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1. 发明专利

JPWO2017146214A1 太陽電池素子有权
公开(公告)号：JPWO2017146214A1
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：JP2017533988
申请日：2017-02-24
申请人：京セラ株式会社
发明人：吉田貴信 , 松岡遼
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068 , Y02E10/50
摘要：太陽電池素子は、半導体基板と、該半導体基板の上に位置しているパッシベーション層と、該パッシベーション層の上に位置している保護層と、該保護層の上に位置している第1電極と、を備えている。保護層は、第1電極の半導体基板側の第1下面からパッシベーション層の第1下面側の第1上面に至るまで位置している少なくとも1つの空隙部を有している。

2. 发明专利

JP2015065286A 光電変換装置の製造方法审中-公开
标题翻译：制造光电转换器件的方法
公开(公告)号：JP2015065286A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：JP2013198188
申请日：2013-09-25
申请人：京セラ株式会社
发明人：松岡遼 , 鈴木雅人 , 梅里計匡 , 小栗誠司
IPC分类号： H01L31/06
CPC分类号： Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要：【課題】光錯体を用いた容易な方法で高効率の光電変換装置を作製することを目的とする。【解決手段】光電変換装置11の製造方法は、1つの錯体分子中に11族元素、13族元素、有機硫黄化合物および有機セレン化合物を含む単一源錯体を有機溶媒に溶解した原料溶液を準備する工程と、電極層2上に原料溶液を塗布して皮膜Mを作製する工程と、皮膜Mを硫黄元素を含む第1雰囲気で加熱することによって16族元素としてセレン元素および硫黄元素を含むI−III−VI族化合物層3にする工程とを具備する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：通过使用光学复合物的简单方法制造高效光电转换装置。解决方案：制造光电转换装置11的方法包括以下步骤：制备通过溶解在有机溶剂中获得的原料溶液在一个复合分子中含有11族元素，13族元素，有机硫化合物和有机硒化合物的单一源复合物; 将原料溶液施加到电极层2上以形成膜M; 并在含有硫元素的第一气氛中加热膜M，从而使膜M成为含有硒元素和硫元素的第16族元素的I-III-VI族化合物层3。

3. 发明专利

JP6893438B2 太陽電池素子を製造する際に保護層の形成に用いられる絶縁性ペースト有权
公开(公告)号：JP6893438B2
公开(公告)日：2021-06-23
申请号：JP2017077981
申请日：2017-04-11
申请人：京セラ株式会社
发明人：佐藤順平 , 松岡遼 , 石川信哉
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068 , C08K3/36 , C08K9/04 , C08K5/54 , C08L83/04

4. 发明专利

JP2019204870A 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019204870A
公开(公告)日：2019-11-28
申请号：JP2018098676
申请日：2018-05-23
申请人：京セラ株式会社
发明人：久保新太郎 , 荒浪順次 , 松岡遼 , 古川喜彬
IPC分类号： H01L31/068
摘要：【課題】製造コストが低く、変換効率の高い太陽電池素子を提供する。【解決手段】太陽電池素子は半導体基板とトンネルオキサイド層と半導体層と第1電極とパッシベーション層と第2電極とを備える。半導体基板は、p型の多結晶シリコン基板である。トンネルオキサイド層は半導体基板の第1主面の上に位置する。半導体層はn型の多結晶シリコン層であって、トンネルオキサイド層の上に位置する。第1電極は半導体層の上に位置する。パッシベーション層は半導体基板の第2主面の上に位置する。第2電極はパッシベーション層を通って前記第2主面に接続する。【選択図】図2

5. 发明专利

JP2017190453A 絶縁性ペースト、太陽電池素子の製造方法および太陽電池素子审中-公开
公开(公告)号：JP2017190453A
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：JP2017077981
申请日：2017-04-11
申请人：京セラ株式会社
发明人：佐藤順平 , 松岡遼 , 石川信哉
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068 , C08K3/00 , C08K9/04 , C08K5/54 , C08L83/04
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：【課題】太陽電池素子におけるパッシベーション層の品質を向上させる。【解決手段】絶縁性ペーストは、シロキサン樹脂と、有機溶剤と、を含む。シロキサン樹脂は、フェニル基と、一般式C n H 2n+1 (ただし、nは自然数)で表されるアルキル基と、を有する。シロキサン樹脂において、アルキル基の数がフェニル基の数よりも多い。【選択図】図5

6. 发明专利

JP5918041B2 光電変換装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5918041B2
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：JP2012141052
申请日：2012-06-22
申请人：京セラ株式会社
发明人：浅尾英章 , 小川浩充 , 梅里計匡 , 松岡遼 , 牛尾紳之介 , 菊池通真 , 大川佳英
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0749
CPC分类号： Y02E10/541 , Y02P70/521

7. 发明专利

JP5709730B2 薄膜製造方法有权
标题翻译：薄膜的制造方法
公开(公告)号：JP5709730B2
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：JP2011249650
申请日：2011-11-15
申请人：京セラ株式会社
发明人：宮道祐介 , 浅野友司 , 堂本達也 , 松岡遼
IPC分类号： H01L21/205 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/541 , Y02P70/521

8. 发明专利

JP2021064800A 太陽電池素子审中-公开
公开(公告)号：JP2021064800A
公开(公告)日：2021-04-22
申请号：JP2020215125
申请日：2020-12-24
申请人：京セラ株式会社
发明人：佐藤順平 , 松岡遼 , 石川信哉
IPC分类号： C08L83/04 , C08K5/08 , H01L31/068 , H01L31/0216
摘要：【課題】太陽電池素子におけるパッシベーション層の品質を向上させる。【解決手段】太陽電池素子10は、半導体基板1と、パッシベーション層9と、保護層11と、を備えている。半導体基板は、表面にp型半導体領域2を有する。パッシベーション層は、p型半導体領域の上に位置し、酸化アルミニウムを含んでいる。保護層は、パッシベーション層の上に位置し、酸化シリコンを含んでいる。保護層は、炭素と酸素との二重結合、炭素と炭素との二重結合および炭素と窒素との二重結合から選択される1種以上の二重結合を含んでいる。【選択図】図8

9. 发明专利

JP6203990B1 太陽電池素子有权
公开(公告)号：JP6203990B1
公开(公告)日：2017-09-27
申请号：JP2017533988
申请日：2017-02-24
申请人：京セラ株式会社
发明人：吉田貴信 , 松岡遼
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068 , Y02E10/50
摘要：太陽電池素子は、半導体基板と、該半導体基板の上に位置しているパッシベーション層と、該パッシベーション層の上に位置している保護層と、該保護層の上に位置している第1電極と、を備えている。保護層は、第1電極の半導体基板側の第1下面からパッシベーション層の第1下面側の第1上面に至るまで位置している少なくとも1つの空隙部を有している。

10. 发明专利

JP6023336B2 光電変換装置有权
公开(公告)号：JP6023336B2
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：JP2015529541
申请日：2014-07-24
申请人：京セラ株式会社
发明人：谷川康太郎 , 松岡遼
IPC分类号： H01L31/036 , H01L31/0749
CPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/0322 , H01L31/046 , Y02E10/541 , Y02P70/521

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