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1. 发明专利

JP2018056148A レーザモジュールおよびレーザ加工装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018056148A
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：JP2015022851
申请日：2015-02-09
申请人：三菱電機株式会社 , 野田進
发明人：河▲崎▼ 正人 , 久場一樹 , 山本達也 , 西前順一 , 小島哲夫 , 野田進
IPC分类号： H01S5/42 , B23K26/064 , B23K26/073 , G02B6/42 , H01S5/022
CPC分类号： B23K26/064 , B23K26/073 , G02B6/42 , H01S5/022 , H01S5/42
摘要：【課題】小型であって高出力かつ高集光のレーザモジュールを提供する。【解決手段】レーザモジュール10は、ベース2の同一平面上に配置され、光ビームをそれぞれ放出する複数のレーザ素子1と、放出された光ビームを平行化するコリメート光学系3と、平行化された光ビームを集光する集光光学系4とを備える。レーザ素子1は、フォトニック結晶面発光レーザ(PCSEL)素子である。コリメート光学系3は、平行化された光ビームのうち隣り合う光ビームどうしが互いに接する状態で出射するように構成されている。【選択図】図1

2. 发明专利

JP6132995B2 レーザモジュールおよびレーザ加工装置有权
公开(公告)号：JP6132995B2
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：JP2016572776
申请日：2016-04-07
申请人：三菱電機株式会社 , 国立大学法人京都大学 , 浜松ホトニクス株式会社 , ローム株式会社
发明人：山本達也 , 久場一樹 , 河▲崎▼ 正人 , 井上陽子 , 小島哲夫 , 西前順一 , 野田進
IPC分类号： H01S5/42
CPC分类号： G02B6/42 , H01S5/022

3. 发明专利

JP6345100B2 ヒートシンクおよびレーザダイオード装置有权
公开(公告)号：JP6345100B2
公开(公告)日：2018-06-20
申请号：JP2014253931
申请日：2014-12-16
申请人：三菱電機株式会社
发明人：今野進 , 森田大嗣 , 黒川裕章 , 小島哲夫
IPC分类号： H01L23/473 , H01S5/024 , H01L23/36

4. 发明专利

JP6456250B2 レーザ装置およびレーザ加工機有权
公开(公告)号：JP6456250B2
公开(公告)日：2019-01-23
申请号：JP2015116863
申请日：2015-06-09
申请人：三菱電機株式会社
发明人：平山望 , 桂智毅 , 小島哲夫
IPC分类号： H01S3/00 , G02F1/37 , B23K26/082 , B23K26/08 , H01S3/10

5. 发明专利

JP2017186185A レーザ加工装置およびレーザ加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017186185A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：JP2016074610
申请日：2016-04-01
申请人：三菱電機株式会社
发明人：平山玲王奈 , 小島哲夫
IPC分类号： B23K26/00 , B23K26/382 , C03B33/09
CPC分类号： Y02P40/57
摘要：【課題】ガラスに対し、クラック、あるいは割れが少なく、テーパの少ない貫通穴を形成することの可能なレーザ加工装置およびレーザ加工方法を得る。【解決手段】ガラス基板1の厚み方向の途中までレーザ照射により加工穴2を形成する第1加工部100と、第1加工部で加工されたガラス基板1全体を加熱する第2加工部200とを備え、第2加工部200で加工されたガラス基板1に、第1加工部で加工された加工穴2の位置にさらにレーザを照射することを特徴とする。【選択図】図3

6. 发明专利

JP2016115833A ヒートシンクおよびその製造方法ならびにレーザダイオード装置有权
标题翻译：散热器及其制造方法和激光二极管器件
公开(公告)号：JP2016115833A
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：JP2014253931
申请日：2014-12-16
申请人：三菱電機株式会社
发明人：今野進 , 森田大嗣 , 黒川裕章 , 小島哲夫
IPC分类号： H01L23/473 , H01S5/024 , H01L23/36
摘要：【課題】高い冷却能力を有し、簡単かつ低コストで実現できるヒートシンクおよびその製造方法を提供する。【解決手段】ヒートシンク9は、単一のブロック部材で構成され、冷媒が流れる流路6を内部に備える。ブロック部材の外面から内部へ直線状に延びる複数の流路6が設けられ、各流路6は、ブロック部材の内部に位置する連通部Qで互いに連通している。その製造方法は、単一のブロック部材を用意する工程と、ブロック部材の外面から内部へ直線状に延びる第1流路6をドリル加工によって形成する工程と、ブロック部材の外面から内部へ直線状に延びる第2流路6を、ブロック部材の内部で第1流路6と連通するようにドリル加工によって形成する工程とを含む。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以简单地以低成本实现的具有高冷却性能的散热器，并提供其制造方法。散热器9由单块构件和内部包括制冷剂通道6。多个通道6被设置成从块件的外表面直线地延伸到其内部，并且相应的通道6在位于块构件中的互连部分Q处互连。制造散热片的方法包括制备单个块部件的步骤，用于形成通过钻孔从块体部件的外表面直线延伸到其内部的第一通道6的步骤和用于形成第二通道的步骤 6通过钻孔从块构件的外表面线性地延伸到其内部，以便与块构件中的第一通道6互连。选择的图：图1

