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1. 发明专利

JP6251828B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6251828B2
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：JP2017014220
申请日：2017-01-30
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：馬場伸治 , 渡辺正樹 , 徳永宗治 , 中川和之
IPC分类号： H05K3/46 , H05K3/28 , H01L23/12
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/19107

3. 发明专利

JP2016086196A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016086196A
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：JP2016029483
申请日：2016-02-19
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：馬場伸治 , 岩崎俊寛 , 渡辺正樹
IPC分类号： H01L23/12
摘要：【課題】多ピンの半導体装置においてコストの低減化を図る。【解決手段】フリップチップ接続タイプのBGAにおいて、多層配線基板の上面の外周部に配置された複数の信号用ボンディング電極2kが内側と外側に振り分けて引き出されており、内側に引き出された複数の信号用配線2uと接続する複数の信号用スルーホール2qが、複数の信号用ボンディング電極2kの電極列と複数のコア電源用ボンディング電極が配置された中央部との間の領域に配置されていることで、チップのパッドピッチを詰めることができ、前記多層配線基板の層数を増やすことなく、前記BGAのコストの低減化を図る。【選択図】図13
摘要翻译：要解决的问题：为了实现多针半导体器件的成本降低。解决方案：倒装芯片连接的BGA包括：多个信号接合电极2k，其布置在多层布线板的顶面的外周上并以分布式方式提取; 以及多个信号通孔2q，其与在多个信号接合电极2k的电极列之间的区域内提取并布置在多个信号接合电极2k的电极列之间的多个信号线2u连接，并且多个芯电源接合电极被安排。利用这种配置，可以减少芯片之间的焊盘间距，以实现BGA的成本降低，而不会增加多层布线板的层数。图示：图13

4. 发明专利

JP6105773B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6105773B2
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：JP2016029483
申请日：2016-02-19
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：馬場伸治 , 岩崎俊寛 , 渡辺正樹
IPC分类号： H01L23/12

5. 发明专利

JP2015201661A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015201661A
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：JP2015123744
申请日：2015-06-19
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：馬場伸治 , 渡辺正樹 , 徳永宗治 , 中川和之
IPC分类号： H05K1/02 , H05K3/28 , H01L23/12
CPC分类号： H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2224/17 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311
摘要：【課題】半導体装置の信頼性を向上できる技術を提供する。【解決手段】本発明では、半導体チップを搭載する配線基板として、ビルドアップ基板を使用せずに、貫通基板THWBを使用する。これにより、本発明では、コア層だけからなる貫通基板を使用することにより、ビルドアップ層とコア層との熱膨張係数の相違を考慮する必要がなく、さらには、ビルドアップ層が存在しないので、ビルドアップ層に形成される微細なビアの電気的な切断も考慮する必要がなくなる。この結果、本発明によれば、コスト低減を図りながら、半導体装置の信頼性向上を図ることができる。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供能够提高半导体器件的可靠性的技术。解决方案：在本发明中，使用通孔基板（THWB）代替堆积基板作为布线基板，其上要安装半导体芯片。因此，在本发明中，由仅由芯层构成的通孔基板，不需要考虑积层与芯层之间的热膨胀系数的差异，进一步，由于没有构造上层，不需要考虑形成在积聚层上的微通孔的电断开。根据本发明，可以提高半导体器件的可靠性，同时降低成本。

6. 发明专利

JP2020102547A 半導体装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020102547A
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：JP2018239968
申请日：2018-12-21
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：高橋裕治 , 渡辺正樹 , 佐原政司 , 山田健太郎 , 坂下正樹 , 前田真一 , 山田義明
IPC分类号： H01L21/28
摘要：【課題】金−アンチモン合金層を含む裏面電極を有する半導体装置の特性を向上させる。【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、金−アンチモン合金層を含む裏面電極とを有する。裏面電極は、半導体基板上に形成されている。金−アンチモン合金層のアンチモン濃度は、15wt%以上かつ37wt%以下である。金−アンチモン合金層の厚さは、20nm以上かつ45nm以下である。【選択図】図1

7. 发明专利

JP6045436B2 電子装置有权
公开(公告)号：JP6045436B2
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：JP2013097021
申请日：2013-05-02
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：山道新太郎 , 本多広一 , 渡辺正樹 , 有田順一 , 岡田紀雄 , 上野淳 , 西本匡志 , 木村通孝 , 西山知宏
IPC分类号： H04B1/38
CPC分类号： H04W84/18 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/49111

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