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1. 发明专利

JP6489299B2 水素バリア膜有权
公开(公告)号：JP6489299B2
公开(公告)日：2019-03-27
申请号：JP2014180574
申请日：2014-09-04
申请人：ローム株式会社
发明人：藤森敬和
IPC分类号： C23C16/42 , C23C28/04 , B41J2/16 , B41J2/14 , H01L41/09 , H01L41/053 , C23C14/34

2. 发明专利

JP6701553B2 孔を有する基板およびその製造方法ならびに赤外線センサおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6701553B2
公开(公告)日：2020-05-27
申请号：JP2016001219
申请日：2016-01-06
申请人：ローム株式会社
发明人：鈴木達也 , 藤森敬和
IPC分类号： G01J1/02 , B41J2/14 , B41J2/16 , H01L21/3065 , H01L41/09 , H01L37/02

3. 发明专利

JP6660629B2 圧電素子利用装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6660629B2
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：JP2015151164
申请日：2015-07-30
申请人：ローム株式会社
发明人：伊達智洋 , 藤森敬和
IPC分类号： H01L41/09 , H01L41/047 , H01L41/23 , H01L41/29 , B41J2/16 , B41J2/14 , H01L41/053

4. 发明专利

JP6139892B2 生体情報計測装置および医療機器システム有权
公开(公告)号：JP6139892B2
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：JP2013009209
申请日：2013-01-22
申请人：ローム株式会社
发明人：藤森敬和
IPC分类号： A61B5/01 , A61B5/00

5. 发明专利

JP2016054286A 圧電素子利用装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：压电元件利用器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016054286A
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：JP2015151164
申请日：2015-07-30
申请人：ローム株式会社
发明人：伊達智洋 , 藤森敬和
IPC分类号： H01L41/09 , H01L41/047 , H01L41/23 , H01L41/29 , B41J2/16 , B41J2/14 , H01L41/053
摘要：【課題】圧電体膜を変形しやすくでき、かつ上部電極の剥離が生じない圧電体素子利用装置を提供する。【解決手段】インクジェットプリントヘッド1は、圧力室(キャビティ)5と、圧力室5を区画する可動膜10Aを含む可動膜形成層10と、可動膜10A上に配置された圧電素子6とを含む。圧電素子6は、可動膜形成層10上に形成された下部電極7と、下部電極7上に形成された圧電体膜8と、圧電体膜8上に形成された上部電極9とを含む。圧電素子6の表面は、水素バリア膜13によって覆われている。水素バリア膜13上には、層間絶縁膜14が積層されている。水素バリア膜13および層間絶縁膜14には、上部電極9の上面中央部に開口17が形成されている。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够使压电薄膜容易变形并使上部电极剥离不太可能被剥离的压电元件利用装置。解决方案：喷墨打印头1包括：压力室（空腔） 5; 包括限定压力室5的可动膜10A的可动膜形成层10; 以及设置在可动膜10A上的压电元件6。压电元件6包括：形成在可动膜形成层10上的下电极7; 形成在下电极7上的压电膜8; 以及形成在压电膜8上的上电极9.压电元件6的表面被氢阻挡膜13覆盖。层间绝缘体14层压在氢阻挡膜13上。开口17形成在上表面上部电极9的中心部分在氢阻挡膜13和层间绝缘体14上。选择的图示：图2

6. 发明专利

JP2017123391A 孔を有する基板およびその製造方法ならびに赤外線センサおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017123391A
公开(公告)日：2017-07-13
申请号：JP2016001219
申请日：2016-01-06
申请人：ローム株式会社
发明人：鈴木達也 , 藤森敬和
IPC分类号： G01J1/02 , B41J2/14 , B41J2/16 , H01L21/3065 , H01L41/09 , H01L37/02
CPC分类号： G01J5/0235 , C23C14/081 , C23C14/083 , C23C14/185 , C23C14/34 , G01J5/024 , G01J5/34
摘要：【課題】加工終端側の横断面形状が所定の多角形に近い形状である孔を有する基板を提供する。【解決手段】シリコン基板2の裏面上に、貫通孔41を有するレジストマスク40が形成される。貫通孔41の平面形状は、キャビティ3の加工終端側の横断面の目標形状である正四角形に対して、その各辺が内方に凸の弓状に湾曲した形状に形成されている。次に、シリコン基板2に対してドライエッチングが施される。これにより、シリコン基板2にキャビティ3が形成される。エッチングが進行するにしたがって、キャビティ3の横断面形状は、レジストマスク40の貫通孔41の横断面形状における各弓状の辺の内方への突出量が減少していく。そして、キャビティ3の加工終端側においては、その平面形状が目標形状である正四角形とほぼ同じ形状となる。【選択図】図4K

7. 发明专利

JP2016053209A 水素バリア膜审中-公开
标题翻译：氢屏障膜
公开(公告)号：JP2016053209A
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：JP2014180574
申请日：2014-09-04
申请人：ローム株式会社
发明人：藤森敬和
IPC分类号： B41J2/16 , B41J2/14 , H01L41/09 , H01L41/053 , C23C14/34
摘要：【課題】水素バリア性の高い水素バリア膜を提供する。【解決手段】水素バリア膜13は、異なる条件で成膜した2種類の2種類のスパッタ膜41,42からなる。具体的には、水素バリア膜13は、第1スパッタ膜41および第2スパッタ膜を圧電素子6側から順に積層した2層構造を有している。この実施形態では、第1スパッタ膜41および第2スパッタ膜42は、共にAl 2 O 3 (アルミナ)のスパッタ膜からなる。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高氢阻挡性的氢阻挡膜。解决方案：氢阻挡膜13包括在各种不同条件下沉积的两种溅射膜41,42。具体地说，氢阻挡膜13具有从压电元件6侧依次层叠第一溅射膜41和第二溅射膜而形成的二层结构。在该实施例中，第一溅射膜41和第二溅射膜42中的每一个包括AlO（氧化铝）的溅射膜。选择的图示：图6

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