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1. 发明专利

JP6084888B2 欠陥検査装置及び欠陥検査方法有权
公开(公告)号：JP6084888B2
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：JP2013086422
申请日：2013-04-17
申请人：株式会社アドバンテスト , 凸版印刷株式会社
发明人：村川勉 , 米倉勲
IPC分类号： G01N23/225
CPC分类号： H01J37/256 , G01N23/2251 , G03F1/86 , H01J2237/2446 , H01J2237/24578 , H01J2237/24592

2. 发明专利

JP2016048297A パターン形状評価方法及びパターン形状評価装置审中-公开
标题翻译：图案形状评估方法和图案形状评估装置
公开(公告)号：JP2016048297A
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：JP2014172875
申请日：2014-08-27
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：森▲崎▼ 真也 , 米倉勲
IPC分类号： H01L21/027 , H01J37/22 , G01B15/04 , G03F1/86
摘要：【課題】位相欠陥内部の正確な形状を、時間をかけずに分析・評価することができるパターン形状評価方法及び装置を提供する。【解決手段】走査電子顕微鏡を用いたフォトマスクの欠陥部を含むパターン形状評価方法であって、走査電子顕微鏡の複数の分割検出器から、パターンの複数のSEM画像を取得する工程と、複数のSEM画像の差分処理をして差分プロファイルを取得する工程と、差分プロファイルに積分処理を行いパターンの積分プロファイルを取得する工程とを走査電子顕微鏡の加速電圧を変化させ、複数の加速電圧条件で繰り返し、取得された複数の積分プロファイルを合成する工程とを具備する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于图案形状评估的方法和装置，其能够分析和评估相位缺陷内的精确形状，而不花费太多时间。解决方案：提供一种图案形状评估方法，包括：使用扫描电子显微镜的光掩模。评估方法包括以下步骤：从扫描电子显微镜的多个分割检测器获得图案的多个SEM图像; 以及通过在多个加速电压条件下通过改变扫描电子显微镜的加速电压来重复获得多个积分分布，通过执行多个SEM图像的差分处理获得差分分布的步骤，以及步骤通过对差分轮廓进行整合处理，获得图案的整体轮廓。选择图：图1

3. 发明专利

JP5817383B2 パターン測定方法有权
标题翻译：图案的测量方法
公开(公告)号：JP5817383B2
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：JP2011207362
申请日：2011-09-22
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：波木井秀充 , 米倉勲
IPC分类号： G03F1/84 , G01B15/00 , G06T7/60 , G01B15/04

4. 发明专利

JP6295574B2 EUVマスクの欠陥評価方法及びEUVマスクの製造方法有权
公开(公告)号：JP6295574B2
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：JP2013204457
申请日：2013-09-30
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：米倉勲
IPC分类号： G03F1/84 , G03F1/24

5. 发明专利

JP6088337B2 パターン検査方法及びパターン検査装置有权
标题翻译：图案检查方法和图案检查装置
公开(公告)号：JP6088337B2
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：JP2013086421
申请日：2013-04-17
申请人：株式会社アドバンテスト , 凸版印刷株式会社
发明人：村川勉 , 米倉勲 , 森崎真也
IPC分类号： G01B15/08 , G01N23/225 , H01L21/66 , G01B15/04
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/265 , H01J2237/221 , H01J2237/24465 , H01J2237/24495 , H01J2237/24578 , H01J2237/24592

6. 发明专利

JP2016021008A マルチパターニング用マスクのパターン評価方法およびパターン評価装置审中-公开
标题翻译：模式评估方法和模式评估装置
公开(公告)号：JP2016021008A
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：JP2014145153
申请日：2014-07-15
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：米倉勲
IPC分类号： G03F1/84
摘要：【課題】マルチパターニング用の複数のマスクの位置ずれを、パターンの三次元形状の違いによるウェハ転写への影響も考慮して、評価する方法を提供する。【解決手段】指定されたホットスポット領域に対応する全てのマルチパターニング用マスクのSEM画像を取得するとともに、パターン側壁角度を計測し、全てのマルチパーニング用マスクのSEM画像を合成した後、パターン間の距離と重心位置を算出して設計データと比較し、位置ずれが許容値以上だった場合にはパターンの修正又はマスクの再作製を行う。また、位置ずれが許容値より小さい場合でも、パターン側壁角度のマスク間の差が許容値以上だった場合には、マスクパターンの露光シミュレーションを実施して、露光後のパターンにて位置ずれを調査し、位置ずれ量が許容値以上の場合には、パターンの修正又はマスクの再作製を行う。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于评估用于多图案化的多个掩模的位置偏移的方法，同时考虑由于图案的三维形状的差异对晶片传送的影响。解决方案：用于多图案化的所有掩模的SEM图像对应到达指定的热点区域，测量图案侧壁角度，并且合成用于多图案化的所有掩模的SEM图像。然后，计算图案之间的距离和图案之间的重心，并将它们与各图案的设计数据进行比较，并且当位置偏差等于或高于容许值时，对图案进行校正，或再次产生掩模。此外，即使当位置偏差低于容许值时，当图案侧壁角度的掩模之间的差异等于或高于容许值时，执行掩模图案的曝光模拟，在图案上检查位置偏差曝光，并且当位置偏差量等于或高于容许值时，图案被校正，或再次产生掩模。图1：图1

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