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1. 发明专利

JP4519695B2 Thin-film manufacturing equipment and thin film manufacturing method 有权
公开(公告)号：JP4519695B2
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：JP2005096296
申请日：2005-03-29
申请人：三菱重工業株式会社
发明人：啓介川村 , 正裕榊 , 田頭　　健二 , 浩真島 , 良昭竹内
IPC分类号： H01L21/205 , H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/50

2. 发明专利

JP4088617B2 Plasma cvd apparatus and cleaning method 有权
公开(公告)号：JP4088617B2
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：JP2004251803
申请日：2004-08-31
申请人：三菱重工業株式会社
发明人：啓介川村 , 浩真島 , 良昭竹内 , 暁己高野
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/304 , H01L21/3065

3. 发明专利

JP3702235B2 Silicon deposited film removal method 有权
公开(公告)号：JP3702235B2
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：JP2002065342
申请日：2002-03-11
申请人：三菱重工業株式会社
发明人：茂一上野 , 山田　　明 , 啓介川村 , 雅幸深川 , 浩真島 , 良昭竹内 , 英四郎笹川 , 暁己高野
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/3065

4. 发明专利

JP3377773B2 Feeding method to the discharge electrode, high frequency plasma generation method and a semiconductor manufacturing method 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP3377773B2
公开(公告)日：2003-02-17
申请号：JP2000085281
申请日：2000-03-24
申请人：三菱重工業株式会社
发明人：宏次佐竹 , 英男山越 , 正義村田 , 浩真島 , 良昭竹内 , 辰史青井
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/505 , H01L21/205 , H01L21/302 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32165

5. 发明专利

JP5656504B2 真空処理装置およびプラズマ処理方法有权
标题翻译：真空处理装置和等离子体处理方法
公开(公告)号：JP5656504B2
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：JP2010178110
申请日：2010-08-06
申请人：三菱重工業株式会社
发明人：真島　浩 , 浩真島 , 竹内　良昭 , 良昭竹内 , 禎子中尾 , 禎子中尾 , 笹川　英四郎 , 英四郎笹川 , 宮園　直之 , 直之宮園 , 大坪　栄一郎 , 栄一郎大坪
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/505 , H05H1/46

6. 发明专利

JP5330723B2 Photoelectric conversion device 有权
公开(公告)号：JP5330723B2
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：JP2008088593
申请日：2008-03-28
申请人：三菱重工業株式会社
发明人：真之呉屋 , 英四郎笹川 , 浩真島 , 智嗣坂井
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/02366 , H01L31/077 , H01L31/18 , Y02E10/50
摘要： A large surface area photovoltaic device having high conversion efficiency and excellent mass productivity is provided. A photovoltaic device 100 having a photovoltaic layer 3 comprising a crystalline silicon layer formed on a substrate 1, wherein the crystalline silicon layer has a crystalline silicon i-layer 42, and the crystalline silicon i-layer 42 has a substrate in-plane distribution represented by an average value for the Raman peak ratio, which represents the ratio of the Raman peak intensity for the crystalline silicon phase relative to the Raman peak intensity for the amorphous silicon phase, that is not less than 4 and not more than 8, a standard deviation for the Raman peak ratio that is not less than 1 and not more than 3, and a proportion of regions in which the Raman peak ratio is not more than 4 of not less than 0% and not more than 15%. Also, a photovoltaic device 100 in which the size of the surface of the substrate 1 on which the photovoltaic layer 3 is formed is at least 1 m square, and in which the crystalline silicon i-layer 42 has a substrate in-plane distribution represented by an average value for the Raman peak ratio that is not less than 5 and not more than 8, a standard deviation for the Raman peak ratio that is not less than 1 and not more than 3, and a proportion of regions in which the Raman peak ratio is not more than 4 of not less than 0% and not more than 10%.

7. 发明专利

JP4410788B2 Plasma-enhanced chemical vapor deposition method and a plasma chemical vapor deposition apparatus 有权
公开(公告)号：JP4410788B2
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：JP2006313142
申请日：2006-11-20
申请人：三菱重工業株式会社
发明人：山田　　明 , 啓介川村 , 田頭　　健二 , 浩真島 , 良昭竹内
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/509 , H05H1/46

8. 发明专利

JP4088616B2 Plasma cvd apparatus, a substrate processing system, and a film-forming, self-cleaning method 有权
公开(公告)号：JP4088616B2
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：JP2004249939
申请日：2004-08-30
申请人：三菱重工業株式会社
发明人：啓介川村 , 田頭　　健二 , 浩真島 , 良昭竹内
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/509 , H01L21/3065

9. 发明专利

JP3814218B2 Feeding method to the discharge electrode 有权
公开(公告)号：JP3814218B2
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：JP2002104281
申请日：2002-04-05
申请人：三菱重工業株式会社
发明人：宏次佐竹 , 英男山越 , 正義村田 , 浩真島 , 良昭竹内 , 辰史青井
IPC分类号： C23C16/505 , H01L21/205

10. 发明专利

JP5199962B2 Vacuum processing apparatus 有权
公开(公告)号：JP5199962B2
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：JP2009182773
申请日：2009-08-05
申请人：三菱重工業株式会社
发明人：良信河合 , 良昭竹内 , 敦洋彌政 , 立享西宮 , 浩真島 , 智義馬場 , 禎子中尾 , 康弘山内
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/24 , C23C16/505 , H01L21/205

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