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1. 发明专利

JP2018173621A フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法、フォトマスク及びクロム金属ターゲット审中-公开
公开(公告)号：JP2018173621A
公开(公告)日：2018-11-08
申请号：JP2018001668
申请日：2018-01-10
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：稲月判臣 , 笹本紘平 , 由利勉
IPC分类号： G03F1/54 , G03F1/32
CPC分类号： G03F1/32 , C01B21/0821 , C01B21/0823 , C01B33/06 , C22C27/06 , C23C14/14 , C23C14/3414 , G03F1/54 , G03F1/84
摘要：【解決手段】透明基板と、互いに接するケイ素含有膜及びクロム含有膜又は透明基板と接するクロム含有膜とを含み、ケイ素含有膜が、ケイ素のみ、ケイ素と、酸素、窒素及び炭素から選ばれる1種以上の軽元素とからなるケイ素化合物、及びチタン、バナジウム、コバルト、ニッケル、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ハフニウム、タンタル及びタングステンから選ばれる1種以上の遷移金属と、ケイ素と、酸素、窒素及び炭素から選ばれる1種以上の軽元素とからなる遷移金属ケイ素化合物から選ばれるケイ素含有材料、クロム含有膜が、クロム含有材料で構成されたフォトマスクブランクのクロム含有膜を、銀の含有率が1質量ppm以下であるクロム金属ターゲットを用いたスパッタリングにより成膜する。【効果】ArFエキシマレーザー光などによるパターン露光に、フォトマスクを繰り返して用いた場合であっても、ケイ素を含有する膜の欠陥の発生が低減される。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2017049475A フォトマスクブランク有权
公开(公告)号：JP2017049475A
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：JP2015173883
申请日：2015-09-03
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：笹本紘平
IPC分类号： G03F1/26 , G03F1/80 , G03F1/58
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/20 , G03F1/26 , G03F1/54 , G03F1/80
摘要：【解決手段】透明基板と、シート抵抗が10,000Ω/□以下のクロム含有膜とを含み、クロム含有膜が、クロム及び窒素又はクロム、窒素及び酸素を含有するクロム化合物からなり、クロム、窒素及び酸素の合計の含有率が93原子%以上であり、3Cr≦2O+3N(Crはクロム含有率、Oは酸素含有率、Nは窒素含有率(いずれも原子%))を満たし、クロムに対する窒素の原子比が0.95以上、クロム含有率が40原子%以上、クロム及び窒素の合計の含有率が80原子%以上、かつ酸素含有率が10原子%以下の組成を満たす層を、クロム含有膜全体の厚さの10%以上70%以下で含むフォトマスクブランク。【効果】本発明のフォトマスクブランクを用いれば、微細なフォトマスクパターンを高精度に形成することができ、フォトマスクの生産性の向上と、フォトマスクを用いたパターン転写により被転写物に形成されるパターンの細線化との両立が達成される。【選択図】図2

3. 发明专利

JP2015111246A ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、ハーフトーン位相シフト型フォトマスク及びパターン露光方法有权
标题翻译： HONEFT PHASE SHIFT PHOTOMASK BLANK，HALFTONE PHASE SHIFT PHOTOMASK，AND PATTERN EXPOSURE METHOD
公开(公告)号：JP2015111246A
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：JP2014184992
申请日：2014-09-11
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：稲月判臣 , 桜田豊久 , 金子英雄 , ▲高▼坂卓郎 , 笹本紘平
IPC分类号： G03F1/32
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/0046 , G03F1/0076 , G03F1/32 , G03F7/2002
摘要：【解決手段】透明基板上に、波長200nm以下の光に対し、透過率が10%以上、位相差が150〜200°であり、かつ膜厚が70nm以下であると共に、ケイ素及び窒素、又はケイ素、窒素及び酸素からなり、酸素の含有量が窒素の含有量の1/3(原子比)以下であり、屈折率が2.4以上、吸収係数が0.22以上0.54以下の層を含むハーフトーン位相シフト膜を有するハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク。【効果】所定の位相差を確保した上で、高透過率、かつフォトマスクパターンの加工において有利なより薄い膜で、化学的洗浄に対する耐薬品性にも優れたハーフトーン位相シフト膜を備えるハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びハーフトーン位相シフト型フォトマスクが提供でき、フォトリソグラフィにおける更なるパターンの微細化と高精度化の要求に適合したパターン露光が可能である。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供半色调相移掩模坯料和半色调相移光掩模，其具有薄膜状态的半色调相移膜，其有利于获得高透射率并且用于处理光掩模图案同时确保预定的相位差并且具有优异的化学清洁耐化学性，从而实现满足更精细图案要求和高光刻精度的图案曝光。解决方案：具有半色调相移膜的半色调相移光掩模坯料在透明基板上包括以下层。该层在200nm以下的波长下显示出10％以上的透射率和150〜200°的相位差，膜厚为70nm以下，包含硅和氮，或硅，氮和氧的含量为氮含量的1/3（原子比）以下，折射率为2.4以上，吸收系数为0.22以上且0.54以下的氧。

