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1. 发明专利

JP2016034029A 固体撮像装置有权
标题翻译：固态图像拾取器件
公开(公告)号：JP2016034029A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：JP2015190385
申请日：2015-09-28
申请人：ソニー株式会社
发明人：高橋洋 , 助川俊一 , 井上啓司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H04N5/369 , H04N5/374 , H01L27/14
摘要：【課題】積層される半導体ウェハのそれぞれの性能を十分に発揮して高性能化を図り、且つ量産性、コスト低減を図った固体撮像装置を提供する。【解決手段】画素アレイが形成され、光入射面とは反対側に設けられた第1の配線層を備える第1の半導体ウェハと、第2の配線層が形成され、第1の半導体ウェハに貼り合わされた第2の半導体ウェハと、第1の半導体ウェハを貫通して設けられ、第2の配線層に達する接続孔と、この接続孔内に形成され、第1の半導体ウェハと第2の半導体ウェハとを電気的に接続する一体となった導電材料からなる基板間配線とを備える固体撮像装置を構成する。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种固态图像拾取装置，其使得每个分层半导体晶片的每个性能具有实现高性能和高批量生产率和成本降低的潜力。解决方案：固态图像拾取装置包括：第一半导体晶片，其中形成像素阵列，并且在与光入射表面相对的一侧包括第一布线层; 第二半导体晶片，其中形成第二布线层并且结合到第一半导体晶片; 连接孔，用于刺穿第一半导体晶片以到达第二布线层; 以及形成在连接孔中的板间布线，用于将第一半导体晶片和第二半导体晶片电连接并由一体的导电材料组成。图4

2. 发明专利

JP2020129672A 固体撮像装置及び電子機器审中-公开
公开(公告)号：JP2020129672A
公开(公告)日：2020-08-27
申请号：JP2020072253
申请日：2020-04-14
申请人：ソニー株式会社
发明人：高橋洋 , 助川俊一 , 井上啓司
IPC分类号： H04N5/374 , H01L31/10 , H01L27/146
摘要：【課題】積層される半導体ウェハのそれぞれの性能を十分に発揮して高性能化を図り、且つ量産性、コスト低減を図った、固体撮像装置を提供する。【解決手段】画素アレイが形成され、光入射面とは反対側に設けられた第1の配線層を備える第1の半導体ウェハと、第2の配線層が形成され、第1の半導体ウェハに貼り合わされた第2の半導体ウェハと、第1の半導体ウェハを貫通して設けられ、第2の配線層に達する貫通接続孔と、第1の半導体ウェハ内の光入射面側に設けられた溝部と、貫通接続孔と溝部とを含む領域に形成された導電材料とを備え、導電材料が第1の配線層と第2の配線層とを電気的に接続する固体撮像装置を構成する。【選択図】図4

3. 发明专利

JP6233376B2 固体撮像装置及び電子機器有权
公开(公告)号：JP6233376B2
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：JP2015190385
申请日：2015-09-28
申请人：ソニー株式会社
发明人：高橋洋 , 助川俊一 , 井上啓司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H04N5/369 , H04N5/374 , H01L27/146

4. 发明专利

JP2017059834A 固体撮像装置及び電子機器有权
公开(公告)号：JP2017059834A
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2016201912
申请日：2016-10-13
申请人：ソニー株式会社
发明人：高橋洋 , 助川俊一 , 井上啓司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/00 , H04N5/374 , H01L27/14
摘要：【課題】積層される半導体ウェハのそれぞれの性能を十分に発揮して高性能化を図り、且つ量産性、コスト低減を図った、固体撮像装置を提供する。【解決手段】画素アレイが形成され、光入射面とは反対側に設けられた第1の配線層を備える第1の半導体ウェハと、第2の配線層が形成され、第1の半導体ウェハに貼り合わされた第2の半導体ウェハと、第1の半導体ウェハを貫通して設けられ、第2の配線層に達する貫通接続孔と、第1の半導体ウェハ内の光入射面側に設けられた溝部と、貫通接続孔と溝部とを含む領域に形成された導電材料とを備え、導電材料が第1の配線層と第2の配線層とを電気的に接続する固体撮像装置を構成する。【選択図】図4

