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1. 发明专利

JP2015230959A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015230959A
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：JP2014116279
申请日：2014-06-04
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：古橋隆寿 , 松本雅弘
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/14 , H01L27/146 , H01L21/822
CPC分类号： H01L23/53223 , H01L23/53219 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/0629 , H01L2924/0002
摘要：【課題】容量素子を有する半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】半導体基板上の層間絶縁膜L3上に配線M3および容量素子CPが形成され、層間絶縁膜L3上に配線M3および容量素子CPを覆うように層間絶縁膜L4が形成されている。容量素子CPは、層間絶縁膜L3上に形成された下部電極LEと、層間絶縁膜L3上に下部電極LEの少なくとも一部を覆うように形成された上部電極UEと、下部電極LEと上部電極UEとの間に介在する容量絶縁膜YZとを有しており、上部電極UEと配線M3とは、同層の導電膜パターンにより形成されている。下部電極LEの下にプラグP3aが配置されて下部電極LEと電気的に接続され、下部電極LEに平面視で重ならない部分の上部電極UE上にプラグP4aが配置されて上部電極UEと電気的に接続され、配線M3上にプラグP4cが配置されて配線M3と電気的に接続されている。【選択図】図24
摘要翻译：要解决的问题：为了提高具有电容元件的半导体器件的可靠性。解决方案：在半导体上的层间绝缘膜L3上形成导线M3和电容元件CP，并且层间绝缘膜 L4形成在层间绝缘膜L3上，以覆盖线M3和电容元件CP。电容元件CP具有形成在层间绝缘膜L3上的下电极LE，形成在层间绝缘膜L3上的上电极UE，以覆盖下电极LE的至少一部分，并且电容绝缘膜YZ插入在下电极LE和上电极UE之间。上电极UE和线M3由同一层中的导电膜图案形成。插头P3a设置在下部电极LE的下方并电连接到下部电极LE。插头P4a在平面图中与下电极LE不重叠的部分设置在上电极UE上，并与上电极UE电连接。插头P4c设置在线M3上，并与导线M3电连接。

2. 发明专利

JP6336826B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6336826B2
公开(公告)日：2018-06-06
申请号：JP2014116279
申请日：2014-06-04
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：古橋隆寿 , 松本雅弘
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/146 , H01L21/822
CPC分类号： H01L23/53223 , H01L23/53219 , H01L27/0629 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

3. 发明专利

JP6415376B2 半導体装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP6415376B2
公开(公告)日：2018-10-31
申请号：JP2015084470
申请日：2015-04-16
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：古橋隆寿
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532 , H01L23/522 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/76879 , H01L21/2855 , H01L21/28562 , H01L21/76808 , H01L21/76835 , H01L21/76846 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295

4. 发明专利

JP5755471B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5755471B2
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：JP2011053007
申请日：2011-03-10
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：古橋隆寿 , 鈴村直仁
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/316 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/314
CPC分类号： H01L23/485 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/76807 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002

5. 发明专利

JP2016207722A 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016207722A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2015084470
申请日：2015-04-16
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：古橋隆寿
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532 , H01L23/522 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/76879 , H01L21/76802 , H01L21/76835 , H01L21/76846 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L21/2855 , H01L21/28562 , H01L21/76808
摘要：【課題】埋込銅配線を有する半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】ポーラスLow−k膜4を含む層間絶縁膜IL2の配線溝TR2に、配線M2が埋め込まれている。配線M2は、配線溝TR2の底面および側壁上に形成されたバリア導体膜21と、バリア導体膜22上に形成されたバリア導体膜22と、バリア導体膜22上に形成された銅を主成分とする主導体膜MC2と、を有している。バリア導体膜21とバリア導体膜22とは、同じ導体材料からなり、バリア導体膜21の密度は、バリア導体膜22の密度よりも低い。【選択図】図28
摘要翻译：为了改善具有嵌入铜布线的半导体器件的可靠性。向含有多孔Low-k膜4层间绝缘膜IL2的布线沟槽TR2，布线M2被嵌入。布线M2主要由形成在底部和上布线沟槽的侧壁的阻挡导体膜21 TR2，形成在该阻挡导体膜22的阻挡导体膜22，形成在该阻挡导体膜22上的铜具有作为主要导体膜MC2到。阻挡导体膜21和阻挡导体膜22由相同的导电材料制成，阻挡导体膜21的密度比所述阻挡导体膜22的密度低。 .The 28

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