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1. 发明专利

JP2020120128A 複合基板审中-公开
公开(公告)号：JP2020120128A
公开(公告)日：2020-08-06
申请号：JP2020076868
申请日：2020-04-23
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：秋山昌次 , 白井省三 , 丹野雅行
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/02
摘要：【課題】300℃のプロセス後に高抵抗を保つことができる複合基板および複合基板の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明に係る複合基板は、圧電材料基板に、格子間酸素濃度が2から10ppmaのシリコン(Si)ウェーハを支持基板として貼り合わせ、貼り合わせ後に圧電材料基板を薄化することにより作製されることを特徴とする。圧電材料基板は、タンタル酸リチウムウェーハ(LT)基板又はニオブ酸リチウム(LN)基板とすることが特に好ましい。【選択図】図1

3. 发明专利

JP6699015B2 ダイヤモンド基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6699015B2
公开(公告)日：2020-05-27
申请号：JP2016037183
申请日：2016-02-29
申请人：信越化学工業株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 国立大学法人金沢大学
发明人：野口仁 , 白井省三 , 牧野俊晴 , 小倉政彦 , 加藤宙光 , 川島宏幸 , 桑原大輔 , 山崎聡 , 竹内大輔 , 徳田規夫 , 猪熊孝夫 , 松本翼
IPC分类号： H01L21/205 , C30B29/04

4. 发明专利

JP6621384B2 弾性表面波デバイス用複合基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6621384B2
公开(公告)日：2019-12-18
申请号：JP2016142751
申请日：2016-07-20
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：秋山昌次 , 丹野雅行 , 白井省三
IPC分类号： H03H9/25 , B23K20/00 , B23K20/24 , H03H3/08

5. 发明专利

JP2018061258A 表面弾性波デバイス用複合基板及びその製造方法とこの複合基板を用いた表面弾性波デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2018061258A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2017201591
申请日：2017-10-18
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：秋山昌次 , 丹野雅行 , 白井省三
IPC分类号： H03H3/08 , H03H9/64 , H03H9/25
CPC分类号： H03H3/08 , H03H9/25
摘要：【課題】圧電結晶膜と支持基板の接合界面における波の反射に起因するスプリアスを低減した、温度特性が良好で高性能な表面弾性波デバイス用複合基板を提供する。【解決手段】表面弾性波デバイス用複合基板は、圧電単結晶基板1と支持基板2とを含んで構成される表面弾性波デバイス用複合基板であって、圧電単結晶基板と支持基板との接合界面部4において、少なくとも圧電単結晶基板と支持基板の何れか一方は凹凸構造を有しており、この凹凸構造の断面曲線における要素の平均長さRSmと表面弾性波デバイスとして使用する際の表面弾性波の波長λとの比が0.2以上7.0以下である。【選択図】図20

6. 发明专利

JP2018014606A 弾性表面波デバイス用複合基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018014606A
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：JP2016142751
申请日：2016-07-20
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：秋山昌次 , 丹野雅行 , 白井省三
IPC分类号： H03H9/25 , B23K20/00 , B23K20/24 , H03H3/08
CPC分类号： B23K20/00 , B23K20/24 , H03H3/08 , H03H9/25
摘要：【課題】貼り合わせ後の工程において400℃以上に加熱しても、圧電単結晶膜の全面剥がれが生じない弾性表面波デバイス用複合基板を提供する。【解決手段】圧電単結晶基板と支持基板とを準備し、圧電単結晶基板と支持基板の少なくともいずれか一方に無機材料からなる膜を成膜し、圧電単結晶基板と支持基板とを、無機材料からなる膜を挟むようにして接合することにより複合基板を製造する。【選択図】図1

