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1. 发明专利

JP2016139659A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016139659A
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：JP2015012482
申请日：2015-01-26
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：仮屋崎修一 , 白井航 , 及川隆一 , 久保山賢一
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/12 , H01L23/32 , H01L25/04
CPC分类号： H01L25/0655 , H01L23/147 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L25/18 , H01L2224/0401 , H01L2224/13022 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06555 , H01L23/49816 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/3025
摘要：【課題】半導体チップ間を接続するインタポーザの信号伝送の信頼性を向上させる。【解決手段】インタポーザ20Aの第1配線層に設けられた信号用配線22DQ1の両隣には、基準電位用配線22VS1および基準電位用配線22VS2が設けられている。また、インタポーザ20Aの第2配線層に設けられた信号用配線22DQ2の両隣には、基準電位用配線22VS3および基準電位用配線22VS4が設けられている。また、信号用配線22DQ1と信号用配線22DQ2とは、平面視において互いに交差し、その交差部の周辺で、第1配線層の基準電位用配線22VS1、22VS2と第2配線層の基準電位用配線22VS3、22VS4とが互いに接続されている。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：提高连接半导体芯片的插入器的信号传输的可靠性。解决方案：半导体器件包括：设置在设置在第一布线层中的信号布线22DQ1的两侧的参考电位布线22VS1和参考电位布线22VS2 插入器20A; 以及设置在设置在插入件20A的第二布线层中的信号布线22SQ2的两侧上的参考电位布线22VS3和参考电位布线22VS4。信号线22DQ1和信号线22SQ2在平面图中彼此交叉，并且在交叉部分周围，连接第一布线层的基准电位布线22VS1,22VS2和基准电位布线22VS3,22VS4。图示：图8

2. 发明专利

JP6230588B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6230588B2
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：JP2015252840
申请日：2015-12-25
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：船木寿彦 , 岡本利治 , 松重宗明 , 久保山賢一 , 勢能修一 , 高野将
IPC分类号： G11C7/10 , G06F12/06 , G06F13/16 , G11C11/4093

3. 发明专利

JP2016066402A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016066402A
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：JP2015252840
申请日：2015-12-25
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：船木寿彦 , 岡本利治 , 松重宗明 , 久保山賢一 , 勢能修一 , 高野将
IPC分类号： G06F12/06 , G06F13/16 , G11C11/401
摘要：【課題】データ処理性能の低下を防止可能な半導体装置を提供すること。【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、インターフェイス回路105−1,105−2と、インターフェイス回路105−1に第1のデータバスを介して結合されると共に、インターフェイス回路105−1から出力される第1のアクセス制御信号に結合されたメモリコア106−1と、インターフェイス回路105−2に第2のデータバスを介して結合されたメモリコア106−2と、第1のアクセス制御信号、又は、インターフェイス回路105−2から出力される第2のアクセス制御信号を選択的にメモリコア106−2に結合させる選択回路107−1と、を備える。【選択図】図2A
摘要翻译：要解决的问题：提供能够防止数据处理性能下降的半导体器件。解决方案：本发明的半导体器件包括：接口电路105-1和105-2; 存储器核106-1，其经由第一数据总线耦合到接口电路105-1，并且耦合到从接口电路105-1输出的第一访问控制信号; 经由第二数据总线耦合到接口电路105-2的存储器芯106-2; 以及选择电路107-1，其选择性地将从接口电路105-2输出的第一访问控制信号或第二访问控制信号耦合到存储器核心106-2。选择图：图2A

5. 发明专利

JP6322345B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6322345B2
公开(公告)日：2018-05-09
申请号：JP2017535225
申请日：2015-08-20
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：仮屋崎修一 , 白井航 , 久保山賢一
IPC分类号： H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K1/02 , H05K3/46 , H01L23/12
CPC分类号： H05K1/0248 , H01L23/32 , H01L25/04 , H01L25/18 , H01L2224/16225 , H05K1/0239 , H05K1/0243 , H05K1/0298 , H05K1/11 , H05K1/113 , H05K1/119 , H05K1/141 , H05K1/16 , H05K1/18 , H05K1/181 , H05K1/182 , H05K3/4046 , H05K7/02 , H05K2201/09218 , H05K2201/10378

6. 发明专利

JP5864957B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5864957B2
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：JP2011188636
申请日：2011-08-31
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：船木寿彦 , 岡本利治 , 松重宗明 , 久保山賢一 , 勢能修一 , 高野将
IPC分类号： G06F13/16 , G11C11/401
CPC分类号： G11C7/1048 , G11C11/4096 , H03K5/15006 , G11C7/00 , G11C7/10 , G11C7/1006 , G11C8/12

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