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1. 发明专利

JP6056318B2 SOIウェーハの研磨方法有权
标题翻译：的SOI晶片的研磨方法
公开(公告)号：JP6056318B2
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：JP2012208088
申请日：2012-09-21
申请人：信越半導体株式会社
发明人：長岡康男 , 岡哲史
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12 , H01L21/304

2. 发明专利

JP2015141923A 半導体ウェーハの洗浄槽及び貼り合わせウェーハの製造方法有权
标题翻译：用于半导体滤波器的清洁罐和生产层压波导的方法
公开(公告)号：JP2015141923A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：JP2014012267
申请日：2014-01-27
申请人：信越半導体株式会社
发明人：長岡康男
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/26513 , H01L21/67086 , H01L21/76254
摘要：【課題】膜厚調整のためのエッチング工程後も膜厚均一性が維持された貼り合わせウェーハを高歩留りで製造できるようなエッチング工程で用いる洗浄槽を提供する。【解決手段】半導体ウェーハを洗浄液に浸漬して洗浄する半導体ウェーハの洗浄槽であって、石英からなり、前記洗浄液を貯留し、複数の前記半導体ウェーハを前記洗浄液中に浸漬する槽本体部と、石英からなり、前記槽本体部の開口部の周囲に設けられ、前記槽本体部の開口部上端からオーバーフローした前記洗浄液を受けるオーバーフロー受部と、前記槽本体部の周囲に設けられている断熱壁部とを備え、前記断熱壁部は切れ目なく前記槽本体部を囲っていて、前記断熱壁部と前記槽本体部の側壁との間に中空層が形成されているものであることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄槽。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种用于蚀刻步骤的清洗槽，其允许即使在用于膜厚度调节的蚀刻步骤之后也保持其膜厚均匀性的高收率的生产。清洗槽提供半导体晶片，其中将半导体晶片浸入清洁液中并进行清洁。清洗槽包括：由石英制成的罐主体部分，保留清洗液，并将多个半导体晶片浸入清洗液中; 设置在所述罐主体部的开口周围的由石英制成的溢流接收部，并且接收从所述罐主体部的开口的上端溢出的所述清洗液; 以及设置在罐主体部分周围的隔热壁部。绝热壁部分没有间隙地围绕罐主体部分，并且在隔热壁部分和罐体部分的侧壁之间形成中空层。

3. 发明专利

JP6090184B2 半導体ウェーハの洗浄槽及び貼り合わせウェーハの製造方法有权
标题翻译：用于制备清洗槽和一个半导体晶片的贴合晶片的方法
公开(公告)号：JP6090184B2
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：JP2014012267
申请日：2014-01-27
申请人：信越半導体株式会社
发明人：長岡康男
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/26513 , H01L21/67086 , H01L21/76254

4. 发明专利

JP5929662B2 研磨装置及びSOIウェーハの研磨方法有权
标题翻译：研磨装置的研磨方法及SOI晶片
公开(公告)号：JP5929662B2
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：JP2012208405
申请日：2012-09-21
申请人：信越半導体株式会社
发明人：長岡康男 , 岡哲史
IPC分类号： H01L21/304

5. 发明专利

JP6094541B2 ゲルマニウムウェーハの研磨方法有权
公开(公告)号：JP6094541B2
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：JP2014152784
申请日：2014-07-28
申请人：信越半導体株式会社
发明人：長岡康男 , 阿賀浩司
IPC分类号： B24B37/00 , C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/20 , B24B37/00 , C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/304 , H01L21/30625

6. 发明专利

JP2016181664A 貼り合わせウェーハの製造方法有权
标题翻译：粘结波形的制造方法
公开(公告)号：JP2016181664A
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：JP2015062628
申请日：2015-03-25
申请人：信越半導体株式会社
发明人：長岡康男
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/306 , H01L21/02
摘要：【課題】膜厚調整のためのエッチング後も膜厚均一性が維持された貼り合わせウェーハを高歩留りで製造する方法を提供することを目的とする。【解決手段】ボンドウェーハにガスイオンをイオン注入してイオン注入層を形成しベースウェーハを貼り合わせ、イオン注入層を剥離面としてボンドウェーハを剥離することにより薄膜を有する貼り合わせウェーハを作製した後、薄膜を減厚加工する貼り合わせウェーハの製造方法であって、減厚加工を行う工程は温度調節されたエッチング液を満たした薬液槽に貼り合わせウェーハを浸漬して薄膜をエッチングして薄膜の膜厚調整を行うエッチング段階を含み、薬液槽の開口部を蓋で覆った状態で薄膜をエッチングすること、及び、少なくとも薬液槽と該薬液槽に隣接したリンス槽との間に断熱性を有する仕切り板を設置した状態で薄膜をエッチングすること、のいずれか一方又は両方を行うことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造具有高成品率的接合晶片的方法，即使在膜厚度调整的蚀刻之后也保持膜厚均匀性。解决方案：在接合晶片的制造方法中，将气体离子注入键晶片以形成离子注入层，将基底晶片结合到其上，并且使用离子注入层作为分离表面分离接合晶片，以用薄膜制造接合的晶片，然后薄膜的厚度减小。降低厚度的步骤包括将接合的晶片浸渍在填充有受控温度的蚀刻剂的化学液体槽中以蚀刻薄膜的蚀刻阶段，从而调节薄膜的膜厚度。薄膜蚀刻中的一个或两个，其中覆盖有盖的化学液体罐的开口薄膜和用隔热隔板蚀刻薄膜，至少设置在化学液体槽和邻近的化学液体槽之间的冲洗槽执行化学液体罐。选择图：图1