7. 发明专利

JP5938113B1 太陽電池用基板の製造方法有权
标题翻译：制造用于太阳能电池的基板的方法
公开(公告)号：JP5938113B1
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：JP2015000554
申请日：2015-01-05
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：大塚寛之 , 白井省三
IPC分类号： H01L31/068 , H01L21/324 , H01L21/22 , H01L21/316 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/22 , H01L21/324 , H01L31/068 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：【課題】基板の酸素濃度が多い場合であっても、基板のライフタイムの低下を抑制することができる太陽電池用基板の製造方法を提供する。【解決手段】単結晶シリコンからなる太陽電池用基板の製造方法であって、シリコン単結晶インゴットを作製する工程と、前記シリコン単結晶インゴットからシリコン基板を切り出す工程と、前記シリコン基板に対して800℃以上1200℃未満の温度で低温熱処理を行う工程とを有し、前記低温熱処理を行う前に、前記シリコン単結晶インゴット又は前記シリコン基板に対して1200℃以上の温度で30秒以上の高温熱処理を行うことを特徴とする太陽電池用基板の製造方法。【選択図】図1
摘要翻译：即使基板的氧浓度为大，提供一种制造底物能够抑制在基片的寿命降低的太阳能电池的方法。制造由单晶硅制成的太阳能电池基板的方法，形成一个单晶硅锭，相对于切割从硅单晶锭的硅衬底的硅衬底800的步骤的处理 ℃，并在低于1200℃或更高的温度下进行的低温热处理的步骤之前，执行所述低温热处理，在1200℃以上温度下的单晶硅锭或硅衬底的多于30秒的高温热处理制造基板用于太阳能电池和执行的方法。点域1

8. 发明专利

JP2021166293A ダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021166293A
公开(公告)日：2021-10-14
申请号：JP2021095527
申请日：2021-06-08
申请人：信越化学工業株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：野口仁 , 白井省三 , 山崎聡 , 竹内大輔 , 小倉政彦 , 牧野俊晴 , 加藤宙光 , 松本翼 , 川島宏幸
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/329 , H01L29/872 , H01L29/47 , C23C16/27 , H01L21/20
摘要：【課題】大面積、低コスト、高品質なダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法を提供する。【解決手段】ダイヤモンド電子素子であって、シリコン基材と、該シリコン基材上に形成され、単結晶MgO層、単結晶SrTiO 3 層、α−Al 2 O 3 層、YSZ(イットリア安定化ジルコニア)層のいずれかからなる中間層と、該中間層上に形成され、イリジウム層、ロジウム層、白金層のいずれかからなる下地層と、該下地層上に形成された単結晶ダイヤモンド層とを有し、前記単結晶ダイヤモンド層の厚みが、300μm以下のものであることを特徴とするダイヤモンド電子素子。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2020073447A ダイヤモンド基板及びダイヤモンド自立基板审中-公开
公开(公告)号：JP2020073447A
公开(公告)日：2020-05-14
申请号：JP2020007853
申请日：2020-01-21
申请人：信越化学工業株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 国立大学法人金沢大学
发明人：野口仁 , 白井省三 , 牧野俊晴 , 小倉政彦 , 加藤宙光 , 川島宏幸 , 桑原大輔 , 山崎聡 , 竹内大輔 , 徳田規夫 , 猪熊孝夫 , 松本翼
IPC分类号： C30B25/18 , C23C16/27 , H01L21/205 , C30B29/04
摘要：【課題】転位欠陥を十分に低減することが可能なダイヤモンド基板の製造方法、高品質のダイヤモンド基板及びダイヤモンド自立基板を提供する。【解決手段】下地表面にパターン状のダイヤモンドを設ける第一の工程と、第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドからダイヤモンドを成長させて、第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドにおけるパターン間隙にダイヤモンドを形成する第二の工程と、前記第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドを取り除き、第二の工程で形成したダイヤモンドからなるパターン状のダイヤモンドを形成する第三の工程と、第三の工程で形成したパターン状のダイヤモンドからダイヤモンドを成長させて、第三の工程で形成したパターン状のダイヤモンドにおけるパターン間隙にダイヤモンドを形成する第四の工程とを含むことを特徴とするダイヤモンド基板の製造方法。【選択図】図1

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