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1. 发明专利

JP6213802B2 光電極及びその製造方法、並びに光電気化学セル有权
公开(公告)号：JP6213802B2
公开(公告)日：2017-10-18
申请号：JP2017530992
申请日：2016-06-14
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社 , ジオマテック株式会社
发明人：野村幸生 , 伊東孝洋 , 羽藤一仁
IPC分类号： C25B1/10 , C30B29/22 , H01G9/20 , C25B11/06
CPC分类号： C25B1/10 , C30B29/22 , H01G9/20 , Y02E60/366 , Y02P20/135

2. 发明专利

JPWO2020194771A1 無機化合物半導体、その製造方法、およびそれを用いた光エネルギー変換素子有权
公开(公告)号：JPWO2020194771A1
公开(公告)日：2021-04-08
申请号：JP2019024580
申请日：2019-06-20
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：菊地諒介 , 中村透 , 上野航輝 , 藏渕孝浩 , 金子泰 , 羽藤一仁 , 大場史康 , 熊谷悠
IPC分类号： C30B29/38 , C30B25/06 , H01L21/363 , H01L31/0256 , C23C14/06
摘要：本開示は、光エネルギー変換材料として用いられ得る新規の半導体材料を提供する。本開示の無機化合物半導体は、イットリウム、亜鉛、および窒素を含む。

3. 发明专利

JPWO2019239620A1 光エネルギー変換素子およびそれを具備するデバイス审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019239620A1
公开(公告)日：2020-06-25
申请号：JP2018048559
申请日：2018-12-28
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：菊地諒介 , 中村透 , 藏渕孝浩 , 羽藤一仁 , 大場史康 , 熊谷悠
IPC分类号： C01G29/00 , C25B11/06 , C25B1/06 , H01L31/0256
摘要：本開示は、光エネルギー変換層に好適なバンドギャップを有する材料が用いられた光エネルギー変換素子を提供する。本開示による光エネルギー変換素子は、六方晶系の結晶構造を有するBaBi 2 S 4 を含有する光エネルギー変換層を具備する。

4. 发明专利

JP5884071B2 燃料電池システム有权
公开(公告)号：JP5884071B2
公开(公告)日：2016-03-15
申请号：JP2012011479
申请日：2012-01-23
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：徳弘憲一 , 羽藤一仁 , 野村幸生 , 鈴木孝浩 , 田村聡 , 小澤宜裕
IPC分类号： H01M8/10 , H01M8/0612 , H01M8/04228 , H01M8/04303 , H01M8/04
CPC分类号： Y02E60/521

5. 发明专利

JP2015177781A 温室有权
公开(公告)号：JP2015177781A
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：JP2014115450
申请日：2014-06-04
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：藤原誠二 , 羽藤一仁
IPC分类号： A01G9/24 , A01G13/02 , A01G9/14
CPC分类号： Y02P60/147
摘要：【課題】温室に用いられるカーテンのような熱線遮蔽シートが有機色素を含む場合、有機色素が酸素により劣化する。本発明は、有機色素が劣化することが抑制された熱線遮蔽シートを有する温室を提供する。【解決手段】内部で植物を栽培するために用いられる温室であって、前記温室は、熱線遮蔽シートを具備し、前記熱線遮蔽シートは、100cc/m 2 ・24hr・atm以下の酸素透過係数を有する第1透明層、熱線遮蔽能力を有する有機色素を含有する第2透明層、および100cc/m 2 ・24hr・atm以下の酸素透過係数を有する第3透明層を具備し、前記第2透明層は、前記第1透明層および前記第3透明層の間に挟まれている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种温室，其具有类似窗帘的热射线屏蔽片，其中包含其中的有机颜料由于氧气而被劣化，其中热射线屏蔽片的劣化被抑制。解决方案：提供了用于提高植物的温室并且温室包括热射线屏蔽片，其中该热射线屏蔽片包括：具有100cc / m24hr大气压以下的氧气渗透系数的第一透明层; 第二透明层，其含有具有热射线屏蔽性能的有机颜料; 以及第二透明层夹在第一透明层和第三透明层之间的透氧系数为100cc / m 24小时atm以下的第三透明层。

