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1. 发明专利

JP2015162645A 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015162645A
公开(公告)日：2015-09-07
申请号：JP2014038576
申请日：2014-02-28
申请人：三菱電機株式会社
发明人：白水達也 , 寺井護 , 中木義幸 , 藤原伸夫 , 根岸哲 , 山本圭 , 今澤貴史
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/312 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/07
CPC分类号： H01L24/40 , H01L24/36 , H01L2224/40137 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181
摘要：【課題】半導体素子とそれを封止する封止樹脂との接着信頼性の高い構造の半導体装置を得る。【解決手段】半導体装置50は、上面に主電極1を有する半導体素子10と、半導体素子10を搭載するベース板26と、半導体素子10およびベース板26を封止する封止樹脂6とを備える。半導体素子10の上面(半導体基板3の上面)には、主電極1の外側に、シラノール基存在面を有する有酸素層15が形成されている。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有在半导体元件和密封半导体元件的密封树脂之间实现高粘合可靠性的结构的半导体器件。解决方案：半导体器件50包括：半导体元件10，其上部具有主电极1 表面; 安装在半导体元件10上的基板26; 以及密封半导体元件10和基板26的密封树脂6.在半导体元件10的上表面的主电极1的外侧形成具有硅烷醇基团表面的氧层15（上部半导体衬底3的表面）。

2. 发明专利

JP6056623B2 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6056623B2
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：JP2013084000
申请日：2013-04-12
申请人：三菱電機株式会社
发明人：藤原伸夫 , 香川泰宏 , 田中梨菜 , 福井裕
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/78

3. 发明专利

JPWO2019069416A1 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019069416A1
公开(公告)日：2019-11-14
申请号：JP2017036213
申请日：2017-10-05
申请人：三菱電機株式会社
发明人：古橋壮之 , 藤原伸夫 , 川畑直之
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要：スーパージャンクション層(90)は、第1導電型を有する第1ピラー(3)と、第2導電型を有する第2ピラー(4)とを含んでいる。第1ウェル(5a)は、第2ピラー(4)のそれぞれの上に設けられており、第1ピラー(3)に達しており、第2導電型を有している。第1不純物領域(6a)は、第1ウェル(5a)のそれぞれの上に設けられており、第1導電型を有している。第2ウェル(5b)は、第1ピラー(3)のそれぞれの上に設けられており、半導体層(1)に垂直な活性領域の断面において第2ピラー(4)から離れて配置されており、第2導電型を有している。第2不純物領域(6b)は、第2ウェル(5b)のそれぞれの上に設けられており、第1導電型を有している。

4. 发明专利

JP6093910B2 熱電変換装置および熱電変換装置の製造方法有权
标题翻译：用于制造热电转换元件和热电转换器的方法
公开(公告)号：JP6093910B2
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：JP2016515833
申请日：2014-08-25
申请人：三菱電機株式会社
发明人：山下彰 , 本並薫 , 藤原伸夫 , 時岡秀忠
IPC分类号： H01L35/34 , H01L35/16 , H01L35/18 , H01L35/20 , H01L35/22 , H01L35/32
CPC分类号： H01L35/32 , F01N5/025 , H01L35/10 , H01L35/34 , H01L35/16 , H01L35/18 , H01L35/20

5. 发明专利

JP6377302B1 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6377302B1
公开(公告)日：2018-08-22
申请号：JP2018519788
申请日：2017-10-05
申请人：三菱電機株式会社
发明人：古橋壮之 , 藤原伸夫 , 川畑直之
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要：スーパージャンクション層(90)は、第1導電型を有する第1ピラー(3)と、第2導電型を有する第2ピラー(4)とを含んでいる。第1ウェル(5a)は、第2ピラー(4)のそれぞれの上に設けられており、第1ピラー(3)に達しており、第2導電型を有している。第1不純物領域(6a)は、第1ウェル(5a)のそれぞれの上に設けられており、第1導電型を有している。第2ウェル(5b)は、第1ピラー(3)のそれぞれの上に設けられており、半導体層(1)に垂直な活性領域の断面において第2ピラー(4)から離れて配置されており、第2導電型を有している。第2不純物領域(6b)は、第2ウェル(5b)のそれぞれの上に設けられており、第1導電型を有している。

6. 发明专利

JP6320545B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6320545B2
公开(公告)日：2018-05-09
申请号：JP2016550093
申请日：2015-09-09
申请人：三菱電機株式会社
发明人：福井裕 , 香川泰宏 , 田口健介 , 藤原伸夫 , 菅原勝俊 , 田中梨菜
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L23/482 , H01L29/0607 , H01L29/0623 , H01L29/0661 , H01L29/1045 , H01L29/1608 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66068 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/78 , H01L29/7813