4. 发明专利

JP6675156B2 フォトマスクブランクの設計方法有权
公开(公告)号：JP6675156B2
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：JP2015112959
申请日：2015-06-03
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：笹本紘平 , 金子英雄 , 稲月判臣 , 深谷創一
IPC分类号： G03F1/38

5. 发明专利

JP2019066876A フォトマスクブランク审中-公开
公开(公告)号：JP2019066876A
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：JP2018237397
申请日：2018-12-19
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：笹本紘平 , 金子英雄 , 稲月判臣 , 深谷創一
IPC分类号： G03F1/26
摘要：【課題】露光波長における十分な光学濃度と、露光波長より長波長側の波長域での十分な反射率とを確保し、遮光膜が薄膜化され、かつフォトレジストの電子ビーム描画時の帯電を抑制可能なフォトマスクブランクに最適な導電性反射膜等の光学膜を、提供する。【解決手段】透明基板上に、遮光部及び透光部を有する膜パターンが形成され、透光部から露光光を透過させて膜パターンを転写する透過型フォトマスクの素材となり、透明基板と、15原子%以上40原子%以下のクロムと、酸素、窒素及び炭素から選ばれる軽元素とからなるクロム化合物からなる遮光膜と、金属を60原子%以上含有し、遮光膜に対向する側の露光光の波長以上で波長500nm以下の所定の波長の光に対する反射率を膜厚で除して求められる、膜厚1nm当たりの反射率が2.5%/nm以上であり、シート抵抗が2,000Ω/□以下である導電性反射膜とを有する。【選択図】図2

6. 发明专利

JP6341129B2 ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスク有权
公开(公告)号：JP6341129B2
公开(公告)日：2018-06-13
申请号：JP2015072658
申请日：2015-03-31
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：笹本紘平 , ▲高▼坂卓郎 , 稲月判臣 , 金子英雄
IPC分类号： G03F1/32
CPC分类号： G03F1/32

7. 发明专利

JP2018063441A ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、ハーフトーン位相シフト型フォトマスク及びパターン露光方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018063441A
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：JP2017241310
申请日：2017-12-18
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：稲月判臣 , 桜田豊久 , 金子英雄 , ▲高▼坂卓郎 , 笹本紘平
IPC分类号： G03F1/54 , G03F1/32
摘要：【解決手段】透明基板上に、波長200nm以下の光に対し、透過率が10%以上、位相差が150〜200°であり、かつ膜厚が70nm以下であると共に、ケイ素及び窒素、又はケイ素、窒素及び酸素からなり、酸素の含有量が窒素の含有量の1/3(原子比)以下であり、屈折率が2.4以上、吸収係数が0.22以上0.54以下の層を含むハーフトーン位相シフト膜を有するハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク。【効果】所定の位相差を確保した上で、高透過率、かつフォトマスクパターンの加工において有利なより薄い膜で、化学的洗浄に対する耐薬品性にも優れたハーフトーン位相シフト膜を備えるハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びハーフトーン位相シフト型フォトマスクが提供でき、フォトリソグラフィにおける更なるパターンの微細化と高精度化の要求に適合したパターン露光が可能である。【選択図】なし

