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1. 发明专利

JP6455445B2 窒化チタン除去用液体組成物およびそれを用いた半導体素子の洗浄方法、並びに半導体素子の製造方法有权
公开(公告)号：JP6455445B2
公开(公告)日：2019-01-23
申请号：JP2015559121
申请日：2015-01-23
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：玉井聡 , 島田憲司
IPC分类号： C11D7/28 , H01L21/308 , H01L21/304

2. 发明专利

JP5835534B1 半導体素子の洗浄用液体組成物、および半導体素子の洗浄方法有权
标题翻译：的半导体装置的洗涤液组合物，以及用于清洗半导体元件的制造方法
公开(公告)号：JP5835534B1
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：JP2015533336
申请日：2015-03-31
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：島田憲司
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： C11D7/36 , C11D11/0047 , C11D3/3947 , C11D7/06 , C11D7/3209 , C11D7/3281 , H01L21/02063 , H01L21/32134 , H01L21/31144
摘要：本発明は、半導体集積回路の製造工程において使用される、低誘電率層間絶縁膜やコバルトまたはコバルト合金のダメージを抑制しつつ、ハードマスクやドライエッチング残渣を除去する半導体素子の洗浄用液体組成物およびそれを用いた半導体素子の洗浄方法を提供することを目的とする。本発明の半導体素子の洗浄用液体組成物は、過酸化水素を10〜30質量%、水酸化カリウムを0.005〜0.7質量%、アミノポリメチレンホスホン酸を0.00001〜0.01質量%、アミン類およびアゾール類から選ばれる少なくとも1種を0.001〜5質量%および水を含む。該洗浄用液体組成物を半導体素子と接触させることにより半導体素子を洗浄することができる。
摘要翻译：本发明将在半导体集成电路的制造过程中使用的，抑制低介电常数中间层的损坏绝缘膜或钴或钴合金，半导体器件的洗涤液组合物用于去除硬掩模和干法刻蚀的残基而本发明的另一个目的是提供用于清洁使用相同的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的洗涤液组合物，过氧化氢10氢氧化钾的30重量％的从0.005至0.7重量％，按重量计的氨基聚亚甲基膦酸，胺和唑类的0.00001％包括0.001的至少一个选自5重量％和水。有可能通过在半导体器件中的洗涤液组合物接触来清洁半导体器件。

3. 发明专利

JP6760309B2 半導体基板材料に撥アルコール性を付与する液体組成物および該液体組成物を用いた半導体基板の表面処理方法有权
公开(公告)号：JP6760309B2
公开(公告)日：2020-09-23
申请号：JP2017561604
申请日：2017-01-10
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：原木優 , 島田憲司
IPC分类号： H01L21/304

4. 发明专利

JP6747432B2 ウェハを再生するための炭素含有シリコン酸化物を含む材料の洗浄液および洗浄方法有权
公开(公告)号：JP6747432B2
公开(公告)日：2020-08-26
申请号：JP2017512508
申请日：2016-04-08
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：尾家俊行 , 島田憲司
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/308

5. 发明专利

JP6589883B2 半導体素子を洗浄するためのアルカリ土類金属を含む洗浄液、およびそれを用いた半導体素子の洗浄方法有权
公开(公告)号：JP6589883B2
公开(公告)日：2019-10-16
申请号：JP2016558930
申请日：2015-10-02
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：尾家俊行 , 島田憲司
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/027 , H01L21/3205 , H01L21/768 , G03F7/42 , C11D7/38 , C11D7/18 , C11D7/02 , C11D17/08 , C11D7/08 , C11D7/10 , H01L21/304

6. 发明专利

JP6589882B2 タンタルを含む材料のダメージを抑制した半導体素子の洗浄液、およびこれを用いた洗浄方法有权
公开(公告)号：JP6589882B2
公开(公告)日：2019-10-16
申请号：JP2016558928
申请日：2015-10-02
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：尾家俊行 , 島田憲司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3205 , H01L21/768 , C11D17/08 , C11D7/10 , C11D7/18 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/38 , C11D7/06 , H01L21/304

7. 发明专利

JP6421902B1 半導体基板に撥アルコール性を付与する表面処理方法有权
公开(公告)号：JP6421902B1
公开(公告)日：2018-11-14
申请号：JP2018535073
申请日：2018-03-16
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：島田憲司 , プトラプリアンガプルダナ
IPC分类号： C09K3/00 , H01L21/304
摘要：本発明によれば、下記式(1)から(6)で表される界面活性剤またはその塩の2種以上をそれぞれ0.01〜15質量%と水を含むことを特徴とする液体組成物と半導体基板とを接触させ、半導体基板に撥アルコール性を付与する半導体基板の表面処理方法を提供することができる。【化1】 (式(1)〜(6)中、R F は、炭素数2〜10のアルキル基などの水素をフッ素に置き換えた化合物からなる群より選択される。R 1 は、共有結合、炭素数1〜6のアルキレンなどからなる群より選択される。R HP は、ヒドロキシル基、スルホン酸基及びカルボキシル基からなる群より選択される。R 2 、R 3 及びR 4 は、水素または炭素数1〜6のアルキル基などからなる群より選択される。R 5 、R 6 及びR 7 は、水素または炭素数1〜6のアルキル基などからなる群より選択される。X − は、水酸化物イオンなどからなる群より選択される。aは3以上20以下の整数を示す。)

8. 发明专利

JPWO2017122600A1 半導体基板材料に撥アルコール性を付与する液体組成物および該液体組成物を用いた半導体基板の表面処理方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017122600A1
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：JP2017000360
申请日：2017-01-10
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：原木優 , 島田憲司
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： C09K3/00 , H01L21/304
摘要：本発明は、半導体基板材料に撥アルコール性を付与する液体組成物であって、式(1): 【化1】 (式中、nは3以上20以下の整数である。) で示される置換基およびアニオン性親水基を有する界面活性剤(A)0.01〜15質量%と、重量平均分子量が200以上500000以下であり、1g当たり4mmol以上30mmol以下のアミノ基を有する化合物(B)であって、ポリエチレンイミン、および式(2)もしくは(3): 【化2】 (式中、R 1 およびR 2 はそれぞれ独立して、水素または炭素数1〜6のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基若しくはアリール基である。) 【化3】 (式中、R 3 およびR 4 はそれぞれ独立して、水素または炭素数1〜6のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基若しくはアリール基であり、 X − はフッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、フルオロホウ酸イオン、リン酸イオン、酢酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、メタン硫酸イオン、水酸化物イオン、過塩素酸イオンまたは硝酸イオンである。) で示される置換基を有する化合物からなる群から選択される化合物(B)0.0001〜20質量%とを含む液体組成物およびそれを用いた半導体基板の表面処理方法を提供する。

9. 发明专利

JP5853953B2 トランジスタの製造方法有权
公开(公告)号：JP5853953B2
公开(公告)日：2016-02-09
申请号：JP2012529535
申请日：2011-07-26
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：島田憲司 , 松永裕嗣 , 安部幸次郎 , 山田健二
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/308 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/401 , C09K13/06 , C09K13/08 , H01L21/02068 , H01L21/28079 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L21/82345 , H01L21/823842 , H01L29/66545

10. 发明专利

JP6555274B2 コバルトのダメージを抑制した半導体素子の洗浄液、およびこれを用いた半導体素子の洗浄方法有权
公开(公告)号：JP6555274B2
公开(公告)日：2019-08-07
申请号：JP2016558929
申请日：2015-10-02
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：尾家俊行 , 島田憲司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , C11D17/08 , C11D7/10 , C11D7/18 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/38 , C11D7/06 , H01L21/304

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