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1. 发明专利

JP2018032828A 半導体装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018032828A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：JP2016166155
申请日：2016-08-26
申请人：学校法人法政大学 , 株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：三島友義 , 堀切文正
IPC分类号： H01L29/868 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L21/205 , C23C16/34 , H01L21/20 , H01L33/32 , H01L29/861
CPC分类号： H01L29/872 , C23C16/34 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/06 , H01L29/2003 , H01L29/47 , H01L29/66136 , H01L29/66143 , H01L29/861 , H01L29/8613 , H01L29/868 , H01L33/32
摘要：【課題】窒化ガリウム系半導体を用いたpn接合ダイオードとして機能し、p型半導体層の構成の単純化が図られた半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、窒化ガリウム系半導体で形成され、n型の導電型を有する第1半導体層と、第1半導体層の直上に積層され、p型不純物が1×10 20 cm −3 以上の濃度で添加された窒化ガリウム系半導体で形成され、p型の導電型を有する第2半導体層と、第1半導体層と接触するように配置された第1電極と、第2半導体層と接触するように配置された第2電極と、を有し、pn接合ダイオードとして機能する。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2017045859A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JP2017045859A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015167196
申请日：2015-08-26
申请人：学校法人法政大学 , 株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：中村徹 , 三島友義 , 太田博 , 山本康博 , 堀切文正
IPC分类号： H01L29/868 , H01L29/06 , H01L29/861
CPC分类号： H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要：【課題】耐圧特性の向上が図られた新規な構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置100は、第1、第2半導体層11、12が積層されpn接合を有するメサ構造13を含む半導体部材10と、メサ側面15上およびメサ外側上面16上に配置された絶縁膜20と、メサ上面14で第2半導体層12と接続されたp側電極30と、を有し、絶縁膜20は、第1および第2絶縁層を含んで構成される。第1絶縁層21は、メサ側面15とメサ外側の上面16とが接続する角部を覆い、第2絶縁層22は、メサ側面15のpn接合界面を覆うか、または、p側電極30の電極端直下で絶縁膜20の全厚さを構成して電極端直下を覆い、第2絶縁層22の比誘電率は、半導体部材10の比誘電率以上であり、第1絶縁層21の比誘電率は、第2絶縁層22の比誘電率よりも小さい。【選択図】図7
摘要翻译：在击穿电压特性的改进，以提供具有实现一种新颖的结构的半导体器件。一种半导体器件100具有第一，包括一个台面结构13的半导体部件10，其具有被PN结堆叠的第二半导体层11和12，设置在台面15和台面外上表面16的侧构成的绝缘膜20，在台面14的顶部连接到所述第二半导体层12的p侧电极30具有绝缘膜20包括第一和第二绝缘层。在第一绝缘层21覆盖的角部和台面侧表面15和台面外上表面16相连接，在第二绝缘层22，或覆盖台面15，或，p侧电极30的pn结界面侧覆盖所述电极端部之下的权利构成紧接在电极部的下方的绝缘膜20的整个厚度，在第二绝缘层22的介电常数不大于半导体元件10中，第一绝缘层21的比例的介电常数更小电介质比所述第二绝缘层22的介电常数常数更小。点域7

3. 发明专利

JP2017045858A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JP2017045858A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015167195
申请日：2015-08-26
申请人：学校法人法政大学 , 株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：中村徹 , 三島友義 , 太田博 , 山本康博 , 堀切文正
IPC分类号： H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L29/41 , H01L29/861
CPC分类号： H01L21/28 , H01L21/283 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要：【課題】耐圧特性の向上が図られた新規な構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】第1、第2半導体層が積層されpn接合を有するメサ構造を含む半導体部材10と、メサ側面上およびメサ外側上面上に配置された絶縁膜20と、メサ上面で第2半導体層12と接続され絶縁膜20上でメサ側面上およびメサ外側上面上に延在する第1電極30と、第1半導体層11の下面で第1半導体層11と接続された第2電極40とを有し、第1、第2電極間への逆バイアス印加時、メサ側面上の絶縁膜20側面とメサ外側上面上の絶縁膜20上面との接続角部(第1位置)と、メサ側面とメサ外側上面との接続角部(第2位置)との間の絶縁膜20に掛かる第1電圧が、第1電極と第2半導体層12との接触領域下方のpn接合界面(第3位置)と、第2位置の高さで第3位置の直下(第4位置)との間の第1半導体層11に掛かる第2電圧以下となるような絶縁膜20の容量を有する。【選択図】図1
摘要翻译：在击穿电压特性的改进，以提供具有实现一种新颖的结构的半导体器件。第一，包括具有第二半导体层的台面结构的半导体部件10的层叠的pn结，设置在台面侧表面和台面上的外侧上表面的绝缘膜20，第二半导体台面顶在外上表面上的台面侧表面和台面上延伸的第一电极30上，其被连接到层12绝缘膜20，连接到第一半导体层11中的第一半导体层11的下表面上的第二电极40 具有，首先，当一个反向偏压被施加在第二电极之间施加于绝缘膜20的绝缘膜20侧和台面侧表面（第一位置）的台面外上表面的顶面之间的连接角，在台面侧表面绝缘施加到膜20，pn结界面（第一电极和台面外上表面之间的连接角部之间的第二半导体层12（第二位置）和下方的接触区域的第三位置的第一电压），并且具有的容量绝缘膜20，使得在所述第二位置（第四位置）的高度的第二电压或更低施加到第三位置下权之间的第一半导体层11。 1点域

