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1. 发明专利

JPWO2020105648A1 半導体素子中間体、及び半導体素子中間体の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2020105648A1
公开(公告)日：2021-09-27
申请号：JP2019045323
申请日：2019-11-19
申请人：三井化学株式会社
发明人：和知浩子 , 田中博文 , 茅場靖剛 , 藤井謙一
IPC分类号： H01L21/316
摘要：凹部を表面に有する基板を準備する準備工程と、前記基板の温度を250℃以上とし、原子層堆積法により、下記一般式(1)で表される化合物を含む酸化スズ前駆体を用いて、上記凹部に酸化スズを充填する充填工程と、を含む半導体素子中間体の製造方法。一般式(1)中、R 1 〜R 4 は、それぞれ独立に、炭素数1〜6のアルキル基を表す。

2. 发明专利

JPWO2017086360A1 半導体用膜組成物、半導体用膜組成物の製造方法、半導体用部材の製造方法、半導体用工程材の製造方法及び半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017086360A1
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：JP2017551912
申请日：2016-11-16
申请人：三井化学株式会社
发明人：茅場靖剛 , 田中博文 , 和知浩子 , 小野昇子
IPC分类号： H01L21/312 , C08G73/04
CPC分类号： C08K5/092 , C08L101/02
摘要： 1級窒素原子及び2級窒素原子の少なくとも1つを含むカチオン性官能基を有し、重量平均分子量が1万以上40万以下である化合物(A)と、分子内に−C(=O)OX基(Xは、水素原子又は炭素数1以上6以下のアルキル基である)を3つ以上有し、3つ以上の−C(=O)OX基のうち、1つ以上6つ以下が−C(=O)OH基であり、重量平均分子量が200以上600以下である架橋剤(B)と、水(D)と、を含み、前記化合物(A)は脂肪族アミンである、半導体用膜組成物。

3. 发明专利

JP6058788B2 複合体の製造方法及び組成物有权
标题翻译：制备和组成的复合物的
公开(公告)号：JP6058788B2
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：JP2015508256
申请日：2014-03-11
申请人：三井化学株式会社
发明人：茅場靖剛 , 小野昇子 , 田中博文 , 鈴木常司 , 三尾茂 , 高村一夫
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532 , C08G73/02 , H01L21/312
CPC分类号： H01L23/293 , C08G73/0206 , C08K5/0091 , C08L79/02 , C09J179/04 , H01L21/0206 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/56 , H01L23/528 , H01L23/53209 , H01L23/5329 , H01L2924/0002

4. 发明专利

JP5840042B2 半導体用シール強化組成物、半導体装置および半導体装置の製造方法有权
标题翻译：半导体密封增强组合物，半导体器件和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP5840042B2
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：JP2012065657
申请日：2012-03-22
申请人：三井化学株式会社
发明人：高村一夫 , 鈴木常司 , 小野昇子 , 田中博文 , 茅場靖剛
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/312

5. 发明专利

JPWO2020196836A1 ペリクル审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020196836A1
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：JP2020014049
申请日：2020-03-27
申请人：三井化学株式会社
发明人：佐藤靖 , 畦崎崇 , 田中博文 , 伊藤健
IPC分类号： C08F8/00 , C08F20/10 , C08F290/12 , C09J7/38 , C09J7/29 , C09J133/00 , G03F1/62
摘要：溶液安定性の高い粘着剤溶液を提供し、当該粘着剤溶液を用いることで、糊残りが少なく、アウトガスの発生が抑制されたペリクルを提供することを課題する。本発明は、ペリクル枠と、ペリクル枠の一端面に張設されたペリクル膜と、ペリクル枠の他端面に設けられた粘着剤層とを有するペリクルであって、粘着剤層が、ポリマー(A)とラジカル重合開始剤(B)とを含む樹脂組成物の硬化物である(メタ)アクリル系粘着剤を含み、ポリマー(A)が、(メタ)アクリル酸エステルに由来する構造単位、及び炭素−炭素多重結合含有基からなる側鎖を有する、ペリクルである。

6. 发明专利

JP6591058B2 金属含有膜形成用組成物、金属含有膜形成用組成物の製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6591058B2
公开(公告)日：2019-10-16
申请号：JP2018518398
申请日：2017-05-19
申请人：三井化学株式会社
发明人：茅場靖剛 , 小野昇子 , 田中博文
IPC分类号： C09D139/02 , C09D183/04 , C09D5/25 , H01L21/3065 , C09D201/00

