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1. 发明专利

JP6767784B2 連続熱処理炉有权
公开(公告)号：JP6767784B2
公开(公告)日：2020-10-14
申请号：JP2016118033
申请日：2016-06-14
申请人：光洋サーモシステム株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：辻田博己 , 鈴木隆博 , 神谷博輝 , 古川清司
IPC分类号： F27B9/30 , F27B9/04 , F27D7/06 , C23C8/22

2. 发明专利

JP6951500B2 連続熱処理炉有权
公开(公告)号：JP6951500B2
公开(公告)日：2021-10-20
申请号：JP2020074623
申请日：2020-04-20
申请人：光洋サーモシステム株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：辻田博己 , 鈴木隆博 , 神谷博輝 , 古川清司
IPC分类号： F27B9/30 , F27D7/06 , C23C8/22

3. 发明专利

JP2020112350A 連続熱処理炉审中-公开
公开(公告)号：JP2020112350A
公开(公告)日：2020-07-27
申请号：JP2020074623
申请日：2020-04-20
申请人：光洋サーモシステム株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：辻田博己 , 鈴木隆博 , 神谷博輝 , 古川清司
IPC分类号： F27D7/06 , F27B9/30
摘要：【課題】断熱壁の構造を複雑化することなくマッフルの熱変形に伴う配管部材の移動を許容することができる連続熱処理炉を提供する。【解決手段】連続熱処理炉10は、被処理物Wの熱処理空間が内部に形成されかつ外部から加熱される筒形状のマッフル11と、マッフル11に接続された配管部材14と、配管部材14を通過させかつマッフル11の熱変形に伴う配管部材14の移動を許容する大きさの開口20が形成された、マッフルの外側を囲う断熱壁15と、断熱材製の蓋体16と、を備え、開口20は、断熱壁15の外表面に蓋体16の内面側が接触している状態で蓋体16により塞がれ、蓋体16は、開口20を塞いでいる状態で、配管部材14の移動に追従して移動する。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2017222896A 連続熱処理炉审中-公开
公开(公告)号：JP2017222896A
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：JP2016118033
申请日：2016-06-14
申请人：光洋サーモシステム株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：辻田博己 , 鈴木隆博 , 神谷博輝 , 古川清司
IPC分类号： F27B9/30 , F27B9/04 , F27D7/06 , C23C8/22
摘要：【課題】断熱壁の構造を複雑化することなくマッフルの熱変形に伴う配管部材の移動を許容することができる連続熱処理炉を提供する。【解決手段】連続熱処理炉10は、被処理物Wの熱処理空間が内部に形成されかつ外部から加熱される筒形状のマッフル11と、マッフル11に接続された配管部材14と、配管部材14を通過させかつマッフル11の熱変形に伴う配管部材14の移動を許容する大きさの開口20が形成された、マッフルの外側を囲う断熱壁15と、断熱壁15の表面に接触した状態で開口20を塞ぎかつ配管部材14の移動に追従して移動する断熱材製の蓋体16と、を備えている。【選択図】図1

5. 发明专利

JP6642386B2 リフロー装置およびそれを用いた基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6642386B2
公开(公告)日：2020-02-05
申请号：JP2016225140
申请日：2016-11-18
申请人：株式会社デンソー
发明人：山本政靖 , 古本敦司 , 神野正人 , 池田央裕 , 神谷博輝
IPC分类号： B23K1/008 , B23K3/04 , B23K1/00 , B23K101/42 , H05K3/34

