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1. 发明专利

JP2021034629A 圧電性基板、圧電性基板の製造方法、及び複合基板审中-公开
公开(公告)号：JP2021034629A
公开(公告)日：2021-03-01
申请号：JP2019155158
申请日：2019-08-28
申请人：住友金属鉱山株式会社
发明人：柿本実行
IPC分类号： H03H9/25 , H01L41/313 , H01L41/338 , H01L41/332 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/337
摘要：【課題】複合基板の製造に用いられる圧電性基板の加工コストを比較的安価にするとともに、圧電性基板と支持基板を貼り合わせるときの有機接着層内の気泡の発生を抑制する。【解決手段】有機接着層を介して支持基板に貼り合わされる圧電性基板であって、有機接着層に接触する面は平面研削面であり、平面研削面と反対側の面は、ワイヤーソーによる切断面であり、平面研削面は、凸状の5μmから15μmの反りを有する。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2021146485A 単結晶基板の製造方法、及び、ラッピング装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021146485A
公开(公告)日：2021-09-27
申请号：JP2020051670
申请日：2020-03-23
申请人：住友金属鉱山株式会社
发明人：柿本実行
IPC分类号： C30B35/00 , C30B29/30 , H01L21/304 , B24B37/28 , B24B37/08
摘要：【課題】二重キャリア法による両面ラッピング加工時におけるインナーキャリアのアウターキャリアへの乗り上げを防止し、且つラッピング加工後における基板の反りを低減させること。【解決手段】単結晶基板の製造方法は、アウターキャリアに設けられた複数のキャリアホールにインナーキャリアにより保持した単結晶基板材料を配置する二重キャリアを用いて、ラッピング装置により単結晶基板材料をラッピング加工し単結晶基板を得る単結晶基板の製造方法であって、複数のキャリアホールの少なくとも1つにインナーキャリアにより保持した単結晶基板材料を配置し、複数のキャリアホールの少なくとも1つに単結晶基板材料よりもラップレートの遅い支持用基板を配置し、単結晶基板材料と支持用基板とを同時にラッピング加工することを含む。【選択図】図6

3. 发明专利

JP2021028283A ニオブ酸リチウム基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021028283A
公开(公告)日：2021-02-25
申请号：JP2019147852
申请日：2019-08-09
申请人：住友金属鉱山株式会社
发明人：柿本実行
IPC分类号： C30B15/00 , C30B33/02 , H01L41/187 , H01L41/317 , H01L41/43 , C30B29/30
摘要：【課題】ニオブ酸リチウム(LN)単結晶内に存在するマイクロボイドに起因したリング状色ムラの発生が抑制されて体積抵抗率の面内分布にバラツキの少ないLN基板を製造する方法を提供すること。【解決手段】チョクラルスキー法で育成されたLN単結晶を基板形状に加工し、基板状LN単結晶を、Al−Al 2 O 3 粉末に埋め込んだ状態で、300℃以上500℃未満の条件で還元処理してLN基板を製造する方法において、上記粉末に埋め込まれる前の基板状LN単結晶を、1100℃以上1140℃未満の条件で240時間以上熱処理する工程と、熱処理された基板状LN単結晶を、上記粉末に埋め込んだ状態で300℃以上500℃未満の温度条件で還元処理する工程を有することを特徴とし、1100℃以上1140℃未満の条件で240時間以上熱処理する上記工程により基板状LN単結晶内のマイクロボイドを消滅させることが可能となる。【選択図】図3

4. 发明专利

JP2020203812A ニオブ酸リチウム単結晶の育成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020203812A
公开(公告)日：2020-12-24
申请号：JP2019112573
申请日：2019-06-18
申请人：住友金属鉱山株式会社
发明人：柿本実行
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/30
摘要：【課題】結晶化後において結晶内にマイクロボイドを顕在化させる原料融液中のガス成分が育成中の結晶内に取込まれ難いニオブ酸リチウム(LN)単結晶の育成方法を提供し、合わせてLN単結晶の結晶肩部に近い部位から得られたLN基板を熱処理(黒化処理)した場合にリング状の色ムラ(還元ムラ)が生じ難いLN基板を提供すること。【解決手段】育成炉内に配置された坩堝の原料融液に種結晶1を接触させ、該種結晶を引き上げ軸により回転させながら引上げて結晶肩部21とこれに続く結晶直胴部22を育成するチョクラルスキー法によるLN単結晶の育成方法において、結晶肩部の長さをNmm、結晶直胴部の結晶径をLmmとした場合、N/Lが1/7.5以下となるように設定し、かつ、結晶肩部の育成中における引き上げ軸の回転数を7rpm以上に設定することを特徴とする。【選択図】図2

