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1. 发明专利

JP6110852B2 溶射被覆層を有する炭素材料有权
公开(公告)号：JP6110852B2
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：JP2014523824
申请日：2013-07-08
申请人：トーカロ株式会社 , 東洋炭素株式会社
发明人：高畠剛 , 大井手雄平 , 折島毅 , 泉宮正樹 , 多田良臣
IPC分类号： C04B41/85 , C04B41/89 , C21D9/56 , C21D1/00 , C23C4/06 , C23C4/10 , C23C4/18 , C04B41/87
CPC分类号： C04B41/90 , C04B41/009 , C04B41/52 , C21D1/06 , C21D1/18 , C23C28/322 , C23C28/341 , C23C28/345 , C23C4/02 , C23C4/08 , C23C4/134 , C21D1/08 , C21D2251/00 , C21D9/38 , C22C19/05 , C22C27/06

2. 发明专利

JP2015193872A セラミック溶射皮膜被覆部材及び半導体製造装置用部材审中-公开
标题翻译：陶瓷喷涂膜的成员和半导体制造设备的会员
公开(公告)号：JP2015193872A
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：JP2014071466
申请日：2014-03-31
申请人：トーカロ株式会社
发明人：横田博紀 , 稲葉光晴 , 福士達也 , 大井手雄平
IPC分类号： C23C4/10 , C23C4/18
CPC分类号： C23C4/10 , C23C28/042
摘要：【課題】耐腐食性、電気絶縁性及び耐久性に優れるセラミック溶射皮膜被覆部材及び半導体製造装置用部材を提供する。【解決手段】基材2上のセラミック溶射皮膜3の表面に高エネルギービームを照射して緻密化層4を形成したセラミック溶射皮膜被覆部材1である。緻密化層4の下に、積層状態で互いに分散した複数の溶射材料からなるクラック抑制層を存在させる。緻密化層4を深部方向に超えて進展してきたクラック6が複数の溶射材料の界面に達したとき、この界面を境に接している溶射材料同士のずれが生じさせ、クラック6の力を開放させると共にその方向を転換させてクラック6の進展を抑制する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供涂覆有陶瓷喷涂膜的构件，具有优异的耐腐蚀性，优异的电绝缘性能和优异的耐久性，以及用于半导体制造装置的构件。解决方案：涂覆有陶瓷喷涂膜包括通过在基板2上的陶瓷喷涂膜3的表面上施加高能束而形成的致密化层4.提供包括以层叠状态彼此分散的多个喷涂材料的裂纹抑制层在致密化层4下方。当在深度方向上传播超过致密层4的裂纹6到达多个涂层材料的边界时，引起接触边界的喷涂材料之间的位移，这抑制了裂纹6的传播释放裂纹6的力并改变裂纹的方向。

3. 发明专利

JP2020015966A 電気化学セル、電気化学セル用の支持体及び電気化学セルの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020015966A
公开(公告)日：2020-01-30
申请号：JP2018140934
申请日：2018-07-27
申请人：国立大学法人東京工業大学 , 東京瓦斯株式会社 , トーカロ株式会社 , 日本特殊陶業株式会社 , 日本精線株式会社
发明人：加藤之貴 , 沼田優一 , 中島慧人 , 高須大輝 , マリアカプリスアズセナネポムセノ , 櫛拓人 , 大井手雄平 , 山際勝也 , 伊藤正也 , 奥田慎一
IPC分类号： H01M8/1213 , H01M8/0273 , C25B1/00 , C25B1/02 , C25B9/00 , C25B11/03 , C23C4/10 , C25B9/02
摘要：【課題】強度を確保しながらガスリークを抑制し、反応気体の還元効率等を高めうる電気化学セル、電気化学セル用の支持体及び電気化学セルの製造方法を提供する。【解決手段】開口部Oを有しかつ気体が通過不可能な金属材料からなる基体2と、開口部Oを覆うように基体2に配置され、かつ、気体が通過可能な材料からなる支持体3と、支持体3を覆うように支持体3に対して第1の側S1に配置された酸化物層4とを含む電気化学セル1である。支持体3は、耐熱性を有する金属繊維の焼結体である。支持体3の外周縁側は、基体2に、気体が通過不可能な接合部5によって接合されている。酸化物層4は、支持体3の全部を覆い、かつ、少なくとも、支持体3及び接合部5の境界である第1境界部E1を覆う層を含む。【選択図】図3

