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1. 发明专利

JP2021190640A パワーモジュール审中-公开
公开(公告)号：JP2021190640A
公开(公告)日：2021-12-13
申请号：JP2020096847
申请日：2020-06-03
申请人：三菱電機株式会社
发明人：椿谷貴史 , 山口公輔
IPC分类号： H01L25/18 , H01L25/07
摘要：【課題】複数の素子を積層することによる利点を利用しつつ、制御素子へシャント電圧が及ぼす悪影響を、複雑な構成を用いることなく低減することができるパワーモジュールを提供する。【解決手段】第2の半導体スイッチング素子141bは、第1の半導体スイッチング素子141aに直列に接続されており、厚み方向において第1の半導体スイッチング素子141aに少なくとも部分的に積層されている。第1の制御素子102は、第1の半導体スイッチング素子141aおよび第2の半導体スイッチング素子141bを制御し、シャント電圧を参照して過電流保護動作を行う。第1の制御素子102は面内方向において第1の半導体スイッチング素子141aおよび第2の半導体スイッチング素子141bから外れて配置されている。【選択図】図2

2. 发明专利

JP6272573B2 電力用半導体装置有权
公开(公告)号：JP6272573B2
公开(公告)日：2018-01-31
申请号：JP2017535206
申请日：2015-08-20
申请人：三菱電機株式会社
发明人：山口公輔 , 田中智典
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/28
CPC分类号： H02M1/00 , H01L23/28 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/42 , H01L2224/0603 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H02M7/003 , H02M2001/0038 , H02M2001/322

3. 发明专利

JP2016032021A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016032021A
公开(公告)日：2016-03-07
申请号：JP2014153806
申请日：2014-07-29
申请人：三菱電機株式会社
发明人：山口公輔 , 田中智典 , 中川信也 , 岩上徹
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H02M7/48 , H01L23/48
CPC分类号： H02M7/003 , H02M5/4585 , H02M7/06 , H02M7/537 , H05K7/1432 , H01L2224/48139 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113
摘要：【課題】外部接続時における配線の容易化を図った、コンバータ部及びインバータ部が一体化された半導体装置を得る。【解決手段】コンバータ部10のコンバータ出力端子8P及び8Nを第1の側面側に隣接配置し、さらに、コンバータ出力端子8Nに隣接して複合モジュール1の外部接続用の外部端子18を配置している。コンバータ部10のAC入力端子7R,7S,7Tを第2の側面側に配置している。そして、コンバータ出力端子8P,8N間及びコンバータ出力端子8N,外部端子18間はそれぞれ形成ピッチd1に設定され、AC入力端子7R,7S及びAC入力端子7S,7T間はそれぞれ形成ピッチd2に設定され、形成ピッチd1と形成ピッチd2とは同一長(d1=d2)に設定される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：获得在外部连接时实现容易布线的半导体器件，并且转换器部件和逆变器部件被集成。解决方案：在半导体器件中，转换器部件10的转换器输出端子8P和8N是相邻设置在第一侧面侧上，并且用于复合模块1的外部连接的外部端子18被布置成与转换器输出端子8N相邻。转换器部10的交流输入端子7R，7S，7T配置在第二侧面侧。转换器输出端子8P，8N之间的形成间距和转换器输出端子8N与外部端子18之间的形成间距被设定为各自的形成间距d1，并且AC输入端子7R，7S与成形交流输入端子7S，7T之间的间距被设定为各自的成形间距d2，其中成形间距d1和成形间距d2被设定为相同的长度（d1 = d2）。选择的图示：图1

4. 发明专利

JP6223296B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6223296B2
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：JP2014153806
申请日：2014-07-29
申请人：三菱電機株式会社
发明人：山口公輔 , 田中智典 , 中川信也 , 岩上徹
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H02M7/48 , H01L23/48
CPC分类号： H02M7/003 , H02M5/4585 , H02M7/06 , H02M7/537 , H05K7/1432 , H01L2224/48139 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113

5. 发明专利

JP2020155532A 半導体装置の製造方法および半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020155532A
公开(公告)日：2020-09-24
申请号：JP2019051337
申请日：2019-03-19
申请人：三菱電機株式会社
发明人：横山脩平 , 杉町誠也 , 長谷川真紀 , 山口公輔 , 柴田祥吾
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/56 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/48
摘要：【課題】本発明は、基板への実装性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明による半導体装置の製造方法は、(a)2本の端子に接続されたパワーチップ用ダイパッド12と、1本の端子に接続された制御素子用ダイパッド13と、2本の端子を含む複数の端子間を連結するタイバー部14,15とを有するリードフレーム9を準備する工程と、(b)パワーチップ用ダイパッド12にパワーチップ2およびフリーホイールダイオード3を載置し、制御素子用ダイパッド13にIC10,11を載置する工程と、(c)タイバー部14,15が外部に露出しかつ2本の端子および1本の端子を含む複数の端子が外方に突出するようにモールド樹脂8で封止する工程と、(d)タイバー部14,15を、2本の端子を連結するタイバー部14を残して削除する工程とを備える。【選択図】図3

6. 发明专利

JP2018018952A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018018952A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：JP2016148056
申请日：2016-07-28
申请人：三菱電機株式会社
发明人：柴田祥吾 , 中川信也 , 山口公輔
IPC分类号： H01L23/50 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/36
CPC分类号： H01L25/16 , H01L23/49513 , H01L23/49548 , H01L23/49565 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L23/49586 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/00014
摘要：【課題】熱干渉を低減し、かつ、放熱性を向上させるとともに、製品コストの増加を抑制できる半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体装置1は、パワーチップ8,9と、パワーチップ8,9を駆動するICチップ10と、薄肉部3,3aと、薄肉部3,3aの厚みよりも厚い厚肉部4とを有するリードフレーム2とを備えている。パワーチップ8,9は厚肉部4に搭載されている。また、ICチップ10は薄肉部3aに搭載されている。【選択図】図2

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