5. 发明专利

JP2018078305A 固体撮像装置及び電子機器审中-公开
公开(公告)号：JP2018078305A
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：JP2017235039
申请日：2017-12-07
申请人：ソニー株式会社
发明人：高橋洋 , 助川俊一 , 井上啓司
IPC分类号： H04N5/374 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/146
摘要：【課題】積層される半導体ウェハのそれぞれの性能を十分に発揮して高性能化を図り、且つ量産性、コスト低減を図った、固体撮像装置を提供する。【解決手段】画素アレイが形成され、光入射面とは反対側に設けられた第1の配線層を備える第1の半導体ウェハと、第2の配線層が形成され、第1の半導体ウェハに貼り合わされた第2の半導体ウェハと、第1の半導体ウェハを貫通して設けられ、第2の配線層に達する貫通接続孔と、第1の半導体ウェハ内の光入射面側に設けられた溝部と、貫通接続孔と溝部とを含む領域に形成された導電材料とを備え、導電材料が第1の配線層と第2の配線層とを電気的に接続する固体撮像装置を構成する。【選択図】図4

6. 发明专利

JP6256562B2 固体撮像装置及び電子機器有权
公开(公告)号：JP6256562B2
公开(公告)日：2018-01-10
申请号：JP2016201912
申请日：2016-10-13
申请人：ソニー株式会社
发明人：高橋洋 , 助川俊一 , 井上啓司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/00 , H04N5/374 , H01L27/146

7. 发明专利

JP2015170702A 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器审中-公开
标题翻译：固态成像装置及其制造方法及电子装置
公开(公告)号：JP2015170702A
公开(公告)日：2015-09-28
申请号：JP2014044037
申请日：2014-03-06
申请人：ソニー株式会社
发明人：桝田佳明 , 水田恭平 , 井上啓司 , 篠崎明
IPC分类号： H04N9/07 , G02B5/20 , H01L27/146
CPC分类号： G02B5/20 , H01L27/14623 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H04N9/07
摘要：【課題】カラーフィルタの塗布ムラを低減することができるようにするものである。【解決手段】センサ基板上には、カラーフィルタと複数の接続ユニット領域が形成される。複数の接続ユニット領域のうちの少なくとも1つの接続ユニット領域は、他の接続ユニット領域と所定の間隔だけ離れるように配置される。本開示は、例えば、積層構造の裏面照射型のCMOSイメージセンサ、積層構造の表面照射型のCMOSイメージセンサ、CCDイメージセンサ等に適用することができる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够减少滤色器的涂布不均匀性的固态成像装置。解决方案：在传感器基板上形成滤色器和多个连接单元区域。多个连接单元区域中的至少一个连接单元区域被布置成与其他连接单元区域分开预定距离。本公开可应用于例如背面照射型层叠CMOS图像传感器，表面照射型层叠CMOS图像传感器，CCD图像传感器等。

8. 发明专利

JPWO2017126319A1 固体撮像素子及び電子機器审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017126319A1
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：JP2017000072
申请日：2017-01-05
申请人：ソニー株式会社
发明人：井上啓司 , 西木戸健樹
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369
CPC分类号： H01L27/14 , H04N5/369 , H04N5/374
摘要：本技術は、裏面照射型の固体撮像素子の品質の低下を抑制しつつ、パッドを浅い位置に形成することができるようにする固体撮像素子及び電子機器に関する。固体撮像素子は、入射光を光電変換素子に集光する集光層と、前記光電変換素子が形成されている半導体層と、配線及び外部接続用のパッドが形成されている配線層とが積層され、前記集光層及び前記半導体層を貫通する貫通孔により前記パッドの第1の面の少なくとも一部が露出している画素基板を備える。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOSイメージセンサに適用できる。

9. 发明专利

JP5853351B2 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器有权
标题翻译：一种制造半导体器件，半导体器件的方法，和电子装置
公开(公告)号：JP5853351B2
公开(公告)日：2016-02-09
申请号：JP2010070925
申请日：2010-03-25
申请人：ソニー株式会社
发明人：高橋洋 , 助川俊一 , 井上啓司
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/146 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/065
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L21/76802 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/1469 , H01L31/02002 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/08145 , H01L2224/24147 , H01L2224/48463 , H01L2224/80896 , H01L2224/9202 , H01L23/5283 , H01L23/535 , H01L24/05 , H01L2924/12043 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/3025

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