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    • 3. 发明专利
    • 有機薄膜トランジスタの製造方法および有機薄膜トランジスタ
    • 有机薄膜晶体管制造方法和有机薄膜晶体管
    • JP2015170652A
    • 2015-09-28
    • JP2014042934
    • 2014-03-05
    • 出光興産株式会社
    • 近藤 浩史松浦 正英
    • H01L29/786H01L51/05H01L51/30H01L21/336
    • 【課題】低分子系の有機半導体材料を用い、ソース電極およびドレイン電極の間隙上に形成される有機半導体層の高分子材料の添加比率を安定化させるとともに、低粘度印刷プロセスへの適応が可能な、有機薄膜トランジスタの製造方法および有機薄膜トランジスタを提供すること。 【解決手段】基板10と、ゲート電極15と、ソース電極11と、ドレイン電極12と、絶縁体層14と、有機半導体層13と、を有する有機薄膜トランジスタ1の製造方法において、前記ソース電極11および前記ドレイン電極12との間となる領域に、有機半導体材料含有組成物3に可溶な有機高分子層16を形成する有機高分子層形成工程と、前記有機高分子層16上に前記有機半導体材料含有組成物3を塗布して、前記ソース電極11と前記ドレイン電極12との間に前記有機半導体層13を形成する有機半導体層形成工程とを備えたことを特徴とする。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种有机薄膜晶体管制造方法和有机薄膜晶体管,其可以通过使用在源电极和漏电极之间的间隙上将聚合物材料的添加速率稳定到形成在有机半导体层上的有机半导体层 低分子有机半导体材料,并且可以应用于低粘度印刷方法。解决方案:具有基板10,栅极电极15,源极电极11,漏极电极12的有机薄膜晶体管1的制造方法, 绝缘体层14和有机半导体层13包括:有机聚合物层形成工艺,其在作为源极电极11和漏极之间的间隙的区域中形成可溶于含有机半导体材料的组合物3的有机聚合物层16 电极12; 以及利用含有机半导体材料的组合物3涂布有机聚合物层16以在源电极11和漏电极12之间形成有机半导体层13的有机半导体层形成工艺。