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1. 发明专利

JP2018155633A 光学装置及び増強電場調整方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018155633A
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：JP2017053377
申请日：2017-03-17
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 有限会社シーアンドアイ , 信越化学工業株式会社
发明人：藤巻真 , 安浦雅人 , 芦葉裕樹 , 上野耕治 , 久保田芳宏 , 川合信
IPC分类号： G01N21/41 , G01N21/64
摘要：【課題】最適な増強電場が得られるとともに、小型化でき、シンプルな構成でかつ安価に製造可能な光学装置及び増強電場調整方法を提供すること。【解決手段】本発明の光学装置は、裏面側から全反射条件で照射される光により表面上に増強電場を発生可能な検出板21と、検出板21の前記裏面側に光学的に密着され、入射面から入射される前記光を検出板21の前記裏面に導光可能とされる光学プリズム22と、一の出射角度で前記光を出射するよう固定配置されるとともに検出板21の前記裏面側から前記全反射条件で前記光を照射可能とされる光照射部23とが配される光学装置において、前記裏面を水平面とした水平方向に前記光学プリズムを回動自在に支持可能とされ、前記回動に基づき前記裏面側に対する前記光の入射角度を調整可能とされる第1の角度調整部27が配されることを特徴とする。【選択図】図2

2. 发明专利

JP2016225538A 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法有权
标题翻译：一种制造复合晶片与氧化物单晶薄膜的方法
公开(公告)号：JP2016225538A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2015112332
申请日：2015-06-02
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：秋山昌次 , 川合信
IPC分类号： H01L27/12 , H01L41/187 , H01L41/312 , H01L21/265 , H03H3/08 , H03H9/25 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/425 , H01L27/12 , H01L41/187 , H01L41/312
摘要：【課題】支持ウェーハと酸化物単結晶薄膜との貼り合わせ界面に割れや剥がれがなく、支持ウェーハ上の全面にタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムである酸化物単結晶の薄膜が転写された複合ウェーハを提供する。【解決手段】表面から水素原子イオンまたは水素分子イオンを注入し、酸化物単結晶ウェーハの内部にイオン注入層を形成する工程と、酸化物単結晶ウェーハのイオン注入した表面と支持ウェーハの表面の少なくとも一方に表面活性化処理を施す工程と、酸化物単結晶ウェーハのイオン注入した表面と支持ウェーハの表面とを貼り合わせて接合体を得る工程と、接合体を90℃以上であって割れを生じない温度で熱処理する工程と、熱処理した接合体のイオン注入層に機械的衝撃を与える工程であって、イオン注入層に沿って剥離し、支持ウェーハ上に転写された酸化物単結晶薄膜を得る、工程とを少なくとも含む複合ウェーハの製造方法である。【選択図】図1
摘要翻译：支撑晶片和无开裂和在单晶薄膜，复合晶片薄氧化物单晶已转移的界面的剥离的氧化物键合是完全锂或铌酸锂钽支撑晶片上提供。从表面注入氢原子离子或氢分子离子，在形成单晶晶片内部形成离子注入层的氧化物，氧化物单晶晶片离子注入面与支撑晶片的表面上的至少一个进行表面活化处理，由所述氧化物单晶晶片支撑晶片的离子注入面的表面结合获得的接合体的工序，裂解组件，其包括在90℃或更高加热处理中的温度的步骤不会发生，包括向接合体的所述离子注入层的机械冲击的步骤进行热处理，沿着离子注入层，所述氧化物单晶薄膜已被转移到支撑晶片剥离获得用于产生至少包括复合晶片和一个步骤的方法。点域1

3. 发明专利

JP2016072450A 貼り合わせ基板とその製造方法、および貼り合わせ用支持基板有权
标题翻译：接合基板及其制造方法，以及支撑用于接合的基板
公开(公告)号：JP2016072450A
公开(公告)日：2016-05-09
申请号：JP2014200770
申请日：2014-09-30
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：小西繁 , 川合信
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/265 , B23K20/00 , B23K20/16 , H01L21/02
CPC分类号： B23K20/00 , B23K20/16 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12
摘要：【課題】貼り合わせ後の反りが小さく、且つ熱伝導性が良く、高周波領域での損失が小さい、高周波デバイスなどの用途に好適な、焼結体基板上に単結晶半導体基板を備えた貼り合わせ基板の製造方法を提供する。【解決手段】焼結体基板の全ての面にコーティング処理を施して、少なくとも1層のアモルファス膜を備える支持基板を得る工程と、前記アモルファス膜を介して前記支持基板と単結晶半導体基板を貼り合わせる工程とを少なくとも含み、前記単結晶半導体基板と貼り合わせる支持基板上のアモルファス膜の表面が、ICP−MS法において、Al、Fe、Caの各濃度が5.0×10 11 atoms/cm 2 未満であり、表面粗さRmsが0.2nm以下である、貼り合わせ基板の製造方法。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种在烧结小型基板上制造包括单晶半导体衬底的接合衬底的方法，其在接合之后具有小的翘曲，良好的导热性和高频区域的小损耗，并且适用于用于高频器件等。解决方案：一种制造接合衬底的方法包括至少一个步骤，用于通过涂覆烧结致密基底的所有表面获得包括至少一个非晶膜的支撑衬底，以及步骤用于经由非晶膜将支撑基板和单晶半导体基板接合。与单晶半导体衬底接合的支撑衬底上的非晶膜的表面，Al，Fe，Ca的浓度小于5.0×10原子/ cm，表面粗糙度Rms为0.2nm以下，ICP- MS方法。选择图：无