7. 发明专利

JP2016103539A 複合体の製造方法审中-公开
标题翻译：制造复合材料的方法
公开(公告)号：JP2016103539A
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：JP2014240297
申请日：2014-11-27
申请人：三井化学株式会社
发明人：茅場靖剛 , 鈴木常司 , 井上浩二 , 田中博文 , 和知浩子 , 小野昇子
IPC分类号： B05D7/00 , B05D7/24 , B05D3/00 , H01L21/768 , H01L21/312
摘要：【課題】付与されたポリマーの厚さを制御し、特定の部材へのポリマーの残存し易さと、別の部材へのポリマーの残存し難さと、を両立する。【解決手段】カチオン性官能基を有し重量平均分子量が2000〜1000000であるポリマーを含有するpHが2.0〜11.0の組成物、1分子中に、芳香環を1以上、カルボキシル基を6以上有する、重量平均分子量が288〜2500である酸またはその無水物を含む塗布液、および、部材Aと表面の等電点が部材Aの表面の等電点よりも2.0以上低く、かつ表面の等電点が1.0〜7.5である部材Bとを備え、部材Bの表面の等電点【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：通过控制所提供的聚合物的厚度，实现易于保留在特定构件上并难以保留在另一构件上的聚合物。解决方案：制备复合材料的方法包括以下步骤：制备具有阳离子官能团，并且包括重均分子量为2000-1000000的聚合物，其为pH2.0-11.0; 在一分子中制备包含具有一个或多个芳环和六个或多个羧基的酸或其酸酐的涂布液，重均分子量为288-2500; 并且制备包括构件A和表面等电点低于构件A的表面等于或等于2.0的构件的复合构件，并且表面等电点为1.0-7.5，并且满足关系式由下式给出：构件B的表面等电点<组分的pH>构件A的表面等电点。该方法还包括以下步骤：在构件A的表面和构件B的表面上提供组合物; 然后用涂布液涂布组合物所在的表面。在该方法中，组合物提供步骤和涂布步骤重复两次或更多次。选择图：图3

9. 发明专利

JPWO2017200107A1 金属含有膜形成用組成物、金属含有膜形成用組成物の製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017200107A1
公开(公告)日：2019-02-14
申请号：JP2017018939
申请日：2017-05-19
申请人：三井化学株式会社
发明人：茅場靖剛 , 小野昇子 , 田中博文
IPC分类号： C09D5/25 , H01L21/3065 , C09D201/00
摘要： 1級窒素原子及び2級窒素原子の少なくとも1つを含むカチオン性官能基を有する化合物(a1)、並びに、前記化合物(a1)以外の窒素原子を有する化合物(a2)からなる群より選択される少なくとも1種である化合物(A)と、ゲルマニウム原子、スズ原子、セレン原子、及びジルコニウム原子の少なくとも1つとカルボキシ基とを有する化合物(b1)、並びに、前記化合物(b1)のエステルからなる群より選択される少なくとも1種である化合物(B)と、を含む金属含有膜形成用組成物。

10. 发明专利

JP2018203881A 半導体用埋め込み材料、半導体用埋め込み材料組成物、埋め込み膜及びその製造方法並びに埋め込み膜付部材审中-公开
公开(公告)号：JP2018203881A
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：JP2017110963
申请日：2017-06-05
申请人：三井化学株式会社
发明人：井上浩二 , 田中博文 , 和知浩子 , 小野昇子
IPC分类号： C08G79/00 , C08G77/60
摘要：【課題】耐熱性及び凹部に対する充填性に優れ、ボイドの発生が抑制される埋め込み膜を形成可能な半導体用埋め込み材料の提供。【解決手段】半導体用埋め込み材料は、一般式(1)で表される構造単位を有するポリマーを含む。MはSi、Ge、Sn又はPbを表す。R 1 及びR 2 は水素原子、水酸基、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数2〜20のアルキニル基、炭素数6〜20の1価の芳香族基、シリル基又は置換シリル基を表す。R 3 は炭素数1〜20のアルキレン基、炭素数2〜20のアルケニレン基、炭素数2〜20のアルキニレン基、炭素数6〜20の2価の芳香族基又は一般式(5)で表されるシリレン基を表す。x及びyは0又は1を表す。R 4 及びR 5 は水素原子、水酸基、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数2〜20のアルキニル基又は炭素数6〜20の1価の芳香族基を表す。【選択図】なし

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