7. 发明专利

JP6287920B2 貼り合わせウェーハの製造方法有权
公开(公告)号：JP6287920B2
公开(公告)日：2018-03-07
申请号：JP2015062628
申请日：2015-03-25
申请人：信越半導体株式会社
发明人：長岡康男
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/306 , H01L21/02

8. 发明专利

JP2016031971A ゲルマニウムウェーハの研磨方法有权
标题翻译：德国波兰抛光方法
公开(公告)号：JP2016031971A
公开(公告)日：2016-03-07
申请号：JP2014152784
申请日：2014-07-28
申请人：信越半導体株式会社
发明人：長岡康男 , 阿賀浩司
IPC分类号： B24B37/00 , C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/00 , C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：【課題】研磨後のGe表面の表面粗さを充分に小さくでき、貼り合わせ用ウェーハとして用いた場合でもボイドやブリスター等の界面欠陥の発生を充分に抑制することのできるゲルマニウムウェーハの研磨方法を提供する。【解決手段】表面がゲルマニウムから成るゲルマニウムウェーハの研磨において、コロイダルシリカを含有するアルカリ性水溶液である第1の研磨スラリーに過酸化水素水を添加し、該過酸化水素水を添加した第2の研磨スラリーを用いてゲルマニウムウェーハの表面を研磨する研磨方法であって、第1の研磨スラリーに過酸化水素水を、第1の研磨スラリーの容量に対し、30wt%の過酸化水素水を0vol%より大きく0.1vol%以下の容量で添加した濃度に相当する濃度で添加し、該過酸化水素水を添加した第2の研磨スラリーを用いて研磨することを特徴とするゲルマニウムウェーハの研磨方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于抛光锗晶片的方法，其可以使抛光的Ge表面的表面粗糙度足够小，并且可以充分抑制诸如空隙或泡罩的界面缺陷的形成，即使所得到的锗晶片用作晶片以层压到另一晶片上。解决方案：用锗表面抛光锗晶片的方法包括以下步骤：向作为碱性水溶液的第一抛光浆料中加入过氧化氢溶液溶液，由此制备第二抛光浆料; 并使用第二抛光浆料来抛光锗晶片表面。在该方法中，将过氧化氢溶液以相当于以30体积％以上的过氧化氢溶液添加量超过0体积％和0.1体积％的浓度的浓度加入到第一研磨浆料中，或少于第一抛光浆料的体积，并且使用其中加入过氧化氢溶液的第二抛光浆料用于抛光。选择图：图1

9. 发明专利

JP2015103661A 貼り合わせウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：粘结波形制造方法
公开(公告)号：JP2015103661A
公开(公告)日：2015-06-04
申请号：JP2013243086
申请日：2013-11-25
申请人：信越半導体株式会社
发明人：長岡康男
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/265 , H01L21/306 , H01L21/02
摘要：【課題】膜厚調整のためのエッチング後も膜厚均一性が維持された貼り合わせウェーハを高歩留りで製造する方法を提供する。【解決手段】ボンドウェーハの表面に、水素イオン及び希ガスイオンから選ばれる一種類以上のガスイオンをイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成し、ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを直接又は絶縁膜を介して貼り合わせた後、イオン注入層を剥離面としてボンドウェーハを剥離することにより、ベースウェーハ上に薄膜を有する貼り合わせウェーハを作製した後、薄膜の減厚加工を行う貼り合わせウェーハの製造方法において、減厚加工は、温度調節されたエッチング液を満たした薬液槽に浸漬して薄膜をエッチングすることによって薄膜の膜厚調整を行うエッチング工程を含み、エッチング工程では、薬液槽の周囲を断熱材によって被覆した状態でエッチングを行う貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造接合晶片的方法，即使在蚀刻后，也可以以高产率进行膜厚调整，从而保持膜厚均匀性。解决方案：接合晶片的制造方法包括以下步骤：离子注入选择的一种或多种气体离子从接合晶片的表面上的氢离子和稀有气体离子形成晶片内部的离子注入层; 键合晶片的离子注入表面和基底晶片的表面直接或经由绝缘膜键合; 随后通过使用离子注入层作为分离表面来分离接合晶片，以在基底晶片上制造具有薄膜的接合晶片; 并进行薄膜的厚度缩小处理。厚度缩小处理包括通过将薄膜浸渍在填充有温度控制的蚀刻剂的医药液体槽中来对薄膜进行蚀刻来进行薄膜的膜厚配置的蚀刻工艺。在蚀刻工艺中，在药液盒的周边被绝热材料覆盖的状态下进行蚀刻。

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