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    • 2. 发明专利
    • ひずみゲージ及び多軸力センサ
    • JP2020024218A
    • 2020-02-13
    • JP2019195921
    • 2019-10-29
    • ミネベアミツミ株式会社
    • 稲森 道伯
    • G01L5/16
    • 【課題】周囲温度の変化に起因する計測誤差の発生が抑制されたひずみゲージを提供する。 【解決手段】ひずみゲージ20は、可撓性の基材21と基材上に形成された回路パターンとを備える。基材は、起歪領域に取り付けられる受感領域21sと、起歪領域の外側の不感領域21n1,21n2と、両者を連結する連結領域21c1,21c2とを有する。回路パターンは、第1ブリッジ回路BC1を構成する第1方向ひずみ受感素子X1,X2と、第2ブリッジ回路BC2を構成する第2方向ひずみ受感素子Y1,Y2と、第1ブリッジ回路を構成する第1方向固定抵抗素子RX1,RX2及び第2ブリッジ回路を構成する第2方向固定抵抗素子RY1,RY2の少なくとも一方とを含む。ひずみ受感素子X1,X2,Y1,Y2と固定抵抗素子RX1,RX2,RY1,RY2は同一材料で形成される。ひずみ受感素子は受感領域に、固定抵抗素子は不感領域に形成されている。 【選択図】図3
    • 4. 发明专利
    • ひずみゲージ及び多軸力センサ
    • JP2019015590A
    • 2019-01-31
    • JP2017132792
    • 2017-07-06
    • ミネベアミツミ株式会社
    • 稲森 道伯
    • G01L5/16
    • 【課題】周囲温度の変化に起因する計測誤差の発生が抑制された多軸力センサ用のひずみゲージを提供する。 【解決手段】基材21は、起歪部材の荷重を受けてひずみが生じる起歪領域に取り付けられる受感領域21sと、前記起歪領域の外側に配置される不感領域21n1、21n2とを有し、起歪部材の第1方向に作用する荷重を検出する第1ホイートストンブリッジ回路BC1は2つの第1方向ひずみ受感素子X1、X2と第1方向固定抵抗素子RX1、RX2で構成され、記起歪部材の第1方向に直交する第2方向に作用する荷重を検出する第2ホイートストンブリッジ回路BC2は2つの第2方向ひずみ受感素子Y1、Y2と第2方向固定抵抗素子RY1、RY2とで構成され、前記2つの第1方向ひずみ受感素子及び前記2つの第2方向ひずみ受感素子は前記受感領域に形成されており、前記第1方向固定抵抗素子及び第2方向固定抵抗素子は前記不感領域に形成されている。 【選択図】図1
    • 5. 发明专利
    • ひずみゲージ及び多軸力センサ
    • JP2020073880A
    • 2020-05-14
    • JP2019177655
    • 2019-09-27
    • ミネベアミツミ株式会社
    • 稲森 道伯
    • G01L5/16
    • 【課題】周囲温度の変化に起因する計測誤差の発生が抑制されたひずみゲージを提供する。 【解決手段】ひずみゲージ20は基材21と、基材上に形成された回路パターンとを備える。基材は、起歪部材の荷重を受けてひずみが生じる起歪領域に取り付けられる受感領域21sと、起歪領域の外側に配置される不感領域21n1,21n2を有する。回路パターンは、第1ブリッジ回路BC1を構成する第1方向ひずみ受感素子X1,X2と、第2ブリッジ回路BC2を構成する第2方向ひずみ受感素子Y1,Y2と、第1ブリッジ回路を構成する第1方向固定抵抗素子RX1,RX2及び第2ブリッジ回路を構成する第2方向固定抵抗素子RY1,RY2の少なくとも一方を含む。ひずみ受感素子及び固定抵抗素子は同一材料で形成されている。ひずみ受感素子は受感領域に、固定抵抗素子は不感領域に形成されている。 【選択図】図1