4. 发明专利

JP2019151927A 遮熱コーティング用材料及び物品审中-公开
公开(公告)号：JP2019151927A
公开(公告)日：2019-09-12
申请号：JP2019037520
申请日：2019-03-01
申请人：一般財団法人ファインセラミックスセンター , トーカロ株式会社
发明人：松平恒昭 , 北岡諭 , 川島直樹 , 横江大作 , 田中誠 , 土生陽一郎 , 永尾美佳子 , 野田和男 , 伊藤義康 , 大井手雄平 , 高木海人
IPC分类号： C23C26/00 , F02C7/24 , F02C7/00 , F01D25/00 , C23C4/11
摘要：【課題】低熱伝導性及び耐久性に優れる遮熱コーティングの形成に好適に用いることができる遮熱コーティング用材料を提供する。【解決手段】 YbTa 3 O 9 で表される化合物を含む遮熱コーティング用材料。【選択図】図5

5. 发明专利

JP6125860B2 皮膜密着性に優れたセラミックス溶射皮膜被覆部材有权
公开(公告)号：JP6125860B2
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：JP2013032709
申请日：2013-02-22
申请人：トーカロ株式会社
发明人：大井手雄平 , 高畠剛 , 水津竜夫
IPC分类号： C23C4/02 , B32B18/00 , C23C4/10

6. 发明专利

JP6941634B2 遮熱コーティング有权
公开(公告)号：JP6941634B2
公开(公告)日：2021-09-29
申请号：JP2019037751
申请日：2019-03-01
申请人：一般財団法人ファインセラミックスセンター , トーカロ株式会社
发明人：松平恒昭 , 北岡諭 , 川島直樹 , 横江大作 , 田中誠 , 土生陽一郎 , 永尾美佳子 , 野田和男 , 伊藤義康 , 大井手雄平 , 高木海人
IPC分类号： C23C4/073 , C23C4/11

7. 发明专利

JP2020075847A 遮熱コーティング用材料及び物品审中-公开
公开(公告)号：JP2020075847A
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：JP2019159854
申请日：2019-09-02
申请人：一般財団法人ファインセラミックスセンター , トーカロ株式会社
发明人：松平恒昭 , 北岡諭 , 川島直樹 , 加藤丈晴 , 横江大作 , 小川貴史 , フィッシャー・クレイグ , 土生陽一郎 , 永尾美佳子 , 伊藤義康 , 大井手雄平 , 高木海人
IPC分类号： C23C4/11 , F01D25/00 , F02C7/00 , F02C7/24 , C04B35/495
摘要：【課題】低熱伝導性及び構造安定性に優れる遮熱コーティングの形成に好適に用いることができる遮熱コーティング用材料を提供する。【解決手段】カチオン欠損型の欠陥ペロブスカイト型複合酸化物である化合物Xを含み、前記化合物Xの単位格子は、それぞれが6つの酸素原子で構成され、かつ1つの酸素原子を共有する2つの八面体が並んだ構造を有しており、前記化合物Xにおいて、隣接する単位格子にそれぞれ属し、かつ隣り合う2つの八面体のそれぞれの中心軸は、互いに傾いており、前記隣接する単位格子にそれぞれ属し、かつ隣り合う2つの八面体は、複数並ぶことで、異なる傾きを持つ八面体が交互に並ぶ周期的な構造を構成し、前記化合物Xは、その結晶構造中に前記周期的な構造の周期性が変化する境界面を有する遮熱コーティング用材料。【選択図】図2A

8. 发明专利

JP2019151929A 遮熱コーティング审中-公开
公开(公告)号：JP2019151929A
公开(公告)日：2019-09-12
申请号：JP2019037751
申请日：2019-03-01
申请人：一般財団法人ファインセラミックスセンター , トーカロ株式会社
发明人：松平恒昭 , 北岡諭 , 川島直樹 , 横江大作 , 田中誠 , 土生陽一郎 , 永尾美佳子 , 野田和男 , 伊藤義康 , 大井手雄平 , 高木海人
IPC分类号： C23C4/073 , C23C28/00 , C23C4/11
摘要：【課題】低熱伝導性に優れ、かつ熱劣化しにくいため、高温条件下で長期間に亘って使用することができる遮熱コーティングを提供する。【解決手段】 Alを含む合金からなる金属結合層と、遮熱層と、前記金属結合層と前記遮熱層との間に設けられた中間層とを備え、前記遮熱層は、下記一般式(1)で表される化合物を含み、前記中間層は、下記(A)〜(C)から選択される少なくとも1つの層を含む、遮熱コーティング。 (1)Ln x Ta y Hf z O (3x+5y+4z)/2 (式中、Lnは、希土類元素から選ばれた1種の原子である。xは0〜1.0である。yは0.8〜3.0である。zは0〜7.0である。)。 (A)酸化ハフニウム(HfO 2 )を主成分とする層。 (B)タンタル(Ta)、ハフニウム(Hf)及び酸素(O)からなる化合物を主成分とする層。 (C)希土類元素、タンタル(Ta)、ハフニウム(Hf)及び酸素(O)からなる化合物を主成分とする層。【選択図】図1

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