4. 发明专利

JP6683972B2 半導体装置とその製造方法および半導体積層物有权
公开(公告)号：JP6683972B2
公开(公告)日：2020-04-22
申请号：JP2016166155
申请日：2016-08-26
申请人：学校法人法政大学 , 株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：三島友義 , 堀切文正
IPC分类号： H01L29/868 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L21/205 , C23C16/34 , H01L21/20 , H01L33/32 , H01L29/861

5. 发明专利

JP6644295B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6644295B2
公开(公告)日：2020-02-12
申请号：JP2015167196
申请日：2015-08-26
申请人：学校法人法政大学 , 株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：中村徹 , 三島友義 , 太田博 , 山本康博 , 堀切文正
IPC分类号： H01L29/868 , H01L29/06 , H01L29/861

6. 发明专利

JP2019197808A 窒化ガリウム積層基板および半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019197808A
公开(公告)日：2019-11-14
申请号：JP2018090879
申请日：2018-05-09
申请人：学校法人法政大学 , 株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：三島友義 , 太田博 , 堀切文正 , 柴田真佐知
IPC分类号： H01L29/868 , H01L29/06 , H01L21/20 , H01L21/28 , H01L29/861
摘要：【課題】アバランシェ降伏による絶縁破壊が抑制され、かつ耐久性に優れる半導体装置を作製することができる窒化ガリウム積層基板を提供する。【解決手段】n型不純物を含むn型窒化ガリウム層と、n型窒化ガリウム層上に設けられ、p型不純物を含み、n型窒化ガリウム層との界面にpn接合を形成し、pn接合に逆方向バイアス電圧が印加された時にアバランシェ現象による降伏より先にパンチスルー現象による降伏が発生するようなp型不純物濃度および厚さを有するp型窒化ガリウム層と、p型窒化ガリウム層上に設けられ、p型不純物をp型窒化ガリウム層よりも高い濃度で含むp型窒化ガリウムから形成され、価電子帯と伝導帯との間に少なくとも1つ以上の中間準位を有し、p型窒化ガリウム層でのパンチスルー現象による降伏に起因する過電流を抑制するように構成される中間準位層と、を備える、窒化ガリウム積層基板が提供される。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2018200983A 結晶積層体、半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018200983A
公开(公告)日：2018-12-20
申请号：JP2017105756
申请日：2017-05-29
申请人：住友化学株式会社 , 株式会社サイオクス , 学校法人法政大学
发明人：堀切文正 , 吉田丈洋 , 三島友義
IPC分类号： C30B29/38 , C30B31/22 , C23C16/34 , H01L21/20 , H01L21/265
摘要：【課題】イオン注入後の結晶に対するアニール処理を短時間かつ正確に行う。【解決手段】In x Al y Ga 1−x−y Nの組成式(但し、0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)で表されるIII族窒化物の単結晶からなり、Si、GeおよびOからなる群より選択される少なくともいずれかのn型不純物を含有する結晶基板と、結晶基板の主面上にIII族窒化物の結晶がエピタキシャル成長してなり、C、Mg、Fe、Be、Zn、VおよびSbからなる群より選択される少なくともいずれかのp型不純物がイオン注入される結晶層と、を備え、2000nmの波長の光を照射したときの結晶基板の吸収係数が、常温の温度条件下において、1.8cm −1 以上4.6cm −1 以下の範囲内に収まるよう構成されている結晶積層体。【選択図】図1

8. 发明专利

JP6763540B2 半導体積層物の観察方法、観察装置、観察プログラム、および、半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6763540B2
公开(公告)日：2020-09-30
申请号：JP2016166156
申请日：2016-08-26
申请人：学校法人法政大学 , 株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：三島友義 , 堀切文正
IPC分类号： G01N21/66 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/20 , H01L21/329 , H01L33/42 , H01L33/00 , H01L21/66

9. 发明专利

JP6644294B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6644294B2
公开(公告)日：2020-02-12
申请号：JP2015167195
申请日：2015-08-26
申请人：学校法人法政大学 , 株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：中村徹 , 三島友義 , 太田博 , 山本康博 , 堀切文正
IPC分类号： H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L29/41 , H01L29/861

10. 发明专利

JPWO2018123285A1 III族窒化物積層体の製造方法、検査方法、および、III族窒化物積層体审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018123285A1
公开(公告)日：2019-10-31
申请号：JP2017040361
申请日：2017-11-09
申请人：住友化学株式会社 , 株式会社サイオクス , 学校法人法政大学
发明人：堀切文正 , 三島友義
IPC分类号： C30B25/20 , C23C16/34 , C23C14/14 , C23C14/58 , C23C16/01 , H01L21/205 , G01N21/64 , C30B29/38
摘要： III族窒化物積層体の製造方法は、III族窒化物基板、および、III族窒化物基板の主面の上方に形成されたIII族窒化物エピタキシャル層を有するIII族窒化物積層体を準備する工程と、III族窒化物エピタキシャル層の、III族窒化物基板の主面の法線方向とc軸方向とがなすオフ角の大きさが異なる複数の測定位置について、フォトルミネッセンスマッピング測定を行い、バンド端発光強度に対する黄色発光強度の比である相対黄色強度を取得し、オフ角の大きさと相対黄色強度との対応関係を取得する工程と、を有する。

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