7. 发明专利

JP6715471B1 無機化合物半導体、その製造方法、およびそれを用いた光エネルギー変換素子有权
公开(公告)号：JP6715471B1
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：JP2019563904
申请日：2019-06-20
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：菊地諒介 , 中村透 , 上野航輝 , 藏渕孝浩 , 金子泰 , 羽藤一仁 , 大場史康 , 熊谷悠
IPC分类号： C30B29/38 , C30B25/06 , H01L21/363 , H01L31/0256 , C23C14/06
摘要：本開示は、光エネルギー変換材料として用いられ得る新規の半導体材料を提供する。本開示の無機化合物半導体は、イットリウム、亜鉛、および窒素を含む。

8. 发明专利

JP2019186517A 多接合型光エネルギー変換素子およびそれを具備するデバイス、並びにSrZn2N2の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019186517A
公开(公告)日：2019-10-24
申请号：JP2018201982
申请日：2018-10-26
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：上野航輝 , 菊地諒介 , 中村透 , 藏渕孝浩 , 金子泰 , 羽藤一仁 , 大場史康 , 熊谷悠
IPC分类号： C25B11/06 , C01B21/00 , H01L31/0256
摘要：【課題】光の入射方向において上流側に位置する光エネルギー変換層に好適なバンドギャップを有する材料を含む多接合型光エネルギー変換素子を提供する。【解決手段】本開示による光エネルギー変換素子は、SrZn 2 N 2 を含有する第1光エネルギー変換層、および光エネルギー変換材料を含有する第2光エネルギー変換層を具備する。前記光エネルギー変換材料は、SrZn 2 N 2 よりも狭いバンドギャップを有する。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2017203206A 光水素生成デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2017203206A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：JP2016097113
申请日：2016-05-13
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：宮部美紗 , 藏渕孝浩 , 羽藤一仁
IPC分类号： C01B3/04 , B01J35/02 , C25B15/08 , C25B11/06 , C25B1/10 , C25B9/00
摘要：【課題】助触媒を有する光触媒電極を用いた、水の光分解効率の低下が抑制された光水素生成デバイスの提供。【解決手段】光水素生成デバイス100は、筐体1と、光触媒電極2と、対極3と、光触媒電極2を有する第1空間10と対極3を有する第2空間11とに仕切るセパレータ4と、電解液5と、水素ガス取出口8とを含む。筐体1は、第1空間10に面する透光面1aを有する。光触媒電極2は、透明導電層21と、光触媒を含む第1触媒層22と、光触媒の助触媒として水の分解反応を促進しかつ可視光領域の少なくとも一部の光を吸収する遷移金属化合物を含む第2触媒層23とを含む。光触媒電極2は、透明導電層21に対して第1触媒層22側の面と反対側の面が透光面1aと対向する向きで設置されている。透光面1aは、設置された状態において透光面1aの筐体外側の面の法線ベクトルが鉛直方向上向きベクトルに対し0度を超え90度未満となる傾きを有する。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2017145498A ニオブ酸窒化物層を成長させる方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017145498A
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：JP2016127243
申请日：2016-06-28
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：菊地諒介 , 中村透 , 田村聡 , 村瀬英昭 , 羽藤一仁
IPC分类号： B01J35/02 , B01J27/00 , C01B3/04 , C01G33/00 , C23C14/34 , B32B9/00 , C23C14/06
CPC分类号： C30B25/06 , B01J35/004 , C23C14/0036 , C23C14/0042 , C23C14/0676 , C23C14/083 , C23C14/3414 , C25B1/04 , C25B11/0405 , C25B11/0415 , C25B11/0447 , C25B9/06 , C30B23/063 , C30B29/16 , C30B29/38 , C30B29/68 , H01G9/2031 , Y02E60/366
摘要：【課題】小さいキャリア密度を有するニオブ酸窒化物層を成長させる方法を提供すること。【解決手段】本発明は、ニオブ酸窒化物層を成長させる方法であって、以下の工程を具備する。(a)結晶性酸化チタン基板の温度が摂氏600度以上摂氏750度以下に維持されながら、第1ニオブ酸窒化物膜を前記結晶性酸化チタン基板上に成長させる工程、かつ(b)前記工程(a)の後、前記結晶性酸化チタン基板の温度が摂氏350度以上に維持されながら、前記第1ニオブ酸窒化物膜上に、第2ニオブ酸窒化物膜を成長させる工程。ここで、前記ニオブ酸窒化物層は、前記第1ニオブ酸窒化物膜および前記第2ニオブ酸窒化物膜を具備する。【選択図】図1

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