4. 发明专利

JP6914227B2 マイクロディスプレイ用基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6914227B2
公开(公告)日：2021-08-04
申请号：JP2018114730
申请日：2018-06-15
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：飛坂優二 , 小西繁 , 川合信
IPC分类号： H01L27/12 , G02F1/1368 , H01L21/02

5. 发明专利

JP2019220511A マイクロディスプレイ用基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019220511A
公开(公告)日：2019-12-26
申请号：JP2018114730
申请日：2018-06-15
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：飛坂優二 , 小西繁 , 川合信
IPC分类号： H01L27/12 , G02F1/1368 , H01L21/02
摘要：【課題】トランジスタの小型化を図るため、単結晶のSi層を有する小口径の基板を用いても、大口径の透明基板を有するマイクロディスプレイ用基板を製造できるとともに、接着剤を用いても光の透過率が落ちることを防ぐことができる、マイクロディスプレイ用基板の製造方法を提供する。【解決手段】単結晶のSi層を有する小口径の第1の基板11の表面に回路層14を形成した後、治具20に載せて、接着剤16にて第1の基板の回路層側の表面と、大口径の第2の基板12とを貼り合せる。治具を取り外し、第1の基板の裏面を研削、研磨して鏡面化し、この鏡面化した裏面に、大口径の透明な第3の基板13を直接接合にて貼り合せた後、熱処理して、第1の基板と第3の基板の結合力を強化する。そして、第1の基板と第2の基板との間を機械的に分離し、第1の基板の表面に残った接着剤を除去し、回路層を露出させることで、大口径のマイクロディスプレイ用基板が得られる。【選択図】図1

6. 发明专利

JP6160616B2 SOS基板の製造方法及びSOS基板有权
公开(公告)号：JP6160616B2
公开(公告)日：2017-07-12
申请号：JP2014526880
申请日：2013-07-18
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：小西繁 , 久保田芳宏 , 川合信 , 秋山昌次 , 永田和寿
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/265 , B23K20/00 , B23K20/16 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/86 , H01L29/78657

7. 发明专利

JP5928481B2 複合基板有权
公开(公告)号：JP5928481B2
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：JP2013550319
申请日：2012-12-20
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：小西繁 , 久保田芳宏 , 川合信
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/20 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/02 , H01L21/02002 , H01L21/2007

8. 发明专利

JP5859497B2 界面近傍における欠陥密度が低いSOS基板の製造方法有权
标题翻译：在界面附近产生一个低SOS衬底的缺陷密度的方法
公开(公告)号：JP5859497B2
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：JP2013172439
申请日：2013-08-22
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：秋山昌次 , 伊藤厚雄 , 飛坂優二 , 川合信
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/265 , H01L21/02

9. 发明专利

JP2020009859A デバイス層転写基板の製造方法及びデバイス層転写基板审中-公开
公开(公告)号：JP2020009859A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：JP2018128442
申请日：2018-07-05
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：小西繁 , 久保田芳宏 , 川合信 , 飛坂優二
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/304 , H01L21/306 , C09J183/04 , G09F9/00 , G02F1/13 , H01L21/02
摘要：【課題】ウェハレベルで実施でき、歩留まりよく且つ大口径で実施することが容易な、デバイス層を透明基板上に転写する方法を提供する。【解決手段】シリコン層11と絶縁体層12とデバイス層13とを含むSOIウェハ14の前記デバイス層側を、仮接合用接着剤16を用いて支持基板15に仮接合する工程と、前記SOIウェハ14の前記シリコン層11を前記絶縁体層12が露出するまで除去して薄化デバイスウェハを得る工程と、前記薄化デバイスウェハの前記露出した絶縁体層12または透明基板17の少なくとも一方に転写用接着剤18を塗布する工程と、前記転写用接着剤18を介して、前記薄化デバイスウェハの前記露出した絶縁体層12と前記透明基板17とを接合する工程と、前記薄化デバイスウェハと前記透明基板17と接合体に反りがある場合には反りを矯正した状態で前記支持基板15を除去する工程とを含む、デバイス層転写基板の製造方法。【選択図】図1

10. 发明专利

JP6396854B2 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法有权
公开(公告)号：JP6396854B2
公开(公告)日：2018-09-26
申请号：JP2015112334
申请日：2015-06-02
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：秋山昌次 , 川合信
IPC分类号： H01L27/12 , H01L41/312 , H01L41/187 , C30B33/06 , H01L21/425 , H01L21/265 , H01L21/02
CPC分类号： H01L41/312 , H01L21/02 , H01L21/76254 , H01L41/1873 , H01L41/335

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