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1. 发明专利

JP6539128B2 半導体デバイス用基板、半導体デバイス、並びに半導体デバイスの製造方法有权
公开(公告)号：JP6539128B2
公开(公告)日：2019-07-03
申请号：JP2015129625
申请日：2015-06-29
申请人：サンケン電気株式会社 , 信越半導体株式会社
发明人：佐藤憲 , 鹿内洋志 , 後藤博一 , 篠宮勝 , 土屋慶太郎 , 萩本和徳
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/207 , H01L21/205 , H01L21/338

3. 发明专利

JP6130995B2 エピタキシャル基板及び半導体装置有权
公开(公告)号：JP6130995B2
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：JP2012033655
申请日：2012-02-20
申请人：サンケン電気株式会社 , 信越半導体株式会社
发明人：鹿内洋志 , 後藤博一 , 佐藤憲 , 篠宮勝 , 土屋慶太郎 , 萩本和徳
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/812 , H01L29/778 , C23C16/34 , H01L33/32 , C30B29/38 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/3228 , C30B25/183 , C30B25/186 , C30B29/403 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02587 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/34 , H01L29/7786

4. 发明专利

JP2016100508A エピタキシャルウェーハ、半導体素子、エピタキシャルウェーハの製造方法、並びに、半導体素子の製造方法有权
标题翻译：外延波形，半导体元件，制造外延波形的方法以及制造半导体元件的方法
公开(公告)号：JP2016100508A
公开(公告)日：2016-05-30
申请号：JP2014237683
申请日：2014-11-25
申请人：サンケン電気株式会社 , 信越半導体株式会社
发明人：佐藤憲 , 鹿内洋志 , 後藤博一 , 篠宮勝 , 土屋慶太郎 , 萩本和徳
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/205 , C30B29/38 , H01L21/20
CPC分类号： C30B29/38 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812
摘要：【課題】ウェーハの反りを低減させるとともに、内部クラックの発生を抑制するエピタキシャルウェーハを提供する。【解決手段】シリコン系基板2と、基板上に配置され、AlxGa1−xN層とAlyGa1−yN層(x>y)とが交互に配置された第1の多層構造バッファ領域と、AlyGa1−yN層よりも厚いAlzGa1−zN層(x>z)からなる第1の挿入層とを有する。第1の多層構造バッファ領域と、第1の挿入層とが交互に配置された第1のバッファ層と、第1のバッファ層の上に配置され、前記第1のバッファ層と同一の構造を有する第2のバッファ層と、第2のバッファ層の上に配置され、第2の挿入層よりも厚いチャネル層とを有する。第2のバッファ層の平均Al組成が第1のバッファ層の平均Al組成よりも高い。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够减少晶片翘曲并抑制内部裂纹发生的外延晶片。解决方案：外延晶片包括：硅基基板2; 第一缓冲层，其具有设置在所述基板上并且通过交替设置Al x Ga 1-x N层和Al y Ga 1-y N层（x> y）并且由Al z Ga 1-z N层（x 通过交替地设置第一多层结构缓冲区域和第一插入层而布置的厚度大于Al y Ga 1-y N层的x> z）第二缓冲层，设置在第一缓冲层上，并具有与第一缓冲层相同的结构; 以及设置在第二缓冲层上的沟道层，其大于第二插入层的厚度。第二缓冲层的平均Al组成高于第一缓冲层的Al组成。图1

5. 发明专利

JP6735078B2 半導体基体及び半導体装置有权
公开(公告)号：JP6735078B2
公开(公告)日：2020-08-05
申请号：JP2015194840
申请日：2015-09-30
申请人：サンケン電気株式会社 , 信越半導体株式会社
发明人：鹿内洋志 , 佐藤憲 , 篠宮勝 , 土屋慶太郎 , 萩本和徳
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/338

