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1. 发明专利

JP2016079049A 単結晶シリコン引上装置、および単結晶シリコン引上方法审中-公开
标题翻译：单晶硅拉丝装置及单晶硅拉丝法
公开(公告)号：JP2016079049A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：JP2014209271
申请日：2014-10-10
申请人：三菱マテリアルテクノ株式会社
发明人：鈴木洋二 , 鈴木義憲
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06
摘要：【課題】単結晶シリコンが有転位化した後に、石英ルツボに残ったシリコン融液の残量に応じて、別な単結晶シリコンを引上げる際の温度制御線を容易に生成し、効率的に単結晶シリコンの製造を可能にする。【解決手段】前記ヒータは、ルツボ温度と単結晶シリコンの引上長との関係を示す第一の温度制御線に沿って制御され、該第一の温度制御線は、単結晶シリコンのショルダー部を形成するための前段部温度制御線と、該ショルダー部に続く直胴部を形成するための直胴部温度制御線とを備え、前記制御部は、前記単結晶シリコンが予め設定した引上長よりも短い位置で有転位化した際に、この有転位化した位置に対応する前記直胴部温度制御線上の位置以降の未実行の温度制御線を、前記前段部温度制御線の終点に接続して、第二の温度制御線を生成する。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：通过在单晶硅脱位之后，根据在石英坩埚中残留的硅熔体的量容易地形成用于绘制其它单晶硅的温度控制曲线，有效地制造单晶硅。解决方案：加热器被控制根据指示坩埚温度和单晶硅的上拉长度之间的关系的第一温度控制曲线。第一温度控制曲线包括用于形成单晶硅的肩部的前级部温度控制曲线和用于形成肩部后面的躯干部的躯干部温度控制曲线。当单晶硅在比预定拉伸长度短的位置脱位时，控制单元将与位错位置对应的主体部温度控制曲线上的位置与终点位置之间的未切割温度控制曲线连接预部分温度控制曲线形成第二温度控制曲线。选择图：图4

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