5. 发明专利

JP2021187689A 圧電性単結晶基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021187689A
公开(公告)日：2021-12-13
申请号：JP2020091454
申请日：2020-05-26
申请人：住友金属鉱山株式会社
发明人：柿本実行
IPC分类号： C30B33/00 , H01L21/304 , C30B29/30
摘要：【課題】ノッチを有する圧電性単結晶基板の製造工程において、加工によるロスを抑制し、且つ鏡面加工までの製造工程において基板の表裏の判別を容易にすることができる。【解決手段】圧電性単結晶のインゴットの側面に対して、インゴットの軸方向に延び、ノッチとなる第1の溝と、第1の溝と非対称であり且つ第1の溝よりも外周側に配置される第2の溝又は平坦部と、を形成する溝形成工程と、インゴットをスライスし薄板に加工するスライス工程と、薄板の主面側に印を形成するマーキング工程と、薄板の外周端部を面取りし、第2の溝又は平坦部を除去するベベル工程と、薄板を研磨し、表面形状及び厚さを調整するラッピング工程と、薄板の主面側を鏡面研磨し、ノッチを有する圧電性単結晶基板を得るポリッシュ工程と、を備える、圧電性単結晶基板の製造方法。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2020099962A 単結晶基板の研磨方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020099962A
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：JP2018239410
申请日：2018-12-21
申请人：住友金属鉱山株式会社
发明人：柿本実行
IPC分类号： H01L21/304 , B24B1/00 , B24B37/30
摘要：【課題】膨大な設備投資を必要とせずに塵等の異物に起因した単結晶基板の変形を防止して研磨後の基板表面に窪み等が形成されない単結晶基板の研磨方法を提供する。【解決手段】単結晶基板3とプレート4間に液体を介在させた状態でプレートに吸着保持された単結晶基板を、定盤に固定された研磨布上に載置し、研磨布に単結晶基板を一定の圧力で当接させ、かつ、研磨布と単結晶基板間に研磨液を供給しながら定盤を回転させて単結晶基板の片面を鏡面研磨する単結晶基板の研磨方法であって、単結晶基板の非研磨面に、軟質材料から成る厚さ0.5μm以上2.5μm以下の軟質層10を形成し、然る後、軟質層が形成された単結晶基板をプレートに吸着保持させて、単結晶基板とプレート間に介在する異物8による単結晶基板の変形を防止するようにしたことを特徴とする。【選択図】図3

7. 发明专利

JP2020033214A 酸化物単結晶基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020033214A
公开(公告)日：2020-03-05
申请号：JP2018160250
申请日：2018-08-29
申请人：住友金属鉱山株式会社
发明人：柿本実行
IPC分类号： C30B29/30 , H01L21/304 , B24B9/00 , B24B37/30 , B24B37/08 , H03H3/08 , C30B33/00
摘要：【課題】基板の外周端部にマイクロクラックと歪み層の残留がなく、デバイス製造プロセスでオリエンテーションフラットの検出ミスを防止できる酸化物単結晶基板の製造方法を提供する。【解決手段】酸化物単結晶から生成された単結晶基板の外周端部を面取りするベベル工程と、単結晶基板の表面と裏面を粗研磨するラッピング工程と、単結晶基板の外周端部を鏡面研磨するエッジポリッシュ工程とを少なくとも含む酸化物単結晶基板の製造方法であって、エッジポリッシュ工程は、ラッピング工程より先に行い、ベベル工程で加工された外周端部の領域を鏡面研磨した後に、ラッピング工程を行って、単結晶基板の表面と裏面を粗研磨することを特徴とする酸化物単結晶基板の製造方法により提供。【選択図】図1

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