6. 发明专利

JP2020007616A 熱処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020007616A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：JP2018130629
申请日：2018-07-10
申请人：株式会社デンソー
发明人：北拓也 , 鈴木芳則 , 神谷博輝
IPC分类号： C23C8/26 , C21D1/06 , C21D1/18 , C21D1/74 , F27B9/04 , F27B9/40 , F27D11/06 , F27B9/06 , C23C8/22
摘要：【課題】ワークの転倒を防止しながらワークを加熱可能な熱処理装置を提供する。【解決手段】熱処理装置1の誘導コイル20は、加熱炉10の周方向に沿って巻回されており、加熱炉10の内側に設けられるワーク2を経由する磁界を生成し、ワーク2を加熱可能である。第1支持部31および第2支持部は、加熱炉10の内側に設けられており、ワーク2を支持可能である。第1シャフト51および第2シャフトは、棒状に形成されており、軸周りに回転可能であり、ワーク2に接触可能である。駆動部60は、第1シャフト51および第2シャフトの回転を制御可能である。コイル制御部80は、第1シャフト51および第2シャフトがワーク2と接触している状態から第1シャフト51および第2シャフトがワーク2と非接触状態になったとき、コイル電流Icが低下するように、コイル電流Icを制御する。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2018082119A リフロー装置およびそれを用いた基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018082119A
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：JP2016225140
申请日：2016-11-18
申请人：株式会社デンソー
发明人：山本政靖 , 古本敦司 , 神野正人 , 池田央裕 , 神谷博輝
IPC分类号： B23K1/008 , B23K3/04 , B23K1/00 , B23K101/42 , H05K3/34
CPC分类号： B23K1/00 , B23K1/008 , B23K3/04 , H05K3/34
摘要：【課題】基板上のはんだを均一化し、簡易なリフロー装置およびそれを用いた基板の製造方法を提供する。【解決手段】リフロー装置1は、第1部品91および第1部品91の熱容量よりも熱容量が大きい第2部品92を有する基板90をリフローはんだ付けする。リフロー装置1は、第1−第6加熱部11−16、ブース40および制御部80を備える。制御部80は、低熱容量温度T1および高熱容量温度T2を昇温し、その後、低熱容量温度T1が低下するように、かつ、高熱容量温度T2が上昇する過程を、少なくとも2回以上行う。これにより、低熱容量温度T1がはんだの融点Tp以上に一定に維持され、高熱容量温度T2がはんだの融点Tpに上昇できる。低熱容量温度T1と高熱容量温度T2との差が小さくなりやすく、基板90上の温度が均一化される。また、リフロー装置1の制御を設定するのみであり、リフロー装置1が簡易な構成になる。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2015160990A ガス浸透熱処理装置审中-公开
标题翻译：气体渗透热处理装置
公开(公告)号：JP2015160990A
公开(公告)日：2015-09-07
申请号：JP2014036871
申请日：2014-02-27
申请人：株式会社デンソー
发明人：柳沢好伸 , 北拓也 , 神谷博輝 , 鈴木芳則
IPC分类号： C21D1/06 , C21D1/18 , C21D1/74 , F27B9/16 , C23C8/22
摘要：【課題】ガス浸透熱処理がされた製品の品質を向上すると共に、ガス浸透熱処理にかかるコスト及び設備コストを低減することが可能なガス浸透熱処理装置を提供する。【解決手段】ガス浸透熱処理装置としてのガス浸炭装置1は、加熱炉10の周方向に巻き回された誘導コイル20によりワーク2を加熱する。浸炭性ガスが供給される加熱空間18でワーク2は、その中心軸2と誘導コイル20の中心軸01とが略平行になるように2本のシャフト31に載せられ、回転機構33により周方向に回転する。これにより、誘導コイル20が生じる磁界がワーク2に均一に作用するので、ワーク2の各部分の加熱のばらつきが低減され、ワーク2は短時間で均一に加熱される。また、ワーク2が周方向に回転するので、浸炭性ガスがワーク表面に均一にあたり、その浸炭性ガスに含まれる炭素成分がワーク表面に均一に浸透する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种气体渗透热处理装置，其能够提高经受气体渗透热处理的产品的质量，并降低气体渗透热处理和设备成本的成本。解决方案：气体渗碳装置作为气体渗透热处理装置的加热装置1，利用在加热炉10的圆周方向上缠绕的感应线圈20加热工件2.在供给有渗碳气体的加热空间18中，将工件2放置在两个轴31上，其中心轴2基本上与感应线圈20的中心轴线01平行，并且通过旋转机构33沿圆周方向旋转。因此，由感应线圈20产生的磁场均匀地作用在工件2上，因此工件2的各部分之间的加热变化减小，工件2在短时间内均匀地加热。此外，工件沿圆周方向旋转，因此渗碳气体均匀地供给工作表面，并且包含在渗碳气体中的碳成分均匀地渗入工作表面。

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