6. 发明专利

JP2018157058A エピタキシャル基板及び半導体素子审中-公开
公开(公告)号：JP2018157058A
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：JP2017052407
申请日：2017-03-17
申请人：サンケン電気株式会社 , 信越半導体株式会社
发明人：佐藤憲 , 鹿内洋志 , 篠宮勝 , 土屋慶太郎 , 萩本和徳
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/205 , H01L21/20 , H01L21/338
摘要：【課題】平坦性を良好にすることができ、かつ、ピットを低減することができるエピタキシャル基板を提供する。【解決手段】シリコン系基板と、前記シリコン系基板上の第1アルミナイトライド層と、前記第1アルミナイトライド層と接するアルミガリウムナイトライド層と、前記アルミガリウムナイトライド層と接し、前記第1アルミナイトライド層よりも薄い厚みの第2アルミナイトライド層と、前記第2アルミナイトライド層と接する第1ガリウムナイトライド層と、前記第1ガリウムナイトライド層上に、第1窒化物半導体から成る第1の層と前記第1ガリウムナイトライド層よりも薄い厚みであって第2窒化物半導体から成る第2の層が繰返し積層された多層バッファ層と、を含むものであることを特徴とするエピタキシャル基板。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2017069450A 半導体基体、半導体装置、半導体基体の製造方法、並びに、半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017069450A
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2015194840
申请日：2015-09-30
申请人：サンケン電気株式会社 , 信越半導体株式会社
发明人：鹿内洋志 , 佐藤憲 , 篠宮勝 , 土屋慶太郎 , 萩本和徳
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/338
CPC分类号： H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
摘要：【課題】高い縦方向耐圧を維持しつつ、高いピット抑制効果を得ることができる半導体基体を提供する。【解決手段】基板12と、窒化物半導体からなり、基板12上に設けられるバッファ層25と、窒化物半導体からなり、バッファ層25上に設けられるチャネル層26とを備える。バッファ層25は、基板12側に設けられ、ボロン濃度がアクセプタ元素濃度よりも高い第1の領域23と、第1の領域23上に設けられ、第1の領域23よりボロン濃度が低く、第1の領域23よりアクセプタ元素濃度が高い第2の領域24とを含む半導体基体10。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2017017088A 半導体デバイス用基板、半導体デバイス、並びに半導体デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：半导体装置用基板，半导体装置，以及半导体装置的制造方法
公开(公告)号：JP2017017088A
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2015129625
申请日：2015-06-29
申请人：サンケン電気株式会社 , 信越半導体株式会社
发明人：佐藤憲 , 鹿内洋志 , 後藤博一 , 篠宮勝 , 土屋慶太郎 , 萩本和徳
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/207 , H01L21/205 , H01L21/338
CPC分类号： H01L21/205 , H01L29/207 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
摘要：【課題】縦方向のリーク電流を抑制しながら、高温動作時の横方向のリーク電流を低減させることができる半導体デバイス用基板を提供する。【解決手段】基板12と、該基板12上に設けられ、窒化物半導体からなるバッファ層15と、バッファ層15上に設けられた窒化物半導体層からなるデバイス能動層29とを有する半導体デバイス用基板10であって、バッファ層15は炭素及び鉄を含有し、バッファ層15の上面の炭素濃度は、バッファ層の下面の炭素濃度より高く、バッファ層15の上面の鉄の濃度は、バッファ層15の下面の鉄の濃度より低い。【選択図】図1
摘要翻译：甲同时抑制泄漏电流的纵向方向，以提供用于能够减少在高温下操作的横向漏电流的半导体器件的衬底。和基板12，设置在基板12上，具有由氮化物半导体构成的缓冲层15，以及器件有源层29的半导体器件制造中提供的缓冲层15上形成氮化物半导体层的衬底10，缓冲层15含有碳和铁，缓冲层15的上表面的碳浓度比的缓冲层，铁的在缓冲层15的上表面上的浓度，缓冲层的下表面的碳浓度高比15铁的下表面的浓度低。点域1

10. 发明专利

JP2015207624A 半導体基板及び半導体素子有权
标题翻译：半导体衬底和半导体元件
公开(公告)号：JP2015207624A
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：JP2014086397
申请日：2014-04-18
申请人：サンケン電気株式会社 , 信越半導体株式会社
发明人：佐藤憲 , 鹿内洋志 , 後藤博一 , 篠宮勝 , 萩本和徳 , 土屋慶太郎
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/7786 , H01L21/02378 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/66462
摘要：【課題】高抵抗層の高抵抗を維持しながら結晶性を高くすることでリーク電流を低減させるとともに、その上に形成されるチャネル層の結晶性も高くすることでチャネル層における電子移動度の低下や電流コラプスの発生を抑制できる半導体基板を提供することを目的とする。【解決手段】基板と、前記基板上の窒化物系半導体からなり、炭素を含むバッファ層と、前記バッファ層上の窒化物系半導体からなり、炭素を含む高抵抗層と、前記高抵抗層上の窒化物系半導体からなるチャネル層とを有する半導体基板であって、前記高抵抗層は、前記バッファ層よりも炭素濃度が低い第1の領域と、前記第1の領域と前記チャネル層との間に設けられ、前記第1の領域よりも炭素濃度が高い第2の領域とを有することを特徴とする半導体基板。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体衬底，其可以通过改善结晶度而降低漏电流，同时保持高电阻层的高电阻，并且还可以通过提高结晶度来抑制电子迁移率的劣化和通道层中的电流崩溃的发生形成在高电阻层上的沟道层。解决方案：半导体衬底包括：衬底; 在所述基板上由氮化物系半导体构成的含碳缓冲层; 在缓冲层上由氮化物类半导体构成的含碳高电阻层; 以及在高电阻层上由氮化物类半导体构成的沟道层，其中高电阻层具有碳浓度低于缓冲层的第一区域的第一区域和设置在第一区域之间的第二区域区域和沟道层，并且具有比第一区域高的碳浓度。

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