专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2020127055A ダイオード审中-公开
公开(公告)号：JP2020127055A
公开(公告)日：2020-08-20
申请号：JP2020090901
申请日：2020-05-25
申请人：ローム株式会社
发明人：槇田耕平 , 小柴照博
IPC分类号： H01L29/866 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872 , H01L29/47 , H01L21/329
摘要：【課題】ツェナーダイオード領域を備えることで十分なロードダンプ耐量を持ちながら、従来に比べて、低い順方向電圧(低VF)および低い逆方向リーク電流(低IR)を実現することができるダイオードを提供すること。【解決手段】1×10 16 cm −3 〜2.4×10 17 cm −3 の不純物濃度を有するエピタキシャル層4(n − 型層6)と、エピタキシャル層4に選択的に形成され、エピタキシャル層4との間にpn接合を形成するp + 型ツェナーダイオード領域14と、エピタキシャル層4上に配置され、エピタキシャル層4との間にショットキー接合を形成し、3ev〜6evの仕事関数を有するショットキーメタル12と、エピタキシャル層4のショットキー接合領域に選択的に形成された複数のp + 型領域34からなるJBS(Junction Barrier Schottky)構造33とを含む、ダイオード2を提供する。【選択図】図2

2. 发明专利

JP6967629B2 ダイオード有权
公开(公告)号：JP6967629B2
公开(公告)日：2021-11-17
申请号：JP2020090901
申请日：2020-05-25
申请人：ローム株式会社
发明人：槇田耕平 , 小柴照博
IPC分类号： H01L29/866 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872 , H01L29/47 , H01L21/329

3. 发明专利

JP2017017309A ダイオード审中-公开
标题翻译：二极管
公开(公告)号：JP2017017309A
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2016064131
申请日：2016-03-28
申请人：ローム株式会社
发明人：槇田耕平 , 小柴照博
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/866 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/47 , H01L29/872
摘要：【課題】ツェナーダイオード領域を備えることで十分なロードダンプ耐量を持ちながら、従来に比べて、低い順方向電圧(低VF)および低い逆方向リーク電流(低IR)を実現することができるダイオードを提供すること。【解決手段】1×10 16 cm −3 〜2.4×10 17 cm −3 の不純物濃度を有するエピタキシャル層4(n − 型層6)と、エピタキシャル層4に選択的に形成され、エピタキシャル層4との間にpn接合を形成するp + 型ツェナーダイオード領域14と、エピタキシャル層4上に配置され、エピタキシャル層4との間にショットキー接合を形成し、3ev〜6evの仕事関数を有するショットキーメタル12と、エピタキシャル層4のショットキー接合領域に選択的に形成された複数のp + 型領域34からなるJBS(Junction Barrier Schottky)構造33とを含む、ダイオード2を提供する。【選択図】図2
摘要翻译： A，而通过设置齐纳二极管区域保持足够的负载突降能力，与以往的相比，具有低正向电压（低VF）和低反向漏电流的二极管，可以实现（低IR）提供。和具有1×1016厘米-3〜2.4×外延层41017厘米-3（n型层6）的杂质浓度在外延层4被选择性地形成，PN外延层4之间一个p +型齐纳二极管区域14以形成一个结，设置在所述外延层4上，以形成所述外延层4中，具有3EV〜6EV的功函数的肖特基金属12，外延层之间的肖特基结 4个枪变得形成的多个p +型区域34 JBS和（结势垒肖特基）结构33的选择性键结区域，提供了一个二极管2。 .The

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式