8. 发明专利

JP2016191863A ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスク有权
标题翻译： HALF TONE PHASE SHIFT MASK BLANK和HALF TONE PHASE SHIFT MASK
公开(公告)号：JP2016191863A
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：JP2015072658
申请日：2015-03-31
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：笹本紘平 , ▲高▼坂卓郎 , 稲月判臣 , 金子英雄
IPC分类号： G03F1/32
CPC分类号： G03F1/32
摘要：【解決手段】透明基板上に、必須成分としてケイ素及び窒素を含有し、任意成分として酸素を含有していてもよく、ケイ素、窒素及び酸素の合計の含有率が90原子%以上、ケイ素の含有率が30〜70原子%、窒素及び酸素の合計の含有率が30〜60原子%、酸素の含有率が30原子%以下、遷移金属の含有率が1原子%以下であるケイ素系材料で構成され、膜厚が70nm以下であるハーフトーン位相シフト膜を有するハーフトーン位相シフトマスクブランク。【効果】フォトマスクパターンの加工において有利な、より薄いハーフトーン位相シフト膜であり、かつ波長200nm以下の光の照射に対してパターン寸法変動劣化が小さいハーフトーン位相シフト膜であって、位相シフト膜として必要な位相差と、ハーフトーン膜として必要な透過率とが確保されたハーフトーン位相シフト膜を備えるハーフトーン位相シフトマスクブランクを提供できる。【選択図】図1
摘要翻译：解决方案：提供一种半透明相移掩模坯料，其具有形成在透明基板上的半色调相移膜，由含硅和氮作为必要组分的硅基材料组成，并且可以含有氧作为任意的硅，氮，氧总量为90原子％以上，硅含量为30〜70原子％，氮和氧总量为30-60原子％，氧含量为 30原子％以下，过渡金属的含量为1原子％以下，膜厚为70nm以下。解决方案：半色调相移掩模毛坯设有半色调相移膜，更薄，因此有利于加工光掩模图案，图案尺寸变化对具有200nm或更小的波长的光的照射降低，并且确保相移膜所需的相位差和半数所需的透射率图1

9. 发明专利

JP2016033652A フォトマスクブランクの設計方法及びフォトマスクブランク审中-公开
标题翻译：用于设计光电隔离膜和光电隔离层的方法
公开(公告)号：JP2016033652A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：JP2015112959
申请日：2015-06-03
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：笹本紘平 , 金子英雄 , 稲月判臣 , 深谷創一
IPC分类号： G03F1/38
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/38 , G03F1/84
摘要：【解決手段】透明基板上に光学膜が形成されたフォトマスクブランクの設計方法であって、フォトマスクブランクが、露光光を透過させて、透明基板上に形成された膜パターンを転写する透過型フォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであり、光学膜を、その反射率を厚さで除した単位厚さあたりの反射率を指標として選定するフォトマスクブランクの設計方法。【効果】露光波長における十分な光学濃度と、露光波長より長波長側の波長域での十分な反射率とを確保し、遮光膜が薄膜化され、かつフォトレジストの電子ビーム描画時の帯電を抑制可能なフォトマスクブランクに最適な導電性反射膜等の光学膜を、効率よく選定できる。【選択図】図2
摘要翻译：解决方案：提供一种用于设计具有形成在透明基板上的光学膜的光掩模坯料的方法，其特征在于，所述光掩模坯料用作透射光掩模的原材料，用于透射曝光光以转印形成在透明基板，并且根据每单位厚度的反射率选择光学膜作为通过将光学膜的反射率除以其厚度而定义的指标。通过该方法，可以使用诸如导电反射的光学膜可以有效地选择适合于具有以下特征的光掩模坯料的膜。光掩模坯料确保在曝光波长下的足够的光密度，并且在比曝光波长更长波长侧的波长区域中具有足够的反射率，具有更薄的遮光膜，并且可以抑制在光致抗蚀剂上的电子束拉制期间的电荷积聚。绘图：图2

10. 发明专利

JP5739375B2 ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスクの製造方法有权
标题翻译：用于产生半色调相移掩模坯料的方法和半色调相移掩模
公开(公告)号：JP5739375B2
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：JP2012112512
申请日：2012-05-16
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：深谷創一 , 中川秀夫 , 笹本紘平
IPC分类号： G03F1/54 , H01L21/027 , G03F1/26
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/29 , G03F1/54 , G03F1/80

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