7. 发明专利

JP2015130461A 半導体レーザ装置审中-公开
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：JP2015130461A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：JP2014002210
申请日：2014-01-09
申请人：三菱電機株式会社
发明人：小島哲夫 , 桂智毅 , 今野進
IPC分类号： H01S5/022
摘要：【課題】密閉筐体の内部に設置された半導体レーザを、密閉筐体の内部の湿度を低く抑えた上で効率よく冷却し、半導体レーザの劣化を防いで高出力なレーザビームを長期間安定して発生させることができる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】密閉筐体3の内部空間に半導体レーザ1が設置された半導体レーザ装置であって、半導体レーザ1が設置される設置部材2は、半導体レーザ1を冷却するための冷媒流路7を設置部材2の内部に有し、冷媒流路8a、8bの入口端部および出口端部を外部空間に有している。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体激光装置，其有效地冷却安装在密封壳体中的半导体激光器，同时将密封壳体中的湿度降低到低水平，从而防止半导体激光器的劣化稳定地产生高输出激光器光束长时间。解决方案：在半导体激光器件中，半导体激光器1安装在密封壳体3的内部空间中。安装半导体激光器1的安装部件2具有用于在其中冷却半导体激光器1，并且在外部空间还具有制冷剂通道8a，8b的入口端部和出口端部。

8. 发明专利

JP2015123461A レーザ加工方法および貫通穴が形成された基板の製造方法审中-公开
标题翻译：激光加工方法和通过孔形成的基底的制造方法
公开(公告)号：JP2015123461A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：JP2013268394
申请日：2013-12-26
申请人：三菱電機株式会社
发明人：桂智毅 , 中村玲王奈 , 藤川周一 , 小島哲夫
IPC分类号： B23K26/40 , B23K26/60 , B23K26/70 , B23K26/382
摘要：【課題】レーザ照射熱による基板の破損を抑制するとともに、レーザ照射による貫通穴が形成された基板からダミー板を容易に除去することができるレーザ加工方法および貫通穴が形成された基板の製造方法を得る。【解決手段】基板(1)に介在物質を介してダミー板(3)を積層させ、ダミー板の表面からレーザ照射して基板に貫通穴(4)を開けるレーザ加工方法において、基板とダミー板の間に介在物質としての液状介在物質(2)の層が形成されるように基板にダミー板を積層させるダミー板積層過程と、ダミー板積層過程後の基板に、ダミー板の表面からレーザ照射することにより、基板に貫通穴を形成するとともに液状介在物質に気泡(5)を発生させる穴開け加工過程と、穴開け加工過程後のダミー板を、貫通穴が形成された基板から除去するダミー板除去過程とを有する。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种激光加工方法，其能够抑制由激光照射热引起的基板损伤，以及容易地从通过激光照射形成通孔的基板去除的虚设板和用于基板的制造方法其中形成有通孔。解决方案：一种激光加工方法，其能够通过激光照射从虚拟板的表面以虚拟板（3）层压在虚拟板（3）上而使通孔（4）打开基板（1），用于在基板上层叠虚拟板使得可以在基板和虚拟板之间形成作为中间物质的液体介入物质（2）的层的虚拟板层压步骤具有用于在基板中形成通孔并使液体介入物质从虚拟板的表面通过激光照射产生气泡（5）的开孔步骤，以及虚拟板去除从形成有通孔的基板开孔后的步骤。

9. 发明专利

JP6675951B2 ビーム整形装置有权
公开(公告)号：JP6675951B2
公开(公告)日：2020-04-08
申请号：JP2016155677
申请日：2016-08-08
申请人：三菱電機株式会社
发明人：古田啓介 , 平山望 , 桂智毅 , 今野進 , 小島哲夫
IPC分类号： G02B27/09

10. 发明专利

JP6590749B2 レーザ加工装置およびレーザ加工方法有权
公开(公告)号：JP6590749B2
公开(公告)日：2019-10-16
申请号：JP2016074610
申请日：2016-04-01
申请人：三菱電機株式会社
发明人：平山玲王奈 , 小島哲夫
IPC分类号： B23K26/00 , B23K26/382 , C03B33/09

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