7. 发明专利

JP2016207671A 炭化珪素半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：碳化硅半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016207671A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2015082916
申请日：2015-04-15
申请人：三菱電機株式会社
发明人：藤原伸夫 , 香川泰宏 , 田中梨菜 , 福井裕 , 菅原勝俊
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/28 , H01L29/78
摘要：【課題】炭化珪素半導体装置の面積を拡大することなく、ゲート電極の抵抗を低下させた炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】第1導電型の炭化珪素からなる基板1と、基板1の上面に形成された第1導電型のドリフト層2aと、ドリフト層2aの上面に形成された第2導電型のベース領域3と、ベース領域3の上面に形成された第1導電型のソース領域4と、ベース領域3及びソース領域4を貫通したトレンチ5の側面及び下面に形成されたゲート絶縁膜6と、トレンチ5内にゲート絶縁膜6を介して埋め込まれ、上面がソース領域4の上面より上方に位置するゲート電極7と、ソース領域4の上面に形成されたソース電極9とを備え、ゲート電極7は、ソース領域4に挟まれた位置における第1の幅Aが、ソース領域4の上面より上方における第2の幅B以上であることを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：不增加的碳化硅半导体器件的面积，以提供一个碳化硅半导体器件的具有减少的栅电极的电阻。且由第一导电类型的碳化硅构成的基板1，形成在形成在衬底1的上表面上的漂移层2a的上表面，其中所述第一导电类型和第二导电型基极的漂移层2a 和区域3中，形成在基极区域3的上表面的第一导电型源极区域4，形成在侧表面和穿透基极区域3和源极区4的沟槽5的底部表面，沟槽上的栅极绝缘膜6 嵌入式通过栅极在5绝缘膜6包括上表面的栅电极7位于上述源极区域4，形成在源极区域4，栅电极7的上表面上的源极电极9的上表面，在夹在所述源极区域4之间的位置，其特征在于，在比上述源极区域4的上表面上的第二宽度B的第一宽度的。点域1

8. 发明专利

JP5840296B2 炭化珪素半導体装置とその製造方法有权
标题翻译：碳化硅半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP5840296B2
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：JP2014528110
申请日：2013-07-25
申请人：三菱電機株式会社
发明人：藤原伸夫 , 香川泰宏 , 田中梨菜 , 福井裕
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/0475 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L29/0696 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66068 , H01L29/66666 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L21/046 , H01L21/049

9. 发明专利

JP2015230932A 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：硅碳化硅半导体器件和硅碳化硅半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2015230932A
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：JP2014115391
申请日：2014-06-04
申请人：三菱電機株式会社
发明人：福井裕 , 香川泰宏 , 田口健介 , 藤原伸夫 , 菅原勝俊 , 田中梨菜
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
摘要：【課題】本発明は、セルピッチの増大を生じさせずに、高い耐圧を確保することができる技術を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、外部トレンチ6aは、平面視において、複数のソース領域5を囲んで形成され、かつ、ドリフト領域3の表面からウェル領域4を貫通しドリフト領域の内部まで達する。ゲート絶縁膜(7、16)は、外部トレンチの内部および外部トレンチの周辺を覆って形成される厚さが、トレンチ6の内部およびトレンチの周辺を覆って形成される厚さよりも厚い。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够确保高击穿电压而不引起电池间距增加的技术。解决方案：碳化硅半导体器件包括：外部沟槽6a，其形成为在平面图中围绕多个源极区域5 并从漂移区域3的表面刺穿阱区域4到达漂移区域的内部; 以及各自具有形成为覆盖外部沟槽的内部的膜的厚度和外部沟槽的周长的栅极绝缘膜（7,16）比形成为覆盖沟槽6的内部的膜的厚度厚，沟槽的圆周。

10. 发明专利

JP2015065365A 絶縁ゲート型炭化珪素半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：绝缘硅碳化硅半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015065365A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：JP2013199268
申请日：2013-09-26
申请人：三菱電機株式会社
发明人：福井裕 , 香川泰宏 , 田中梨菜 , 藤原伸夫
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
摘要：【課題】本発明は、チャネル領域のドーパント濃度の設計自由度が高く、トレンチの側壁面ごとの閾値電圧又はオン抵抗のばらつきが小さい、絶縁ゲート型炭化珪素半導体装置およびその製造方法の提供を目的とする。【解決手段】炭化珪素半導体基板1はオフ角を有し、ソース領域6の表面からドリフト領域4に達するトレンチ7は第1側壁面17および第2側壁面18を有する。トレンチ7の内部にはゲート絶縁膜8を介してゲート電極9が形成され、ウェル領域5内の隣り合うトレンチ7から等距離の位置には、第2導電型の高濃度ウェル領域13が形成される。トレンチ7の第1側壁面17側における閾値電圧と、トレンチ7の第2側壁面18側における閾値電圧とを平準化する閾値電圧調整構造を備える。第1側壁面17に隣接するウェル領域5と第2側壁面18に隣接するウェル領域5の不純物濃度は同一である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种绝缘栅极碳化硅半导体器件，其具有沟道区域中掺杂剂浓度设计的高自由度，并且在沟槽的每个侧壁上的阈值电压或导通电阻的变化小，并提供其制造方法。解决方案：碳化硅半导体衬底1具有偏角，并且从源极区域6的表面到达漂移区域4的沟槽7各自具有第一侧壁表面17 和第二侧壁表面18.在每个沟槽7中经由栅极绝缘膜8形成栅电极9，并且在与相邻的距离相同的距离的位置处形成第二导电型高浓度阱区域13 绝缘栅极碳化硅半导体器件包括阈值电压调节结构，该阈值电压调节结构使第一侧壁表面17侧的阈值电压和第二侧壁表面17侧的阈值电压每个沟槽7的侧壁表面18侧。与第一侧壁表面17相邻的阱区域5中的杂质浓度与邻近第二侧壁表面18的阱区域5中的杂质浓度相同。

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