体和氧化锡前体来形成具有铟元素和锡元素之间的摩尔比的共沉淀物（Sn /（In + Sn）））为0.34-0.5，在1400〜15550℃，大气压下对共沉淀物进行热处理，其中Sn 3 SB>晶体包括缺氧条件的Sn <3> S 12 晶体。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

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